公开(公告)号：CN103022117B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210262950.2

申请日：2012-07-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  山田敦史 ,  尾崎史朗 ,  今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H02M5/458 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L29/0607 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H03F1/3247 ,  H03F3/19 ,  H03F3/245

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法。一个化合物半导体器件的实施方案包括：衬底；形成在衬底上的化合物半导体堆叠结构；和形成在衬底和化合物半导体堆叠结构之间的非晶绝缘膜。

公开(公告)号：CN101958345B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201010106652.5

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法。其中该化合物半导体器件包括：单晶衬底；AlN层，形成在所述单晶衬底上；氮化物半导体的缓冲层，形成在所述AlN层上；氮化物半导体的沟道层，形成在所述缓冲层上；化合物半导体的载流子供应层，形成在所述沟道层之上；以及源电极、漏电极和栅电极，形成在所述载流子供应层之上，其中，所述AlN层和所述缓冲层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大，所述AlN层的上表面的斜度是正值。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN102646702A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210035488.2

申请日：2012-02-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  尾崎史朗 ,  武田正行 ,  宫岛丰生 ,  多木俊裕 ,  金村雅仁 ,  今西健治 ,  吉川俊英 ,  渡部庆二

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32669 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：形成在基板上方的半导体层；形成在半导体层上方的绝缘膜；以及形成在绝缘膜上方的电极，其中绝缘膜包括含有碳的非晶膜。

公开(公告)号：CN101378074B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200810133356.7

申请日：2008-08-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉川俊英 ,  今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H03F1/02

CPC classification number: H03F1/0288 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H03F2200/15 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/543

Abstract: 本发明提供了氮化物半导体器件、多尔蒂放大器和漏极压控放大器。氮化物半导体器件包括：衬底；在衬底上形成的堆叠半导体结构，其包括无掺杂氮化物半导体的电子沟道层和在电子沟道层上外延地形成的n型氮化物半导体的电子供应层，该n型氮化物半导体的电子亲合势小于该无掺杂氮化物半导体的电子亲合势，并且沿着与电子供应层的界面在电子沟道层中形成二维电子气；栅电极，其对应于沟道区域而形成在堆叠半导体结构上；以及源电极和漏电极，其分别在栅电极的第一侧和第二侧、以与堆叠半导体结构相欧姆接触地形成在堆叠半导体结构上，所述堆叠半导体结构包括，在衬底和电子沟道层之间连续地并且外延地形成的n型导电层和包含Al的阻挡层。

公开(公告)号：CN101378074A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810133356.7

申请日：2008-08-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉川俊英 ,  今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H03F1/02

CPC classification number: H03F1/0288 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H03F2200/15 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/543

Abstract: 本发明提供了氮化物半导体器件、多尔蒂放大器和漏极压控放大器。氮化物半导体器件包括：衬底；在衬底上形成的堆叠半导体结构，其包括无掺杂氮化物半导体的电子沟道层和在电子沟道层上外延地形成的n型氮化物半导体的电子供应层，该n型氮化物半导体的电子亲合势小于该无掺杂氮化物半导体的电子亲合势，并且沿着与电子供应层的界面在电子沟道层中形成二维电子气；栅电极，其对应于沟道区域而形成在堆叠半导体结构上；以及源电极和漏电极，其分别在栅电极的第一侧和第二侧、以与堆叠半导体结构相欧姆接触地形成在堆叠半导体结构上，所述堆叠半导体结构包括，在衬底和电子沟道层之间连续地并且外延地形成的n型导电层和包含Al的阻挡层。

公开(公告)号：CN103367142B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201210581650.0

申请日：2012-12-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石黑哲郎 ,  山田敦史 ,  中村哲一 ,  今西健治

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L23/49562 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及化合物半导体及其制造方法。所述制造化合物半导体器件的方法的一个实施方案包括：在衬底上形成初始层；在初始层上形成缓冲层；在缓冲层上形成电子传输层和电子供给层；以及在电子供给层上形成栅电极、源电极和漏电极。形成初始层包括：在流量比为第一值的情况下形成第一化合物半导体膜，流量比为V族元素源气体的流量与III族元素源气体的流量的比；以及在流量比为不同于第一值的第二值的情况下在第一化合物半导体膜上形成第二化合物半导体膜。该方法还包括在缓冲层和电子传输层之间形成Fe掺杂区域。

公开(公告)号：CN102637587B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201210032005.3

申请日：2012-02-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  山田敦史 ,  武田正行 ,  渡部庆二 ,  今西健治

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L29/66462 ,  C11D11/0041 ,  C23C16/4405

Abstract: 一种用于半导体制造设备的清洗设备包括：氧化物移除装置，其移除粘附于半导体制造设备的构件的沉积物的表面上的氧化物；以及沉积物移除装置，其在通过氧化物移除装置移除表面上的氧化物之后移除沉积物。

公开(公告)号：CN103367142A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210581650.0

申请日：2012-12-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石黑哲郎 ,  山田敦史 ,  中村哲一 ,  今西健治

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L23/49562 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及化合物半导体及其制造方法。所述制造化合物半导体器件的方法的一个实施方案包括：在衬底上形成初始层；在初始层上形成缓冲层；在缓冲层上形成电子传输层和电子供给层；以及在电子供给层上形成栅电极、源电极和漏电极。形成初始层包括：在流量比为第一值的情况下形成第一化合物半导体膜，流量比为V族元素源气体的流量与III族元素源气体的流量的比；以及在流量比为不同于第一值的第二值的情况下在第一化合物半导体膜上形成第二化合物半导体膜。该方法还包括在缓冲层和电子传输层之间形成Fe掺杂区域。

公开(公告)号：CN101794815B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201010111011.9

申请日：2010-02-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉川俊英 ,  今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供了一种化合物半导体器件及其制造方法，该化合物半导体器件具有：衬底；形成在衬底上方的AlN层；形成在AlN层上方并且在电子亲和力方面大于AlN层的AlGaN层；形成在该AlGaN层上方并且在电子亲和力方面小于该AlGaN层的另一个AlGaN层。此外，还提供了形成在后一个AlGaN层上方的i-GaN层以及形成在i-GaN层上方的i-AlGaN层和n-AlGaN层。

公开(公告)号：CN103035672A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210313580.0

申请日：2012-08-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今西健治

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H02M5/458 ,  H03F3/189

CPC classification number: H03F1/3247 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H02M3/33592 ,  Y02B70/1475

Abstract: 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。实施方案的化合物半导体器件包括：衬底；形成在衬底之上的电子沟道层和电子供给层；形成在电子供给层上或上方的栅电极、源电极和漏电极；形成在电子供给层和栅电极之间的p型半导体层；和形成在电子供给层和p型半导体层之间的空穴阻挡层，空穴阻挡层的带隙大于电子供给层的带隙。