公开(公告)号：CN104078500B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201410098707.0

申请日：2014-03-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石黑哲郎 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种化合物半导体器件，包括：衬底；和形成在衬底之上的化合物半导体层叠结构，该化合物半导体层叠结构包括含杂质的缓冲层，和形成在缓冲层之上的有源层。

公开(公告)号：CN103022117B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210262950.2

申请日：2012-07-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  山田敦史 ,  尾崎史朗 ,  今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H02M5/458 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L29/0607 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H03F1/3247 ,  H03F3/19 ,  H03F3/245

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法。一个化合物半导体器件的实施方案包括：衬底；形成在衬底上的化合物半导体堆叠结构；和形成在衬底和化合物半导体堆叠结构之间的非晶绝缘膜。

公开(公告)号：CN103715242A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310316249.9

申请日：2013-07-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二 ,  石黑哲郎 ,  山田敦史 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种半导体装置，该半导体装置包括：衬底；形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的第一半导体层；以及形成在第一半导体层上的第二半导体层。此外，缓冲层由AlGaN形成并且掺杂有Fe，缓冲层包括彼此具有不同Al组成比的多个层，第一层的Al组成比大于第二层的Al组成比，并且第一层的Fe浓度小于第二层的Fe浓度，第一层和第二层包括在多个层中，并且第一层形成在第二层的衬底侧上。

公开(公告)号：CN102646702A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210035488.2

申请日：2012-02-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  尾崎史朗 ,  武田正行 ,  宫岛丰生 ,  多木俊裕 ,  金村雅仁 ,  今西健治 ,  吉川俊英 ,  渡部庆二

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32669 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：形成在基板上方的半导体层；形成在半导体层上方的绝缘膜；以及形成在绝缘膜上方的电极，其中绝缘膜包括含有碳的非晶膜。

公开(公告)号：CN1707625A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200410092663.7

申请日：2004-11-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  井谷司 ,  押久保由纪子 ,  中山真一 ,  丰口卓

IPC: G11B5/725 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/72

Abstract: 本发明提供一种具有优良的耐久性和耐蚀性的磁记录介质、以及一种装备有该磁记录介质的磁记录设备。该磁记录介质的保护层由两层组成，即，与磁性层接触的一下层、以及在该下层上的一上层。使该下层的内应力比该上层的内应力小，并且使该下层的表面自由能比该上层的表面自由能小。

公开(公告)号：CN1702739A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510052626.8

申请日：2005-03-07

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 千叶洋 ,  渡部庆二 ,  笠松祥治 ,  武藏贵之 ,  押久保由纪子 ,  山川荣进 ,  东海林武 ,  渡边淳 ,  中村哲一

IPC: G11B5/187 ,  G11B5/255 ,  G11B5/60 ,  G11B21/21

Abstract: 提供一种几乎没有污染物粘着的磁头滑动器和一种配备有该磁头滑动器的磁记录装置，该磁头滑动器能够形成均匀平坦的磁头润滑层表面，并具有优异的超低浮动性。该磁头滑动器配备有磁头滑动器润滑层，该磁头滑动器润滑层具有小于等于2.5nm的平均膜厚度，并且由防水树脂构成，该润滑层形成于面向该磁记录介质的磁头滑动器表面和磁头滑动器保护层表面上，使用Fowkes公式所确定的磁头滑动器润滑层的表面张力小于等于该磁头滑动器表面和磁头滑动器保护层表面的表面张力。

公开(公告)号：CN103367142B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201210581650.0

申请日：2012-12-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石黑哲郎 ,  山田敦史 ,  中村哲一 ,  今西健治

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L23/49562 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及化合物半导体及其制造方法。所述制造化合物半导体器件的方法的一个实施方案包括：在衬底上形成初始层；在初始层上形成缓冲层；在缓冲层上形成电子传输层和电子供给层；以及在电子供给层上形成栅电极、源电极和漏电极。形成初始层包括：在流量比为第一值的情况下形成第一化合物半导体膜，流量比为V族元素源气体的流量与III族元素源气体的流量的比；以及在流量比为不同于第一值的第二值的情况下在第一化合物半导体膜上形成第二化合物半导体膜。该方法还包括在缓冲层和电子传输层之间形成Fe掺杂区域。

公开(公告)号：CN102637587B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201210032005.3

申请日：2012-02-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  山田敦史 ,  武田正行 ,  渡部庆二 ,  今西健治

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L29/66462 ,  C11D11/0041 ,  C23C16/4405

Abstract: 一种用于半导体制造设备的清洗设备包括：氧化物移除装置，其移除粘附于半导体制造设备的构件的沉积物的表面上的氧化物；以及沉积物移除装置，其在通过氧化物移除装置移除表面上的氧化物之后移除沉积物。

公开(公告)号：CN104465744A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410427698.5

申请日：2014-08-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石黑哲郎 ,  小谷淳二 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，其包括：在衬底上由氮化物半导体制成的缓冲层；在缓冲层上由氮化物半导体制成的第一半导体层；在第一半导体层上由氮化物半导体制成的第二半导体层；以及形成在第二半导体层上的栅电极、源电极和漏电极，其中缓冲层具有掺杂于其中的包括选自C、Mg、Fe和Co的元素以及选自Si、Ge、Sn和O的元素两者的元素。

公开(公告)号：CN103367142A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210581650.0

申请日：2012-12-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石黑哲郎 ,  山田敦史 ,  中村哲一 ,  今西健治

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L23/49562 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及化合物半导体及其制造方法。所述制造化合物半导体器件的方法的一个实施方案包括：在衬底上形成初始层；在初始层上形成缓冲层；在缓冲层上形成电子传输层和电子供给层；以及在电子供给层上形成栅电极、源电极和漏电极。形成初始层包括：在流量比为第一值的情况下形成第一化合物半导体膜，流量比为V族元素源气体的流量与III族元素源气体的流量的比；以及在流量比为不同于第一值的第二值的情况下在第一化合物半导体膜上形成第二化合物半导体膜。该方法还包括在缓冲层和电子传输层之间形成Fe掺杂区域。