公开(公告)号：CN104064594B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201410056424.X

申请日：2014-02-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  冈本直哉

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L27/02

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法、电源装置和高频放大器。一种半导体器件，包括：氮化物半导体多层；布置在氮化物半导体多层上的绝缘膜；以及布置在绝缘膜上的栅电极，其中氮化物半导体多层具有在与绝缘膜的在栅电极下方的区域的界面附近的第一氧化区域，该第一氧化区域的氧浓度高于在与绝缘膜的除在栅电极下方之外的区域的界面附近的区域的氧浓度。

公开(公告)号：CN104183636B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201410171412.1

申请日：2014-04-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 美浓浦优一 ,  冈本直哉

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，其包括：在衬底上由氮化物半导体形成的第一半导体层；在第一半导体层上由氮化物半导体形成的第二半导体层；在第二半导体层中或者在第二半导体层和第一半导体层中形成的栅极沟槽；在栅极沟槽处形成的栅电极；以及在第二半导体层上形成的源电极和漏电极。栅极沟槽具有形成为比栅极沟槽的底部的中部更浅的底部的端部。栅极沟槽的侧壁的一部分由包括a面的表面形成。底部的中部为c面。底部的端部形成从c面到a面的斜面。

公开(公告)号：CN106133198A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201480077715.5

申请日：2014-04-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉

IPC: C25B3/04 ,  C25B9/00

CPC classification number: C25B9/10 ,  C25B1/003 ,  C25B1/10 ,  C25B3/04 ,  C25B9/04 ,  H01G9/205 ,  H01G9/22 ,  Y02E60/368

Abstract: 本发明涉及光合成装置。该光合成装置具有：槽部，其被形成于半导体基板；第1导电型区域，其在上述半导体基板中被形成于上述槽部的一方的侧面；第2导电型区域，其在上述半导体基板中被形成于上述槽部的另一方的侧面；氧化电极，其以与上述槽部的一方的侧面中的上述第1导电型区域接触的方式形成；还原电极，其以与上述槽部的另一方的侧面中的上述第2导电型区域接触的方式形成；以及质子隔壁膜，其被形成于上述槽部的中央部分，向上述槽部供给含有二氧化碳的水，通过向上述氧化电极或者上述还原电极照射光，在上述氧化电极从水生成氧与氢离子，被生成的氢离子透过上述质子隔壁膜，在上述还原电极与二氧化碳反应生成甲酸。

公开(公告)号：CN103035703B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210270679.7

申请日：2012-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三 ,  冈本直哉 ,  多木俊裕 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗 ,  宫岛丰生

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H02M7/537

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种HEMT包括：在SiC衬底上的化合物半导体层、具有开口并且覆盖化合物半导体层的氮化硅(SiN)保护膜、以及形成于化合物半导体层上以填塞开口的栅电极。在保护膜中，在下层部分6a处形成有从开口的侧表面突出的突出部分。

公开(公告)号：CN102651387B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201210044499.7

申请日：2012-02-23

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉

IPC: H01L29/41 ,  H01L21/28 ,  H02M1/42

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66143 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法以及电源，所述化合物半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的第一化合物半导体层；形成在第一化合物半导体层上的第二化合物半导体层；以及形成在第一化合物半导体层上的上电极，其中在第一化合物半导体层的位于第一化合物半导体层与第二化合物半导体层之间的界面处的区域中产生二维空穴气，以使得具有随着距上电极的距离增加而降低的空穴浓度。

公开(公告)号：CN103875073A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201180074074.4

申请日：2011-10-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/151 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/8252 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/127 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/49 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其包含具有使多个量子点层（8）层叠而成的结构的漂移层（2），所述量子点层（8）具有含有InxGa1-xN（0≤x≤1）的量子点（6）以及埋置量子点、含有n型Inx（GayAl1-y）1-xN（0≤x≤1、0≤y≤1）的埋置层（7）。

公开(公告)号：CN105977209B

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201610509548.8

申请日：2010-10-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉 ,  美浓浦优一

IPC: H01L21/8252 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L21/329 ,  H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明的半导体装置设有：GaN层(2)、与GaN层(2)的Ga面形成肖特基接合的阳极电极(4)以及位于阳极电极(4)的至少一部分与GaN层(2)之间的InGaN层(3)。

公开(公告)号：CN103681834B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310356243.4

申请日：2013-08-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 朱雷 ,  冈本直哉

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335 ,  H02M5/458 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。化合物半导体器件包括：由化合物半导体形成的电子渡越层；以及形成为覆盖电子渡越层的电极，其中在电子渡越层和电极之间插入有绝缘膜，其中电子渡越层的在电极下方的部分形成为使得具有第一极性面的第一化合物半导体和具有第二极性面的第二化合物半导体交替布置，并且在第一极性面中的极化电荷与在第二极性面中的极化电荷具有相反的极性。

公开(公告)号：CN103035522B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201210270691.8

申请日：2012-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 美浓浦优一 ,  冈本直哉 ,  吉川俊英 ,  牧山刚三 ,  多木俊裕

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H02M1/4225 ,  H02M3/33569 ,  H02M2001/007 ,  Y02B70/126

Abstract: 在化合物半导体层叠结构上形成钝化膜，通过干蚀刻来使钝化膜的电极形成预定位置变薄，通过湿蚀刻来穿透钝化膜的变薄部分以形成开口，并且在钝化膜上形成栅电极，使得电极材料嵌入该开口。

公开(公告)号：CN104779140A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510178598.8

申请日：2012-02-23

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66143 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法以及电源。一种化合物半导体器件，包括：衬底；形成在衬底上的第一化合物半导体层；形成在第一化合物半导体层上的第二化合物半导体层；以及形成在第一化合物半导体层上的上电极，其中在第一化合物半导体层的位于第一化合物半导体层与第二化合物半导体层之间的界面处的区域中产生二维空穴气，以使得具有随着距上电极的距离增加而降低的空穴浓度。