公开(公告)号：CN103700700A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310435417.6

申请日：2013-09-23

Applicant: 富士通株式会社 ,  富士通半导体股份有限公司

Inventor： 多木俊裕 ,  佐藤勇一

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H02M5/458 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。化合物半导体器件包括：化合物半导体堆叠结构；在化合物半导体堆叠结构上方彼此分离地形成的源电极和漏电极；在化合物半导体堆叠结构上方形成在源电极和漏电极之间的栅电极；以及钝化膜，该钝化膜形成在化合物半导体堆叠结构上方，并且由包含Al的绝缘材料制成，其中钝化膜与源电极和漏电极下方的化合物半导体堆叠结构处于非接触状态。

公开(公告)号：CN102237405A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110122187.9

申请日：2011-05-06

Applicant: 富士通半导体股份有限公司

Inventor： 秋山深一 ,  温井健司 ,  加藤睦 ,  渡边芳孝 ,  伊藤哲也 ,  藤泽洋一 ,  佐藤俊哉 ,  细田勉 ,  佐藤勇一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/201 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 复合半导体器件，其包括：基板；形成在基板上的复合半导体层；形成在复合半导体层上的第一绝缘膜；形成在第一绝缘膜上的第二绝缘膜；以及各自形成在复合半导体层上的栅极、源极和漏极，其中栅极由经由至少栅绝缘层填充有第一导电材料的第一开口形成，且第一开口形成在第一绝缘膜中且被配置，使部分地露出复合半导体层，并且其中源极和漏极由填充有至少第二导电材料的一对第二开口形成，且第二开口形成在至少第二绝缘膜和第一绝缘膜中并被配置，使部分地露出复合半导体层。