公开(公告)号：CN1307698C

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200410047635.3

申请日：1996-11-08

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 米田义之 ,  辻和人 ,  织茂政一 ,  迫田英治 ,  野本隆司 ,  小野寺正德 ,  河西纯一

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/4832 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/67138 ,  H01L21/6833 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/7865 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85664 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/181 ,  H05K3/303 ,  H05K3/305 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3442 ,  H05K2201/09045 ,  H05K2201/10727 ,  H05K2201/10977 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种元件，它包含以下部分：芯片(111)；封装芯片的树脂封壳(112，151，314)，该树脂封壳的安装面上设有树脂凸部(117，154，318)，树脂凸部上设有相应的金属膜(113，155，315)。芯片的电极焊盘与金属膜由连接部分(118，101，163，245，313，343，342)电连接，每个所述树脂凸部都被所述金属膜整体地覆盖。

公开(公告)号：CN1841649A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200510113762.3

申请日：2005-10-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 米田义之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  H01L21/78 ,  G06K19/07 ,  G06K7/00

CPC classification number: H01L21/67294 ,  H01L22/20 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/525 ,  H01L23/544 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2223/54466 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的生产管理方法及半导体衬底。该方法包括如下步骤：在已形成多个半导体器件的半导体衬底上设置至少一个标签区域，该标签区域设置有能够在不进行物理接触的条件下读出/写入信息的标签；在不与半导体衬底接触的条件下，将每个半导体器件的生产管理信息写入标签中；以及在划分半导体衬底之后从标签中读出生产管理信息，并基于生产管理信息选取无缺陷的半导体器件。

公开(公告)号：CN1926684A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200480042472.8

申请日：2004-06-07

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小泽要 ,  佐藤光孝 ,  米田义之

IPC: H01L25/065 ,  H01L27/04 ,  H01L21/82

Abstract: 在内置有为了防止电源电位或接地电位的变动而使用的去耦电容器的半导体装置及其制造方法中，利用简单且低成本的方法来实现小型化、高性能化。根据本发明的半导体装置包括：设置有电源用电极和接地用电极的基板；在与第二半导体芯片相对向的面侧上形成第一导体层并配置在基板上的第一半导体芯片；在与第一半导体芯片相对向的面侧上形成第二导体层并配置在第一半导体芯片上的第二半导体芯片；夹在第一导体层和第二导体层之间来粘合第一半导体芯片和第二半导体芯片的粘合剂层。该半导体装置中，粘合剂层和第一及第二导体层作为电容器来发挥功能。

公开(公告)号：CN1215537C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN96114520.X

申请日：1996-11-08

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 米田义之 ,  辻和人 ,  织茂政一 ,  迫田英治 ,  野本隆司 ,  小野寺正德 ,  河西纯一

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/4832 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/67138 ,  H01L21/6833 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/7865 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85664 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/181 ,  H05K3/303 ,  H05K3/305 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3442 ,  H05K2201/09045 ,  H05K2201/10727 ,  H05K2201/10977 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种元件，它包含以下部分：芯片(111)；封装芯片的树脂封壳(112，151，314)，该树脂封壳的安装面上设有树脂凸部(117，154，318)，树脂凸部上设有相应的金属膜(113，155，315)。芯片的电极焊盘与金属膜由连接部分(118，101，163，245，313，343，342)电连接，每个所述树脂凸部都被所述金属膜整体地覆盖。

公开(公告)号：CN1440073A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN02147180.0

申请日：2002-10-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 米田义之 ,  南泽正荣 ,  渡边英二 ,  佐藤光孝

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/563 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种半导体器件基底具有小间距的细小端点并且能够容易地以低廉费用生产而不需要使用特殊过程。一个安装端具有棱锥形状并且延伸于硅基底的前表面和背面之间。该安装端的一端自硅基底的背面伸出。一层布线层被形成于在硅基底的前表面上。该布线层包括一层电气上连至安装端的导电层。

公开(公告)号：CN100388417C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200510113762.3

申请日：2005-10-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 米田义之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  H01L21/78 ,  G06K19/07 ,  G06K7/00

CPC classification number: H01L21/67294 ,  H01L22/20 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/525 ,  H01L23/544 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2223/54466 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的生产管理方法及半导体衬底。该方法包括如下步骤：在已形成多个半导体器件的半导体衬底上设置至少一个标签区域，该标签区域设置有能够在不进行物理接触的条件下读出/写入信息的标签；在不与半导体衬底接触的条件下，将每个半导体器件的生产管理信息写入标签中；以及在划分半导体衬底之后从标签中读出生产管理信息，并基于生产管理信息选取无缺陷的半导体器件。

公开(公告)号：CN1855401A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610089954.X

申请日：2003-03-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 斋藤信胜 ,  南泽正荣 ,  米田义之 ,  清水敦和 ,  今村和之 ,  菊池敦 ,  冈本九弘 ,  渡边英二

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括以下步骤：a.在硅衬底上形成金属薄膜层；b.通过在所述金属薄膜层上的多个水平面中形成导电层和绝缘层来形成薄膜多层衬底；c.通过粘合部件将支撑部件贴在所述薄膜多层衬底上；d.除去所述硅衬底和所述金属薄膜层；e.将所述薄膜多层衬底连同所述支撑部件一起个体化；f.将所述薄膜多层衬底安装在封装衬底上并且将所述薄膜多层衬底固定在所述封装衬底上；g.降低所述粘合部件的粘附性，从所述薄膜多层衬底上剥离所述支撑部件和所述粘合部件；以及h.将至少一个半导体芯片安装在所述薄膜多层衬底上。

公开(公告)号：CN1822364A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200510076387.X

申请日：2005-06-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 爱场喜孝 ,  藤泽哲也 ,  米田义之

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15184 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开一种半导体器件，包括：支撑衬底；第一半导体元件，安装在该支撑衬底的一侧上；第二半导体元件，包括安装在该支撑衬底的所述一侧上的高频电极；通孔，设置在与该高频电极相关联的该支撑衬底上；以及外部连接电极，设置在与该通孔相关联的该支撑衬底的另一侧上。

公开(公告)号：CN1225783C

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN02147180.0

申请日：2002-10-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 米田义之 ,  南泽正荣 ,  渡边英二 ,  佐藤光孝

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/563 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种半导体器件基底具有小间距的细小端点并且能够容易地以低廉费用生产而不需要使用特殊过程。一个安装端具有棱锥形状并且延伸于硅基底的前表面和背面之间。该安装端的一端自硅基底的背面伸出。一层布线层被形成于在硅基底的前表面上。该布线层包括一层电气上连至安装端的导电层。

公开(公告)号：CN1549317A

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN200410047635.3

申请日：1996-11-08

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 米田义之 ,  辻和人 ,  织茂政一 ,  迫田英治 ,  野本隆司 ,  小野寺正德 ,  河西纯一

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/4832 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/67138 ,  H01L21/6833 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/7865 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85664 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/181 ,  H05K3/303 ,  H05K3/305 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3442 ,  H05K2201/09045 ,  H05K2201/10727 ,  H05K2201/10977 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种元件，它包含以下部分：芯片(111)；封装芯片的树脂封壳(112，151，314)，该树脂封壳的安装面上设有树脂凸部(117，154，318)，树脂凸部上设有相应的金属膜(113，155，315)。芯片的电极焊盘与金属膜由连接部分(118，101，163，245，313，343，342)电连接，每个所述树脂凸部都被所述金属膜整体地覆盖。