公开(公告)号：CN101047163A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200610128806.4

申请日：2006-08-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 斋藤信胜 ,  宇野正 ,  加纳政志 ,  松冈田博

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05086 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有高性能和高可靠性的半导体器件及其有效的制造方法，在该半导体器件中，由于封装半导体衬底期间所形成的热应力而引起的互连层或导电层的脱落受到抑制，因此可防止电击穿。本发明的半导体器件的特征在于包括半导体衬底、互连层(12)、第一导电层(15)、层间绝缘膜(16)以及第二导电层(17)。本发明的半导体器件制造方法的特征在于至少包括如下步骤：形成互连层、形成第一导电层、形成层间绝缘膜以及形成第二导电层，以与该第一导电层电连接。

公开(公告)号：CN101127333A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710001688.5

申请日：2007-01-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 宇野正 ,  斋藤信胜

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括：半导体元件，其设置在布线板的上方；密封树脂，其构造为密封该半导体元件；以及增强树脂，其设置在该密封树脂和该布线板的边界部分的至少一部分上。在上述半导体器件中，该增强树脂可以沿着该密封树脂和该布线板的边界部分的周边设置。该增强树脂可以设置在该密封树脂的拐角部分附近的、该密封树脂和该布线板的边界部分处。

公开(公告)号：CN1855401A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610089954.X

申请日：2003-03-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 斋藤信胜 ,  南泽正荣 ,  米田义之 ,  清水敦和 ,  今村和之 ,  菊池敦 ,  冈本九弘 ,  渡边英二

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括以下步骤：a.在硅衬底上形成金属薄膜层；b.通过在所述金属薄膜层上的多个水平面中形成导电层和绝缘层来形成薄膜多层衬底；c.通过粘合部件将支撑部件贴在所述薄膜多层衬底上；d.除去所述硅衬底和所述金属薄膜层；e.将所述薄膜多层衬底连同所述支撑部件一起个体化；f.将所述薄膜多层衬底安装在封装衬底上并且将所述薄膜多层衬底固定在所述封装衬底上；g.降低所述粘合部件的粘附性，从所述薄膜多层衬底上剥离所述支撑部件和所述粘合部件；以及h.将至少一个半导体芯片安装在所述薄膜多层衬底上。