公开(公告)号：CN1298044C

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN03816402.7

申请日：2003-07-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 木村孝浩 ,  内堀千寻

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76867

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其包括：通过在半导体基板的上方形成的有机层间绝缘膜(22)的上面形成金属膜(24)，在有机层间绝缘膜(22)和金属膜(24)的界面上得到防止金属扩散用的碳化金属膜(23)的工序；通过对于碳化金属膜(23)有选择性地除去金属膜(24)，在有机层间绝缘膜(22)的上面残留碳化金属膜(23)的工序。

公开(公告)号：CN1669137A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN03816402.7

申请日：2003-07-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 木村孝浩 ,  内堀千寻

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76867

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其包括：通过在半导体基板的上方形成的有机层间绝缘膜(22)的上面形成金属膜(24)，在有机层间绝缘膜(22)和金属膜(24)的界面上得到防止金属扩散用的碳化金属膜(23)的工序；通过对于碳化金属膜(23)有选择性地除去金属膜(24)，在有机层间绝缘膜(22)的上面残留碳化金属膜(23)的工序。

公开(公告)号：CN102954723B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201210291559.5

申请日：2012-08-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾形晋 ,  内田浩基 ,  日比野圣二 ,  盐贺健司 ,  木村孝浩

IPC: F28D15/04 ,  H05K7/20

CPC classification number: F28D15/043 ,  F28D15/046 ,  H05K7/20336

Abstract: 提供了一种回路热管以及包括回路热管的电子设备，该回路热管包括：内部包括至少一个所构建的芯的蒸发器、凝结器、将蒸发器与凝结器彼此连接的液体管和蒸气管、以及形成在蒸发器内部并分散蒸气的热分散腔，其中，芯包括：多孔的第一芯；多孔的第二芯，第二芯从液体管侧插入第一芯并且第二芯的孔径大于第一芯的孔径；以及蒸气通道，其被限定在第一芯与第二芯之间。蒸气通道在液体管侧的端部处连接至热分散腔。

公开(公告)号：CN102954723A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210291559.5

申请日：2012-08-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾形晋 ,  内田浩基 ,  日比野圣二 ,  盐贺健司 ,  木村孝浩

IPC: F28D15/04 ,  H05K7/20

CPC classification number: F28D15/043 ,  F28D15/046 ,  H05K7/20336

Abstract: 提供了一种回路热管以及包括回路热管的电子设备，该回路热管包括：内部包括至少一个所构建的芯的蒸发器、凝结器、将蒸发器与凝结器彼此连接的液体管和蒸气管、以及形成在蒸发器内部并分散蒸气的热分散腔，其中，芯包括：多孔的第一芯；多孔的第二芯，第二芯从液体管侧插入第一芯并且第二芯的孔径大于第一芯的孔径；以及蒸气通道，其被限定在第一芯与第二芯之间。蒸气通道在液体管侧的端部处连接至热分散腔。

公开(公告)号：CN1682359A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN03822224.8

申请日：2003-08-01

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 渡边健一 ,  池田雅延 ,  木村孝浩

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82 ,  H01L27/04 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/01004

Abstract: 在用于将元件形成区域和外部进行电连接，附随元件形成区域来形成低介电常数绝缘膜的焊盘形成区域中，形成于焊盘形成区域的低介电常数绝缘膜中的作为通路的Cu膜，与元件形成区域的作为通路的Cu膜相比以高密度地配置，由此，防止内部应力发生时该应力偏向集中在通路中，可以避免由此引起的布线功能的劣化。