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公开(公告)号：CN100437849C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN03820706.0
申请日：2003-08-15
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01G4/33 , H01L27/0629 , H01L27/0805 , H01L28/40
Abstract: 本发明提供一种包含单晶高介电常数电介质层的薄膜电容器。该薄膜电容器具有：单晶硅基板；在单晶硅基板上外延生长的单晶中间层；在单晶中间层上外延生长的单晶下部电极；在下部电极层上外延生长的单晶高介电常数电介质层；在单晶高介电常数电介质层上方形成的上部电极层；分别与下部电极层、上部电极层的多个位置连接的多个导电体凸起。
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公开(公告)号：CN102792119A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201080065295.0
申请日：2010-09-21
Applicant: 富士通株式会社
IPC: F28D15/02
CPC classification number: F28D15/0266 , F28D15/046 , F28D2021/0028 , F28F2265/12 , H01L23/427 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在环型热管的工作时，在工作流体成为高温、高压的情况也能维持蒸发器壳体和油绳的热紧贴，实现稳定的冷却性能。在将通过来自发热体的热使工作流体气化的蒸发器和使被气化的工作流体冷凝的冷凝器通过连结管连接成环状的环型热管中，设为以下构造，所述蒸发器具有：第一空间，所述第一空间具有与所述发热体的接触面，并使从所述连结管供应的所述工作流体蒸发；以及第二空间，所述第二空间被设置在构成所述第一空间的面中的、所述接触面以外的至少一个面上，在将所述第一空间和第二空间隔开的分隔壁上设置有将所述第一空间和第二空间连通的连通孔。
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公开(公告)号：CN1988083A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610077181.3
申请日：2006-04-27
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L23/5223 , H01G4/33 , H01L23/3114 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/50 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L28/55 , H01L28/65 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/05155 , H01L2224/05552 , H01L2224/0557 , H01L2224/0603 , H01L2224/06102 , H01L2224/1147 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/14 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/2518 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01068 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/15787 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19103 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H05K1/0231 , H05K1/162 , H05K1/185 , H05K2201/0179 , H05K2201/09481 , H05K2201/10712 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
Abstract: 一种薄膜电容器，包括：电容器元件(20)，形成在基础衬底(10)上且包含第一电容器电极(14)、形成在第一电容器电极(14)上的电容器介电膜(16)以及形成在电容器介电膜(16)上的第二电容器电极(18)；引出电极(26a、26b)，从第一电容器电极(14)或第二电容器电极(18)引出，且由能防止氢或水扩散的导电阻挡膜形成；以及外部连接电极(34a、34b)，用于与外部连接且连接至引出电极(26a、26b)。
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公开(公告)号：CN1679124A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03820706.0
申请日：2003-08-15
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01G4/33 , H01L27/0629 , H01L27/0805 , H01L28/40
Abstract: 本发明提供一种包含单晶高介电常数电介质层的薄膜电容器。该薄膜电容器具有：单晶硅基板；在单晶硅基板上外延生长的单晶中间层；在单晶中间层上外延生长的单晶下部电极；在下部电极层上外延生长的单晶高介电常数电介质层；在单晶高介电常数电介质层上方形成的上部电极层；分别与下部电极层、上部电极层的多个位置连接的多个导电体凸起。
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公开(公告)号：CN114520029A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202111137555.7
申请日：2021-09-27
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 盐贺健司
Abstract: 提供了混合物物理特性识别方法、设备及存储介质。混合物物理特性识别方法用于使计算机执行处理，所述处理包括：创建用于对多种候选物质的混合物的至少一种物理特性进行预测的预测项；以及识别该混合物的物理特性，在第一学习数据集和对应数据集没有表现出一定相关性的情况下，基于整合模型获得虚拟数据集并将虚拟数据集中的至少一些虚拟数据集设置为第二学习数据集，并且将第一学习数据集和基于第二学习数据集的第二预测模型中的与第一学习数据集对应的对应数据集进行比较，在第一学习数据集和对应数据集表现出一定相关性的情况下，基于根据第二预测模型获得的相应候选物质的回归系数创建预测项。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113268126A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202011619792.2
申请日：2020-12-30
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 公开了一种混合物性能优化装置、混合物性能优化方法、混合制冷剂和计算机可读存储介质。混合物性能优化装置对多种物质的混合物的性能进行优化并且包括能量函数公式简化单元，该能量函数公式简化单元在用于对混合物中的多个物理特性中的每个物理特性进行加权并执行优化混合物的性能的计算的能量函数公式中，将多个物理特性中的具有与一个特征相关的关系的多个物理特性、作为一个特征共同并入能量函数公式中，并且简化能量函数公式。
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公开(公告)号：CN1964077B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200610163017.4
申请日：2003-07-23
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G01R1/07378 , G01R31/2886 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明公开一种电容器及其制造方法和包含该电容器的半导体器件。其中，所述电容器包括：介电膜；形成在所述介电膜的第一主表面上的第一电极膜；形成在所述介电膜的第二主表面上的第二电极膜；从所述第一电极膜延伸到由所述介电膜和所述第一和第二电极膜所形成的叠层结构的第一侧面的第一互连部分；以及从所述第二电极膜延伸到所述第一侧面的第二互连部分，形成在所述叠层结构的第二侧面上的树脂层。
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公开(公告)号：CN100423254C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200510125088.0
申请日：2005-11-18
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2924/19041 , H01L2924/19106
Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制造方法与电容器结构及其制造方法。该半导体器件包括转接板和半导体芯片。转接板包括：Si衬底；多个通路，通过绝缘材料在穿过Si衬底的相应通孔中设置；薄膜电容器，设置于Si衬底的第一主表面上，以使其电连接至通路；以及多个外部连接端子，设置于Si衬底的第二主表面上，以使其电连接至通路。第二主表面背对第一主表面。半导体芯片设置于第一主表面或第二主表面上，以使其电连接至通路。其中Si衬底的厚度小于通孔的直径。由此，可提供可高频运行及可低成本制造的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1290170C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN03133111.4
申请日：2003-07-23
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G01R1/07378 , G01R31/2886 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2224/05599
Abstract: 一种探针板包括：探针；具有多层互连结构的叠加互连层，在其上表面上携带该探针，与所述多层互连结构电连接；以及位于该叠加互连层上通过多层互连结构与该探针板之一电连接的电容器，其中该多层互连结构包括在该探针附近的一个内部通孔接头，并且该电容器被嵌入在构成该叠加层的树脂绝缘层中。
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公开(公告)号：CN105814389A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201380081515.2
申请日：2013-12-13
Applicant: 富士通株式会社
IPC: F28D15/02
CPC classification number: G06F1/203 , F28D15/0266 , F28D15/043 , F28D15/046 , F28F3/086 , H01L23/427 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明提供不产生由工作流体的逆流导致的热输送性能的降低且能够薄型化的环型热管及其制造方法、以及电子设备。环型热管(22)具有：蒸发器(23)，其使工作流体(C)气化；冷凝器(24)，其将工作流体(C)液化；液管(26)，其连接蒸发器(23)和冷凝器(24)；支柱状的多孔体(36)，其被设置于液管(26)内；以及蒸气管(25)，其连接蒸发器(23)和冷凝器(24)，并与液管(26)共同形成环。
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