公开(公告)号：CN1682359A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN03822224.8

申请日：2003-08-01

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 渡边健一 ,  池田雅延 ,  木村孝浩

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82 ,  H01L27/04 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/01004

Abstract: 在用于将元件形成区域和外部进行电连接，附随元件形成区域来形成低介电常数绝缘膜的焊盘形成区域中，形成于焊盘形成区域的低介电常数绝缘膜中的作为通路的Cu膜，与元件形成区域的作为通路的Cu膜相比以高密度地配置，由此，防止内部应力发生时该应力偏向集中在通路中，可以避免由此引起的布线功能的劣化。

公开(公告)号：CN100347854C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN03108273.4

申请日：2003-03-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 各務克巳 ,  綿谷宏文 ,  池田雅延

IPC: H01L23/532 ,  H01L27/10 ,  H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种可以抑制在化学增强型光刻胶膜中的溶解障碍现象的半导体器件。更加具体来说，在一个半导体基片上形成接触图案之后，在该接触图案上形成一个布线图案。SiC膜、第一SiOC膜、SiC膜、第二SiOC膜、作为防扩散膜的USG膜和作为防反射膜的氮化硅膜形成在该布线图案上。然后使用该化学增强型光刻胶膜和另一种化学增强型光刻胶膜形成一个双重镶嵌结构。按照这种方式，在形成作为防反射膜的氮化硅膜过程中产生的氮气被防止扩散到形成在该氮化硅膜下方的第二SiOC膜中。相应地，可以避免氮气与包含在第二SiOC膜中的H基发生反应，并且可以避免在第二SiOC膜中产生例如NH这样的胺基。因此，可以避免在该化学增强型光刻胶膜中出现溶解障碍现象。

公开(公告)号：CN1495892A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN02152826.8

申请日：2002-11-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 池田雅延 ,  铃木贵志

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/314 ,  C23C16/325 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 借助通过金属镶嵌方法形成的基膜，用Cu填充通路孔和配线沟，形成配线。然后，形成SiC:H膜，覆盖配线的上表面。此刻，在形成SiC:H膜的时候，通过加入含氮气体，控制其中的氮原子含量为为8(原子％)－20(原子％)，从而使SiC:H膜的膜密度为2.1(g/cm3)或更高。

公开(公告)号：CN1467840A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03108273.4

申请日：2003-03-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 各務克巳 ,  綿谷宏文 ,  池田雅延

IPC: H01L23/532 ,  H01L27/10 ,  H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种可以抑制在化学增强型光刻胶膜中的溶解障碍现象的半导体器件。更加具体来说，在一个半导体基片上形成接触图案之后，在该接触图案上形成一个布线图案。SiC膜、第一SiOC膜、SiC膜、第二SiOC膜、作为防扩散膜的USG膜和作为防反射膜的氮化硅膜形成在该布线图案上。然后使用该化学增强型光刻胶膜和另一种化学增强型光刻胶膜形成一个双重镶嵌结构。按照这种方式，在形成作为防反射膜的氮化硅膜过程中产生的氮气被防止扩散到形成在该氮化硅膜下方的第二SiOC膜中。相应地，可以避免氮气与包含在第二SiOC膜中的H基发生反应，并且可以避免在第二SiOC膜中产生例如NH这样的胺基。因此，可以避免在该化学增强型光刻胶膜中出现溶解障碍现象。

公开(公告)号：CN1310321C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN02152826.8

申请日：2002-11-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 池田雅延 ,  铃木贵志

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/314 ,  C23C16/325 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 借助通过金属镶嵌方法形成的基膜，用Cu填充通路孔和配线沟，形成配线。然后，形成SiC∶H膜，覆盖配线的上表面。此刻，在形成SiC∶H膜的时候，通过加入含氮气体，控制其中的氮原子含量为8(原子%)-20(原子%)，从而使SiC∶H膜的膜密度为2.1(g/cm3)或更高。