公开(公告)号：CN103548028A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280023853.6

申请日：2012-07-23

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 迈克尔·G·李 ,  内堀千寻

IPC: G06F17/50 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00014

Abstract: 在一个实施例中，一种集成电路（IC）芯片与衬底之间的互连结构包括多种材料。用于互连结构的不同区段的材料以及它们的布置是通过确定该结构的相关联的应力而选择的。

公开(公告)号：CN103548028B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201280023853.6

申请日：2012-07-23

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 迈克尔·G·李 ,  内堀千寻

IPC: G06F17/50 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00014

Abstract: 在一个实施例中，一种集成电路（IC）芯片与衬底之间的互连结构包括多种材料。用于互连结构的不同区段的材料以及它们的布置是通过确定该结构的相关联的应力而选择的。

公开(公告)号：CN1298044C

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN03816402.7

申请日：2003-07-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 木村孝浩 ,  内堀千寻

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76867

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其包括：通过在半导体基板的上方形成的有机层间绝缘膜(22)的上面形成金属膜(24)，在有机层间绝缘膜(22)和金属膜(24)的界面上得到防止金属扩散用的碳化金属膜(23)的工序；通过对于碳化金属膜(23)有选择性地除去金属膜(24)，在有机层间绝缘膜(22)的上面残留碳化金属膜(23)的工序。

公开(公告)号：CN1669137A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN03816402.7

申请日：2003-07-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 木村孝浩 ,  内堀千寻

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76867

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其包括：通过在半导体基板的上方形成的有机层间绝缘膜(22)的上面形成金属膜(24)，在有机层间绝缘膜(22)和金属膜(24)的界面上得到防止金属扩散用的碳化金属膜(23)的工序；通过对于碳化金属膜(23)有选择性地除去金属膜(24)，在有机层间绝缘膜(22)的上面残留碳化金属膜(23)的工序。