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公开(公告)号：CN118655163B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410880649.0
申请日：2024-07-02
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G01N23/207 , G01L1/25 , G01L5/00
Abstract: 一种碳化硅缺陷密度的无损测量方法，包括以下步骤：对待测碳化硅样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得待测碳化硅样品半高宽；对标准样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得标准样品半高宽；按照缺陷密度计算公式计算，得到碳化硅缺陷密度；所述缺陷密度计算公式为：位错密度＝(待测碳化硅样品半高宽‑标准样品半高宽)2/(4.35×b2)×10‑4；其中，b为缺陷的伯氏矢量。本发明在充分研究碳化硅缺陷密度及残余应力和摇摆曲线的关系的基础上，通过测量摇摆曲线的半高宽，可以无损测量碳化硅的缺陷密度，进一步通过摇摆曲线的峰位可以计算残余应力，从而在不损伤衬底材料的基础上，能够实现碳化硅缺陷密度的快速、准确测量，效率高且成本低。
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公开(公告)号：CN118655163A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410880649.0
申请日：2024-07-02
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G01N23/207 , G01L1/25 , G01L5/00
Abstract: 一种碳化硅缺陷密度的无损测量方法，包括以下步骤：对待测碳化硅样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得待测碳化硅样品半高宽；对标准样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得标准样品半高宽；按照缺陷密度计算公式计算，得到碳化硅缺陷密度；所述缺陷密度计算公式为：位错密度＝(待测碳化硅样品半高宽‑标准样品半高宽)2/(4.35×b2)×10‑4；其中，b为缺陷的伯氏矢量。本发明在充分研究碳化硅缺陷密度及残余应力和摇摆曲线的关系的基础上，通过测量摇摆曲线的半高宽，可以无损测量碳化硅的缺陷密度，进一步通过摇摆曲线的峰位可以计算残余应力，从而在不损伤衬底材料的基础上，能够实现碳化硅缺陷密度的快速、准确测量，效率高且成本低。
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公开(公告)号：CN118650509A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410822201.3
申请日：2024-06-24
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: B24B7/22 , B24B41/047 , B24B55/00 , B24B49/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体研磨主轴及半导体研磨设备，包括：支撑基座；主轴本体，通过磁浮装置支撑于所述支撑基座上，所述主轴本体的一端用于设置研磨盘，且所述磁浮装置至少包括轴向磁浮组件和径向磁浮组件，所述轴向磁浮组件用于为所述主轴本体提供轴向上的支撑力，所述径向磁浮组件用于为所述主轴本体提供径向上的支撑力。本发明在主轴本体和支撑基座之间构建磁场产生相互作用力，以使得主轴本体处于悬浮状态，形成没有机械接触式的转动支撑，因此摩擦损耗较小，而且因没有摩擦，避免了因磨损导致精度降低的问题，而且不需要气体作为润滑剂，因此可避免通入气体带来的污染问题。
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公开(公告)号：CN119783539A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411972348.7
申请日：2024-12-30
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G06F30/27 , G16C10/00 , G06F119/14
Abstract: 本申请提供一种基于机器学习和分子动力学的仿真方法及相关装置，应用于半导体制造领域，在接收工艺菜单后；针对工艺菜单中的每一个工艺条件，将工艺条件输入至力场预测模型，输出得到所述工艺条件下的机器学习力场；最后，依据所述工艺条件下的机器学习力场进行分子动力学仿真，得到所述工艺条件下的仿真结果。通过机器学习方法，学习高精度的第一性原理计算数据，生成机器学习力场，模拟碳化硅在离子注入过程中发生的相互作用，从而对离子注入工艺进行仿真，实现高精度和高效的仿真计算，进而综合考虑不同工艺条件对器件设计工艺的影响，开发特定的工艺菜单，为碳化硅离子注入提供优化方案。
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公开(公告)号：CN118782553A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411138636.2
申请日：2024-08-19
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , H01L21/52 , H01L21/56
Abstract: 本申请提供了一种功率模块及封装方法、功率模块组件、功率器件，该功率模块包括：半导体芯片，封装基板，在所述半导体芯片的顶部和底部分别焊接一个所述封装基板；散热基板，在所述封装基板的远离所述半导体芯片的一侧形成所述散热基板，所述散热基板上形成散热鳍；冷却壳体，覆盖所述顶部散热基板以及所述半导体芯片、封装基板和散热基板的侧面，所述冷却壳体内部成有连通所述功率模块左右两侧和顶部的冷却通道；密封件，包裹所述半导体芯片、封装基板、所述散热基板除去所述散热鳍的区域以及所述冷却壳体的外壁。该功率模块与内部具有冷却通道的冷却壳体封装在一起使得功率模块仅通过一片散热器即可实现双面散热。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119943178A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411961586.8
申请日：2024-12-30
Applicant: 复旦大学宁波研究院
Abstract: 本发明属于半导制备技术领域，具体为一种半导体薄膜外延生长的优化方法。本发明方法包括：使用有限元法对薄膜化学气相沉积过程进行仿真，得到外延层分布结果；将仿真结果与实验结果进行对比，验证仿真结果的准确性；使用支持向量机建立工艺参数与目标函数之间的关系；使用多目标优化算法对外延生长过程进行优化；其中，工艺参数为生长温度，腔室压强和反应气体总流量；目标函数为外延层生长速率和外延层的变异系数；变异系数等于外延层厚度的标准差与厚度的平均值的比值；多目标优化算法包括多目标粒子群算法和非支配排序遗传算法。本发明可减少实验次数、提高生长效率、降低生产成本。
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公开(公告)号：CN118650509B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410822201.3
申请日：2024-06-24
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: B24B7/22 , B24B41/047 , B24B55/00 , B24B49/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体研磨主轴及半导体研磨设备，包括：支撑基座；主轴本体，通过磁浮装置支撑于所述支撑基座上，所述主轴本体的一端用于设置研磨盘，且所述磁浮装置至少包括轴向磁浮组件和径向磁浮组件，所述轴向磁浮组件用于为所述主轴本体提供轴向上的支撑力，所述径向磁浮组件用于为所述主轴本体提供径向上的支撑力。本发明在主轴本体和支撑基座之间构建磁场产生相互作用力，以使得主轴本体处于悬浮状态，形成没有机械接触式的转动支撑，因此摩擦损耗较小，而且因没有摩擦，避免了因磨损导致精度降低的问题，而且不需要气体作为润滑剂，因此可避免通入气体带来的污染问题。
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公开(公告)号：CN119545851A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411720930.4
申请日：2024-11-27
Applicant: 复旦大学宁波研究院
Abstract: 本申请提供了一种具有辅沟槽栅极的半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：外延层，具有相对的第一表面和第二表面；位于所述第一表面内的多个主沟槽栅极，所述主沟槽栅极在第一方向依次间隔设置；相邻两个所述主沟槽栅极之间的所述第一表面内，具有多个依次排布的辅沟槽栅极；所述辅沟槽栅极的深度小于所述主沟槽栅极的深度。在相邻的主沟槽栅极之间设置辅沟槽栅极，提高了沟道的密度的同时，降低了相邻两个沟槽栅极之间的距离加强对沟槽栅极的控制，提高了等效载流子迁移率以及反型载流子浓度，进而降低了沟道电阻。
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公开(公告)号：CN117317258A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311156772.X
申请日：2023-09-08
Applicant: 复旦大学宁波研究院
Abstract: 本发明属于电催化剂技术领域，具体为一种嵌入式介孔异质催化剂TiOxNy⊂g‑C3N4及其制备方法。本发明制备方法包括：将含有g‑C3N4粉末与十六烷基三甲基溴化铵的去离子水溶液，混合并超声至均匀，再将含有二水合乙酸锌与异丙氧基钛的乙酸溶液加入前述溶液中，加热静置，得透明溶胶；在烘箱中加热除去多余乙酸；然后转移至坩埚，于马弗炉中以不同升温速率升至一定温度并保持数个小时，制得嵌入式异质结构催化剂TiOxNy⊂g‑C3N4。本发明制备方法简单易行，重复性好，制备的产物比表面积高，氧还原活性高，产物性质稳定，可用作燃料电池的阴极催化剂。
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公开(公告)号：CN117150726A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310934021.X
申请日：2023-07-28
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G06F30/20 , G06F30/27 , G06F111/10 , G06F113/08 , G06F119/08
Abstract: 本发明属于半导制备技术领域，具体为一种半导体薄膜生长反应腔流场和温度场的优化方法。本发明方法包括：利用仿真模拟得到反应腔内的流场与温度场的分布；利用支持向量机建立设计变量与目标函数之间的关系；利用多目标粒子群优化算法对反应器进行优化；在流场中，设计变量为反应腔中反应气体分布即反应腔中各进气口的配气比、进气口的直径和位置，目标函数为流场速度的相对标准偏差；在温度场中，设计变量为加热线圈的位置、螺距以及石墨柱的宽度；目标函数为温度场平均温度和温度的标准差。本发明可提高反应腔内的流场均匀性，以及反应腔的加热效率和其内部的温度均匀性。
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