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公开(公告)号：CN119545851A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411720930.4
申请日：2024-11-27
Applicant: 复旦大学宁波研究院
Abstract: 本申请提供了一种具有辅沟槽栅极的半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：外延层，具有相对的第一表面和第二表面；位于所述第一表面内的多个主沟槽栅极，所述主沟槽栅极在第一方向依次间隔设置；相邻两个所述主沟槽栅极之间的所述第一表面内，具有多个依次排布的辅沟槽栅极；所述辅沟槽栅极的深度小于所述主沟槽栅极的深度。在相邻的主沟槽栅极之间设置辅沟槽栅极，提高了沟道的密度的同时，降低了相邻两个沟槽栅极之间的距离加强对沟槽栅极的控制，提高了等效载流子迁移率以及反型载流子浓度，进而降低了沟道电阻。
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公开(公告)号：CN117317258A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311156772.X
申请日：2023-09-08
Applicant: 复旦大学宁波研究院
Abstract: 本发明属于电催化剂技术领域，具体为一种嵌入式介孔异质催化剂TiOxNy⊂g‑C3N4及其制备方法。本发明制备方法包括：将含有g‑C3N4粉末与十六烷基三甲基溴化铵的去离子水溶液，混合并超声至均匀，再将含有二水合乙酸锌与异丙氧基钛的乙酸溶液加入前述溶液中，加热静置，得透明溶胶；在烘箱中加热除去多余乙酸；然后转移至坩埚，于马弗炉中以不同升温速率升至一定温度并保持数个小时，制得嵌入式异质结构催化剂TiOxNy⊂g‑C3N4。本发明制备方法简单易行，重复性好，制备的产物比表面积高，氧还原活性高，产物性质稳定，可用作燃料电池的阴极催化剂。
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公开(公告)号：CN119486194A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411718788.X
申请日：2024-11-27
Applicant: 复旦大学宁波研究院
Abstract: 本申请提供了一种具有周期性变化沟槽栅极的半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；设置在所述第一表面内的多个沟槽栅极，所述沟槽栅极在第一方向依次间隔设置，相邻所述沟槽栅极之间的所述第一表面内具有源区；位于所述第一表面上的源极，所述源极与所述源区电连接，且与所述沟槽栅极之间绝缘；其中，在第二方向上，所述沟槽栅极包括依次交替设置的第一区域和第二区域，所述第一区域的深度大于所述第二区域的深度；所述第一方向与所述第二方向均平行于所述第一表面，且二者垂直；所述第二方向为所述沟槽栅极的延伸方向。
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公开(公告)号：CN117727784A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311669879.4
申请日：2023-12-04
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种具有自适应浮动电位的SiC沟槽结构；沟槽内分割为上下两个电极：上电极接栅极电位，下电极接生成的内部电位；两个电极中间使用厚氧化层间隔，两个电极共同的外部，即沟槽的侧壁及底部则为薄氧化层；本发明还包含生成内部电位的生成结构，包括漏极电位的读取部分和电位比较部分，漏极电位的读取部分随着漏压的变化生成一个低于漏压但高于源极电位的电压，电位比较部分比较计算漏极电位的读取部分生成的电压与栅极电位，随着生成的电压与栅极电位的动态变化过程，使下电极的电位跟随高电位。本发明的沟槽结构避免了传统SiC沟槽MOSFET结构的槽底保护引入的JFET效应，并引入积累效应，从而降低了器件的导通电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118655163B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410880649.0
申请日：2024-07-02
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G01N23/207 , G01L1/25 , G01L5/00
Abstract: 一种碳化硅缺陷密度的无损测量方法，包括以下步骤：对待测碳化硅样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得待测碳化硅样品半高宽；对标准样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得标准样品半高宽；按照缺陷密度计算公式计算，得到碳化硅缺陷密度；所述缺陷密度计算公式为：位错密度＝(待测碳化硅样品半高宽‑标准样品半高宽)2/(4.35×b2)×10‑4；其中，b为缺陷的伯氏矢量。本发明在充分研究碳化硅缺陷密度及残余应力和摇摆曲线的关系的基础上，通过测量摇摆曲线的半高宽，可以无损测量碳化硅的缺陷密度，进一步通过摇摆曲线的峰位可以计算残余应力，从而在不损伤衬底材料的基础上，能够实现碳化硅缺陷密度的快速、准确测量，效率高且成本低。
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公开(公告)号：CN118655163A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410880649.0
申请日：2024-07-02
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G01N23/207 , G01L1/25 , G01L5/00
Abstract: 一种碳化硅缺陷密度的无损测量方法，包括以下步骤：对待测碳化硅样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得待测碳化硅样品半高宽；对标准样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得标准样品半高宽；按照缺陷密度计算公式计算，得到碳化硅缺陷密度；所述缺陷密度计算公式为：位错密度＝(待测碳化硅样品半高宽‑标准样品半高宽)2/(4.35×b2)×10‑4；其中，b为缺陷的伯氏矢量。本发明在充分研究碳化硅缺陷密度及残余应力和摇摆曲线的关系的基础上，通过测量摇摆曲线的半高宽，可以无损测量碳化硅的缺陷密度，进一步通过摇摆曲线的峰位可以计算残余应力，从而在不损伤衬底材料的基础上，能够实现碳化硅缺陷密度的快速、准确测量，效率高且成本低。
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公开(公告)号：CN118821598A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410853783.1
申请日：2024-06-28
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G06F30/27 , H01L21/265 , G06N20/10 , G06N3/096 , G06F18/21
Abstract: 本发明属于碳化硅功率器件制程技术领域，具体为一种基于机器学习的碳化硅功率器件离子注入优化方法。本发明方法包括获取历史碳化硅功率器件离子注入工艺数据，制作离子注入工艺优化样本数据集；并将样本数据集划分为训练集A1、训练集A2和测试集；利用训练集A1训练SVM预测模型，得到初始SVM预测模型；根据训练集A2，利用基于网络的迁移学习的方法对初始的SVM预测模型进行训练和验证，得到训练好的SVM预测模型；利用训练好的SVM预测模型对所述测试集进行测试。本发明能够提高工艺优化的速率及准确性，同时降低成本，减少废品率；能够高效适应各种不同的离子注入工艺条件与对应工艺结果的动态变化。
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公开(公告)号：CN117712120A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311676275.2
申请日：2023-12-07
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种用于SiC MOSFET的过渡区设计；其在栅极电位在芯片内部过渡区的位置设置了电位缓冲结构，电位缓冲结构采用包括不同温度系数的半导体电阻R1和电阻R2的串联分压结构。其中，电阻R1和电阻R2之和对应外部栅极电位，而之中R2电阻对应分压连接至有源区内部，形成内部栅极电位。外接接栅极电位在芯片内部不同的温度下具有不同的分压比，使得器件在极高温时具有较低的内部栅极电位，对有源区内部芯片实现短路保护。同时将其与SiC过渡区及栅走线区进行兼容设计，在不牺牲器件主要参数的前提下，提供了对芯片短路和静电放电ESD的保护能力。
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公开(公告)号：CN119783539A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411972348.7
申请日：2024-12-30
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G06F30/27 , G16C10/00 , G06F119/14
Abstract: 本申请提供一种基于机器学习和分子动力学的仿真方法及相关装置，应用于半导体制造领域，在接收工艺菜单后；针对工艺菜单中的每一个工艺条件，将工艺条件输入至力场预测模型，输出得到所述工艺条件下的机器学习力场；最后，依据所述工艺条件下的机器学习力场进行分子动力学仿真，得到所述工艺条件下的仿真结果。通过机器学习方法，学习高精度的第一性原理计算数据，生成机器学习力场，模拟碳化硅在离子注入过程中发生的相互作用，从而对离子注入工艺进行仿真，实现高精度和高效的仿真计算，进而综合考虑不同工艺条件对器件设计工艺的影响，开发特定的工艺菜单，为碳化硅离子注入提供优化方案。
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