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公开(公告)号：CN112853319A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110025235.6
申请日：2021-01-08
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/44
Abstract: 本发明属于半导体器件制备技术领域，具体为一种在ZnO纳米线表面低温外延生长高质量GaN薄膜的方法。本发明采用等离子体增强原子层沉积技术，利用等离子增强原子层沉积能够大大降低生长温度的优势，使用前驱体三甲基镓作为镓源，氨气作为氮源；通过调节等离子体功率和前驱体脉冲时间工艺参数，实现高质量GaN薄膜的可控生长。本发明方法成功实现了GaN薄膜的低温异质外延生长，结晶性好，具有与ZnO纳米线完美匹配的晶向，且外延层厚度可原子层级精确调控。在功率器件、微电子、晶体管、传感器、光电探测、光电催化和能源等领域将发挥重要的科学价值，具有广泛应用前景。
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