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公开(公告)号：CN117317258A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311156772.X
申请日：2023-09-08
Applicant: 复旦大学宁波研究院
Abstract: 本发明属于电催化剂技术领域，具体为一种嵌入式介孔异质催化剂TiOxNy⊂g‑C3N4及其制备方法。本发明制备方法包括：将含有g‑C3N4粉末与十六烷基三甲基溴化铵的去离子水溶液，混合并超声至均匀，再将含有二水合乙酸锌与异丙氧基钛的乙酸溶液加入前述溶液中，加热静置，得透明溶胶；在烘箱中加热除去多余乙酸；然后转移至坩埚，于马弗炉中以不同升温速率升至一定温度并保持数个小时，制得嵌入式异质结构催化剂TiOxNy⊂g‑C3N4。本发明制备方法简单易行，重复性好，制备的产物比表面积高，氧还原活性高，产物性质稳定，可用作燃料电池的阴极催化剂。
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公开(公告)号：CN119783539A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411972348.7
申请日：2024-12-30
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G06F30/27 , G16C10/00 , G06F119/14
Abstract: 本申请提供一种基于机器学习和分子动力学的仿真方法及相关装置，应用于半导体制造领域，在接收工艺菜单后；针对工艺菜单中的每一个工艺条件，将工艺条件输入至力场预测模型，输出得到所述工艺条件下的机器学习力场；最后，依据所述工艺条件下的机器学习力场进行分子动力学仿真，得到所述工艺条件下的仿真结果。通过机器学习方法，学习高精度的第一性原理计算数据，生成机器学习力场，模拟碳化硅在离子注入过程中发生的相互作用，从而对离子注入工艺进行仿真，实现高精度和高效的仿真计算，进而综合考虑不同工艺条件对器件设计工艺的影响，开发特定的工艺菜单，为碳化硅离子注入提供优化方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118655163B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410880649.0
申请日：2024-07-02
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G01N23/207 , G01L1/25 , G01L5/00
Abstract: 一种碳化硅缺陷密度的无损测量方法，包括以下步骤：对待测碳化硅样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得待测碳化硅样品半高宽；对标准样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得标准样品半高宽；按照缺陷密度计算公式计算，得到碳化硅缺陷密度；所述缺陷密度计算公式为：位错密度＝(待测碳化硅样品半高宽‑标准样品半高宽)2/(4.35×b2)×10‑4；其中，b为缺陷的伯氏矢量。本发明在充分研究碳化硅缺陷密度及残余应力和摇摆曲线的关系的基础上，通过测量摇摆曲线的半高宽，可以无损测量碳化硅的缺陷密度，进一步通过摇摆曲线的峰位可以计算残余应力，从而在不损伤衬底材料的基础上，能够实现碳化硅缺陷密度的快速、准确测量，效率高且成本低。
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公开(公告)号：CN118655163A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410880649.0
申请日：2024-07-02
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G01N23/207 , G01L1/25 , G01L5/00
Abstract: 一种碳化硅缺陷密度的无损测量方法，包括以下步骤：对待测碳化硅样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得待测碳化硅样品半高宽；对标准样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得标准样品半高宽；按照缺陷密度计算公式计算，得到碳化硅缺陷密度；所述缺陷密度计算公式为：位错密度＝(待测碳化硅样品半高宽‑标准样品半高宽)2/(4.35×b2)×10‑4；其中，b为缺陷的伯氏矢量。本发明在充分研究碳化硅缺陷密度及残余应力和摇摆曲线的关系的基础上，通过测量摇摆曲线的半高宽，可以无损测量碳化硅的缺陷密度，进一步通过摇摆曲线的峰位可以计算残余应力，从而在不损伤衬底材料的基础上，能够实现碳化硅缺陷密度的快速、准确测量，效率高且成本低。
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公开(公告)号：CN119418786A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411398962.7
申请日：2024-10-09
Applicant: 复旦大学宁波研究院
Abstract: 本发明提供了一种基于分子动力学方法预测离子注入4H‑SiC过程中晶体缺陷率和应力的方法，包括1）建立离子注入4H‑SiC理论模型，得到结构的data文件；2）构建包含模拟参数和势函数的输入文件，即input文件；3）采用分子动力学方法进行离子注入模拟，并输出原子坐标和应力数据；4）根据原子轨迹绘制缺陷率随注入剂量的变化曲线；5）由应力数据计算不同注入剂量下各原子的时间平均的原子应力，导出应力分布图。本发明对离子注入4H‑SiC表面的过程进行分子动力学模拟，能够预测离子注入4H‑SiC过程中晶体材料的缺陷和原子应力变化，进而得出离子注入下4H‑SiC晶体中缺陷和原子应力的演变机理，为离子注入条件的选择提供理论指导。
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公开(公告)号：CN118821598A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410853783.1
申请日：2024-06-28
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G06F30/27 , H01L21/265 , G06N20/10 , G06N3/096 , G06F18/21
Abstract: 本发明属于碳化硅功率器件制程技术领域，具体为一种基于机器学习的碳化硅功率器件离子注入优化方法。本发明方法包括获取历史碳化硅功率器件离子注入工艺数据，制作离子注入工艺优化样本数据集；并将样本数据集划分为训练集A1、训练集A2和测试集；利用训练集A1训练SVM预测模型，得到初始SVM预测模型；根据训练集A2，利用基于网络的迁移学习的方法对初始的SVM预测模型进行训练和验证，得到训练好的SVM预测模型；利用训练好的SVM预测模型对所述测试集进行测试。本发明能够提高工艺优化的速率及准确性，同时降低成本，减少废品率；能够高效适应各种不同的离子注入工艺条件与对应工艺结果的动态变化。
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公开(公告)号：CN118073215A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410027344.5
申请日：2024-01-09
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，具体为一种原位退火多功能测试系统。本发明系统包括石英管式炉、可动样品平台组件、光源、电子束发射枪、电子探测组件、退火气氛源组件、电子信号探测组件、真空泵和数据处理组件；管式炉外侧设置有加热套；管式炉腔体内设置有样品平台，用于放置待表征的样品和用于空白对照单质铂片；管式炉设置光入射口和电子束入射口以及电子探测的出射口，正对样平台上待测样品；退火气氛源组件提供退火气氛；真空泵对管式炉腔体抽真空，数据处理组件收集电子探测组件信号用于数据处理；本发明可在退火过程中实现原位监测，在样品退火的不同时间点对样品进行非破坏性观测和实验，保证样品退火时原位表征的可靠性。
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