公开(公告)号：CN118630093A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410661199.6

申请日：2024-05-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱颢 ,  张天一 ,  赵飞扬

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/768 ,  H01L21/683 ,  H01L27/144

Abstract: 本发明公开一种基于激光解键合的MoS2/Si异质结光电探测器与MOSFET三维集成方法及结构。该方法包括以下步骤：在Si衬底上形成MoS2/Si异质结光电探测器结构层；在SOI晶圆上制作MOSFET结构层；在MOSFET结构层表面形成层间介质层；在光电探测器表面形成粘附层与激光反应层，与支撑衬底直接键合，退火形成稳定的键合对；减薄Si衬底背面；将MOSFET结构层与MoS2/Si异质结光电探测器结构层直接键合，退火形成稳定的键合对；使用激光进行解键合，激光与激光反应层烧蚀反应，机械剥离支撑衬底；形成连接光电探测器结构层与MOSFET结构层的硅通孔；在硅通孔内填充Cu，去除粘附层表面的Cu，用去胶液洗去粘附层，完成MOSFET结构层与MoS2/Si异质结光电探测器结构层的三维集成。

公开(公告)号：CN116469929A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310492962.2

申请日：2023-05-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 祝心怡 ,  朱颢 ,  孙清清

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/34 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明公开一种神经突触仿生器件及其制备方法。该神经突触仿生器件包括：相互连接的写晶体管和读晶体管，所述写晶体管/读晶体管包括：背栅电极，形成在衬底中，上表面与衬底表面齐平；背栅介质层，覆盖所述衬底表面；异质氧化物薄膜叠层，形成在所述背栅介质层上，包括底层氧化物薄膜和顶层氧化物薄膜，底层氧化物薄膜与顶层氧化物薄膜界面间形成二维电子气沟道；源电极和漏电极，形成在所述异质氧化物薄膜叠层两侧，与二维电子气沟道相接触；顶栅电极，形成在所述异质氧化物薄膜叠层上；其中，写晶体管的漏电极与读晶体管的顶栅电极互连。

公开(公告)号：CN113363316B

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202110628040.0

申请日：2021-06-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱颢 ,  张凯 ,  杨雅芬 ,  孙清清

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/34 ,  H01L21/44

Abstract: 本发明公开一种二维负量子电容晶体管器件及其制备方法。该二维负量子电容晶体管器件包括：衬底；埋栅，形成在所述衬底中，其上表面与所述衬底上表面持平；第三代拓扑绝缘体层，形成在所述埋栅上，长度与所述埋栅相当；高K介质层，覆盖所述第三代拓扑绝缘体层；二维沟道层，形成在所述高K介质层上，且与所述第三代拓扑绝缘体层有共同区域；源电极和漏电极，分别形成在所述衬底上、所述二维沟道层两侧，并部分覆盖所述二维沟道层，且与所述埋栅无重叠，其中，所述拓扑绝缘体层提供负量子电容，从而使栅极总电容增大，降低亚阈值摆幅。

公开(公告)号：CN118629956A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410661156.8

申请日：2024-05-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱颢 ,  张天一

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/768 ,  H01L21/683 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明公开一种基于激光解键合的铌酸锂负电容晶体管及其三维集成方法。该方法包括以下步骤：在Si衬底上制备基于单晶LiNbO3薄膜的单层NCFET器件层；重复上述步骤，获得多个单层NCFET器件层；将第二层NCFET器件层与支撑衬底键合，对背面Si衬底减薄并处理，使其易于直接键合；将形成在支撑衬底的第二层NCFET器件层与第一层器件层直接键合，形成稳定的键合对；进行激光解键合剥离支撑衬底，清洗去除键合胶，完成两层NCFET器件层的堆叠；重复上述步骤，完成多层NCFET器件层的堆叠；形成顶层NCFET器件层的源漏电极及连接各层器件层源漏电极的硅通孔，完成三维集成。

公开(公告)号：CN118156294A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410381247.6

申请日：2024-04-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈欣汝 ,  徐航 ,  朱颢 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种逆导型IGBT结构及其制造方法。该逆导型IGBT结构自下而上包括集电极，彼此相接的N+集电极区和P+集电极区，N‑层，P型浮空层，N型场阻止层和N型漂移区；P型基区，形成在N型漂移区上部的一端；N阱区，形成在P型基区上部的部分区域；栅氧化层和氧化层，分别形成在N型漂移区上方的两端，使部分N阱区表面露出，形成欧姆接触孔；多晶硅层，形成在栅氧化层上；发射极，形成在氧化层上，并在欧姆接触孔处与N阱区相接触。

公开(公告)号：CN116469763A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310492965.6

申请日：2023-05-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱颢 ,  郭剑斌 ,  孙清清

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开一种具有自偏置pMOS的CSTBT及其制造方法。该具有自偏置pMOS的CSTBT自下而上依次包括金属集电极，P+集电区，N型场阻止层，N型漂移区，N型掺杂的载流子存储层和P阱区；沟槽栅和深槽发射极，贯穿P阱区和N型掺杂的载流子存储层，且深槽发射极形成在沟槽栅两侧；P型补偿层，分别形成在沟槽栅和深槽发射极的第一侧；P型埋层，分别形成在沟槽栅和深槽发射极的底部的外围区域；N+发射区和P+发射区，形成在P阱区上部，且位于沟槽栅和深槽发射极之间，P+发射区与P型补偿层相接；绝缘介质层，形成在沟槽栅和深槽发射极上方；金属发射极，覆盖绝缘介质层，N+发射区和P+发射区。有效解决了传统CSTBT的击穿电压小、导通功耗大、开关断损耗过高等问题。

公开(公告)号：CN116110990A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211628020.4

申请日：2022-12-16

Applicant: 复旦大学 ,  湖北江城实验室

Inventor： 徐航 ,  杨雅芬 ,  朱颢 ,  张卫

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/107 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开一种基于SOI结构的雪崩光电二极管器件及其制备方法。该基于SOI结构的雪崩光电二极管器件包括：SOI衬底，其包括背衬底、埋氧化层和顶层硅；在顶层硅中形成有P‑区，在P‑区上部的一侧形成P+区，在P‑区上部的另一侧形成有N+区，以及邻接N+区且位于P+区和N+区间的P区；源极和漏极，分别形成在顶层硅的P+区和N+区上方，并与之相接触；氧化层，覆盖除源极和漏极外的顶层硅表面。通过在N+区附近增加了浅p阱区，消除了由曲率效应引起的边缘击穿现象，同时保证了侧向PN+结发生雪崩倍增，实现了吸收区和倍增区分离。

公开(公告)号：CN113774356A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111078973.3

申请日：2021-09-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱颢 ,  顾正豪 ,  陈琳 ,  孙清清

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明公开一种晶圆级二维材料生长方法。以五氯化钼和六甲基二硅硫烷作为反应前驱体，通过控制原子层沉积工艺参数，使衬底交替暴露在五氯化钼和六甲基二硅硫烷的气体脉冲下，气体在衬底表面吸附并进行化学反应形成厚度精确可控的晶圆级MoS2薄膜；之后进行退火处理。本方法可以实现4英寸晶圆级大面积二硫化钼生长，并且基于此薄膜制备的器件开关比达到106，载流子迁移率为10cm2V‑1s‑1以上。

公开(公告)号：CN113363317A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110628051.9

申请日：2021-06-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱颢 ,  杨雅芬 ,  张凯 ,  孙清清

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/34 ,  H01L21/44

Abstract: 本发明公开一种负量子电容器件及其制备方法。该负量子电容器件包括：衬底；埋栅，形成在所述衬底中，其上表面与所述衬底上表面持平；高K介质层/石墨烯层/高K介质层叠层，形成在所述埋栅上，其中，石墨烯层封装在两层高K介质层之间，位于所述埋栅上方，其长度与所述埋栅长度相当，小于所述高K介质层的长度；二维材料层，形成在所述高K介质层上作为沟道；源电极和漏电极，分别形成在所述衬底上、所述二维材料层两侧，并部分覆盖所述二维材料层，且与埋栅无重叠。石墨烯层提供负量子电容，使器件内部总电容放大，能够有效降低亚阈值摆幅，提高器件的开关速度。

公开(公告)号：CN118646386A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410661162.3

申请日：2024-05-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱颢 ,  张天一 ,  黄斌

IPC: H03H3/08 ,  H10N30/072

Abstract: 本申请公开一种基于激光解键合的铌酸锂薄膜SAW器件制备方法。该方法包括以下步骤：对LiNbO3晶圆进行He+离子注入，在晶圆内形成多孔气泡层，将晶圆分隔为上层LiNbO3薄膜和下层LiNbO3晶圆；将LiNbO3晶圆与支撑衬底键合；进行热退火处理，使得多孔气泡层从LiNbO3晶圆剥离，从而在支撑衬底上形成LiNbO3薄膜；对LiNbO3薄膜进行减薄处理；进行热退火处理，将形成有SiO2薄膜的Si衬底与上述形成在支撑衬底表面的LiNbO3薄膜直接键合，并退火形成稳定的键合对；使用激光进行解键合，使LiNbO3薄膜转移到Si衬底上；在LiNbO3薄膜表面形成叉指换能器。