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公开(公告)号：CN118630093A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410661199.6
申请日：2024-05-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/768 , H01L21/683 , H01L27/144
Abstract: 本发明公开一种基于激光解键合的MoS2/Si异质结光电探测器与MOSFET三维集成方法及结构。该方法包括以下步骤：在Si衬底上形成MoS2/Si异质结光电探测器结构层；在SOI晶圆上制作MOSFET结构层；在MOSFET结构层表面形成层间介质层；在光电探测器表面形成粘附层与激光反应层，与支撑衬底直接键合，退火形成稳定的键合对；减薄Si衬底背面；将MOSFET结构层与MoS2/Si异质结光电探测器结构层直接键合，退火形成稳定的键合对；使用激光进行解键合，激光与激光反应层烧蚀反应，机械剥离支撑衬底；形成连接光电探测器结构层与MOSFET结构层的硅通孔；在硅通孔内填充Cu，去除粘附层表面的Cu，用去胶液洗去粘附层，完成MOSFET结构层与MoS2/Si异质结光电探测器结构层的三维集成。
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