公开(公告)号：CN118335785A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410381249.5

申请日：2024-04-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈欣汝 ,  徐航 ,  朱颢 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种逆导型IGBT结构及其制造方法。该逆导型IGBT结构自下而上包括集电极，彼此相接的N+集电极区和P+集电极区，N‑层，P型浮空层，N型场阻止层和N型漂移区；P型基区，形成在N型漂移区上部的一侧；N阱区，形成在P型基区上部的部分区域；栅氧化层和氧化层，分别形成在N型漂移区上方的两侧，使部分N阱区表面露出，形成欧姆接触孔；多晶硅层，形成在栅氧化层上；发射极，形成在氧化层上，并在欧姆接触孔处与N阱区相接触。

公开(公告)号：CN118156294A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410381247.6

申请日：2024-04-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈欣汝 ,  徐航 ,  朱颢 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种逆导型IGBT结构及其制造方法。该逆导型IGBT结构自下而上包括集电极，彼此相接的N+集电极区和P+集电极区，N‑层，P型浮空层，N型场阻止层和N型漂移区；P型基区，形成在N型漂移区上部的一端；N阱区，形成在P型基区上部的部分区域；栅氧化层和氧化层，分别形成在N型漂移区上方的两端，使部分N阱区表面露出，形成欧姆接触孔；多晶硅层，形成在栅氧化层上；发射极，形成在氧化层上，并在欧姆接触孔处与N阱区相接触。