公开(公告)号：CN118646386A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410661162.3

申请日：2024-05-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱颢 ,  张天一 ,  黄斌

IPC: H03H3/08 ,  H10N30/072

Abstract: 本申请公开一种基于激光解键合的铌酸锂薄膜SAW器件制备方法。该方法包括以下步骤：对LiNbO3晶圆进行He+离子注入，在晶圆内形成多孔气泡层，将晶圆分隔为上层LiNbO3薄膜和下层LiNbO3晶圆；将LiNbO3晶圆与支撑衬底键合；进行热退火处理，使得多孔气泡层从LiNbO3晶圆剥离，从而在支撑衬底上形成LiNbO3薄膜；对LiNbO3薄膜进行减薄处理；进行热退火处理，将形成有SiO2薄膜的Si衬底与上述形成在支撑衬底表面的LiNbO3薄膜直接键合，并退火形成稳定的键合对；使用激光进行解键合，使LiNbO3薄膜转移到Si衬底上；在LiNbO3薄膜表面形成叉指换能器。

公开(公告)号：CN118630093A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410661199.6

申请日：2024-05-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱颢 ,  张天一 ,  赵飞扬

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/768 ,  H01L21/683 ,  H01L27/144

Abstract: 本发明公开一种基于激光解键合的MoS2/Si异质结光电探测器与MOSFET三维集成方法及结构。该方法包括以下步骤：在Si衬底上形成MoS2/Si异质结光电探测器结构层；在SOI晶圆上制作MOSFET结构层；在MOSFET结构层表面形成层间介质层；在光电探测器表面形成粘附层与激光反应层，与支撑衬底直接键合，退火形成稳定的键合对；减薄Si衬底背面；将MOSFET结构层与MoS2/Si异质结光电探测器结构层直接键合，退火形成稳定的键合对；使用激光进行解键合，激光与激光反应层烧蚀反应，机械剥离支撑衬底；形成连接光电探测器结构层与MOSFET结构层的硅通孔；在硅通孔内填充Cu，去除粘附层表面的Cu，用去胶液洗去粘附层，完成MOSFET结构层与MoS2/Si异质结光电探测器结构层的三维集成。

公开(公告)号：CN118629956A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410661156.8

申请日：2024-05-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱颢 ,  张天一

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/768 ,  H01L21/683 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明公开一种基于激光解键合的铌酸锂负电容晶体管及其三维集成方法。该方法包括以下步骤：在Si衬底上制备基于单晶LiNbO3薄膜的单层NCFET器件层；重复上述步骤，获得多个单层NCFET器件层；将第二层NCFET器件层与支撑衬底键合，对背面Si衬底减薄并处理，使其易于直接键合；将形成在支撑衬底的第二层NCFET器件层与第一层器件层直接键合，形成稳定的键合对；进行激光解键合剥离支撑衬底，清洗去除键合胶，完成两层NCFET器件层的堆叠；重复上述步骤，完成多层NCFET器件层的堆叠；形成顶层NCFET器件层的源漏电极及连接各层器件层源漏电极的硅通孔，完成三维集成。

公开(公告)号：CN118631200A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410661160.4

申请日：2024-05-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱颢 ,  张天一 ,  黄斌

IPC: H03H3/02 ,  H10N30/072 ,  H10N30/853

Abstract: 本发明公开一种基于激光解键合的钽酸锂薄膜SMR器件制备方法。包括以下步骤：在LiTaO3晶圆内形成多孔气泡层，将LiTaO3晶圆与支撑衬底键合；退火使多孔气泡层断裂，从LiTaO3晶圆剥离，在支撑衬底上形成LiTaO3薄膜；对LiTaO3薄膜进行减薄处理；将第一Si衬底与上述形成在支撑衬底表面的LiTaO3薄膜直接键合；利用激光解键合技术，将LiTaO3薄膜转移至第一Si衬底；在形成有LiTaO3薄膜的第一Si衬底内形成多孔气泡层；在LiTaO3薄膜上淀积下电极和布拉格反射层；将第二Si衬底与上述形成在第一Si衬底表面的布拉格反射层直接键合；使得多孔气泡层从第一Si衬底剥离，去除LiTaO3薄膜表面的Si层，使得LiTaO3薄膜/下电极/布拉格反射层叠层转移至第二Si衬底；在LiTaO3薄膜上形成上电极。