公开(公告)号：CN114068757B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202111215134.1

申请日：2021-10-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  陈丁波

IPC: H01L31/153 ,  H01L31/18 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明公开了一种基于氮化镓微型发光二极管和光电三极管的单片集成器件及其制备方法。本发明在AlGaN/GaN异质结基板上通过选区外延生长制备微型发光二极管microLED，并与AlGaN/GaN界面的二维电子气原位形成电连接。本发明中，micro‑LED采用自下而上方法制备，从根本上消除了侧壁损伤，能够有效提高器件性能。同时，由于集成了microLED和紫外光电探测器，使得本发明的单片集成器件具有发射信号和接收信号的双重功能，可以作为光通信中的收发单元和光互连单元。

公开(公告)号：CN114744076B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202210279033.9

申请日：2022-03-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  陈丁波

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/109

Abstract: 本发明公开了一种基于氮化镓异质结薄膜的双极型光电二极管及其制备方法。氮化镓异质结薄膜的主体结构为SiN/GaN/AlyGa1‑yN/AlN/GaN。阴极与异质结界面的二维电子气形成欧姆接触，在SiN介电层上的半透明金属阳极与氮化镓异质结形成金属‑绝缘体‑半导体（MIS）结构。由于异质结薄膜中具有的对立的极化电场，这种基于氮化镓异质结的MIS光电二极管在不同能量的紫外光激发下可以产生不同方向的光电流。本发明的基于硅衬底上氮化镓异质结薄膜的双极型光电二极管工艺简单，性能稳定，能够与CMOS工艺兼容，可以作为未来多功能光电集成芯片及系统中的高性能光电探测单元。

公开(公告)号：CN114744076A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210279033.9

申请日：2022-03-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  陈丁波

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/109

Abstract: 本发明公开了一种基于氮化镓异质结薄膜的双极型光电二极管及其制备方法。氮化镓异质结薄膜的主体结构为SiN/GaN/AlyGa1‑yN/AlN/GaN。阴极与异质结界面的二维电子气形成欧姆接触，在SiN介电层上的半透明金属阳极与氮化镓异质结形成金属‑绝缘体‑半导体（MIS）结构。由于异质结薄膜中具有的对立的极化电场，这种基于氮化镓异质结的MIS光电二极管在不同能量的紫外光激发下可以产生不同方向的光电流。本发明的基于硅衬底上氮化镓异质结薄膜的双极型光电二极管工艺简单，性能稳定，能够与CMOS工艺兼容，可以作为未来多功能光电集成芯片及系统中的高性能光电探测单元。

公开(公告)号：CN112490287B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202011221337.7

申请日：2020-11-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  陈丁波 ,  张卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种具有双工作模式的氮化镓集成场效应晶体管及其制备方法。采用选区外延生长的方法，在AlGaN/GaN异质结侧壁生长p‑GaN形成p‑GaN/2DEG结。分别在p‑GaN和AlGaN/GaN异质结上制备p型和n型欧姆接触电极，在p‑GaN/2DEG结的AlGaN/GaN异质结一侧制备绝缘栅电极。本发明的GaN集成场效应晶体管同时具有增强型和耗尽型工作模式，同时采用基于AlGaN/GaN异质结的选区外延工艺避免制备互联金属，提高了集成器件的功能性，降低了集成器件的寄生效应，在高性能GaN功率器件和逻辑器件领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN114068757A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111215134.1

申请日：2021-10-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  陈丁波

IPC: H01L31/153 ,  H01L31/18 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明公开了一种基于氮化镓微型发光二极管和光电三极管的单片集成器件及其制备方法。本发明在AlGaN/GaN异质结基板上通过选区外延生长制备微型发光二极管microLED，并与AlGaN/GaN界面的二维电子气原位形成电连接。本发明中，micro‑LED采用自下而上方法制备，从根本上消除了侧壁损伤，能够有效提高器件性能。同时，由于集成了microLED和紫外光电探测器，使得本发明的单片集成器件具有发射信号和接收信号的双重功能，可以作为光通信中的收发单元和光互连单元。

公开(公告)号：CN112490287A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202011221337.7

申请日：2020-11-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  陈丁波 ,  张卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种具有双工作模式的氮化镓集成场效应晶体管及其制备方法。采用选区外延生长的方法，在AlGaN/GaN异质结侧壁生长p‑GaN形成p‑GaN/2DEG结。分别在p‑GaN和AlGaN/GaN异质结上制备p型和n型欧姆接触电极，在p‑GaN/2DEG结的AlGaN/GaN异质结一侧制备绝缘栅电极。本发明的GaN集成场效应晶体管同时具有增强型和耗尽型工作模式，同时采用基于AlGaN/GaN异质结的选区外延工艺避免制备互联金属，提高了集成器件的功能性，降低了集成器件的寄生效应，在高性能GaN功率器件和逻辑器件领域具有广泛的应用前景。