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公开(公告)号:CN112036563A
公开(公告)日:2020-12-04
申请号:CN202010493098.4
申请日:2020-06-03
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 提供了一种用于使用起源数据来生成深度学习模型洞察的方法、计算机系统和计算机程序产品。本发明的实施例可包括收集起源数据。本发明的实施例可包括基于所收集的起源数据来生成模型洞察。本发明的实施例可包括基于所生成的模型洞察来生成训练模型。本发明的实施例可包括减小训练模型尺寸。本发明的实施例可包括创建最终训练后模型。
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公开(公告)号:CN109478534A
公开(公告)日:2019-03-15
申请号:CN201780041377.3
申请日:2017-07-21
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 提供了具有形成为半导体器件的BEOL或MOL层的一部分的气隙隔离物的半导体器件,以及制造这种气隙隔离物的方法。例如,一种方法包括在基板上形成第一金属结构和第二金属结构,其中第一和第二金属结构彼此相邻设置,在第一和第二金属结构之间设置绝缘材料。蚀刻绝缘材料以在第一和第二金属结构之间形成空间。使用夹断沉积工艺在第一和第二金属结构上沉积一层介电材料,以在第一和第二金属结构之间的空间中形成气隙,其中气隙的一部分在第一金属结构和第二金属结构中的至少一个的上表面上方延伸。
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公开(公告)号:CN112036563B
公开(公告)日:2025-01-03
申请号:CN202010493098.4
申请日:2020-06-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06N3/09 , G06N20/00 , G06N3/088 , G06N3/0895 , G06N3/084
Abstract: 提供了一种用于使用起源数据来生成深度学习模型洞察的方法、计算机系统和计算机程序产品。本发明的实施例可包括收集起源数据。本发明的实施例可包括基于所收集的起源数据来生成模型洞察。本发明的实施例可包括基于所生成的模型洞察来生成训练模型。本发明的实施例可包括减小训练模型尺寸。本发明的实施例可包括创建最终训练后模型。
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