公开(公告)号：CN110892513B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201880026997.4

申请日：2018-04-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 鲍如强 ,  李忠贤 ,  徐铮 ,  毕振兴

IPC: H01L21/336

Abstract: 半导体器件及其形成方法包括在第一类型区域和第二类型区域中的底部源极/漏极层上形成垂直半导体沟道。栅极介电层形成在垂直半导体沟道的侧壁上。在第一类型区域中形成第一类功函数层。在第一类型区域和第二类型区域中形成第二类功函数层。在第二类型区域中形成厚度匹配层，使得第一类型区域中的层堆叠具有与第二类型区域中的层堆叠相同的厚度。顶部源极/漏极区域形成在垂直沟道的顶部部分上。

公开(公告)号：CN110235224B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201880008882.2

申请日：2018-01-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·梅赫塔 ,  B·普拉纳萨蒂哈伦 ,  毕振兴 ,  T·德瓦拉詹 ,  M·桑卡拉潘迪安

IPC: H01L21/28

Abstract: 一种垂直传输鳍场效应晶体管(VT FinFET)，包括衬底的表面上的一个或多个垂直鳍；在衬底上的L形或U形间隔槽，邻接所述一个或多个垂直鳍中的至少一个；和栅极介电层，位于所述一个或多个垂直鳍的至少一个和所述L形或U形间隔槽的侧壁上。

公开(公告)号：CN111954920A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201980008379.1

申请日：2019-01-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 刘其俊 ,  杨振荣 ,  R.H.K.赵 ,  毕振兴 ,  K.施密特 ,  Y.米格诺特

IPC: H01L21/02

Abstract: 提供了用于VFET栅极长度控制的技术。在一个方面，一种形成VFET器件的方法包括：在衬底中图案化鳍片；缘着所述鳍片的相对侧壁形成第一聚合物隔离物；通过所述第一聚合物隔离物形成与所述鳍片偏置的第二聚合物隔离物；去除对所述第二聚合物隔离物有选择性的所述第一聚合物隔离物；使所述第二聚合物隔离物回流以闭合与所述鳍片的间隙；在所述第二聚合物隔离物上方形成覆层；去除所述第二聚合物隔离物；沿着暴露于所述底部隔离物和所述覆层之间的所述鳍片的相对侧壁形成栅极，其中所述栅极具有通过去除所述第二聚合物隔离物而设定的栅极长度Lg；在所述覆层上方形成所述顶部隔离物；在所述顶部隔离物上方形成顶部源极和漏极。还提供了VFET器件。

公开(公告)号：CN110892513A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201880026997.4

申请日：2018-04-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 鲍如强 ,  李忠贤 ,  徐铮 ,  毕振兴

IPC: H01L21/336

Abstract: 半导体器件及其形成方法包括在第一类型区域和第二类型区域中的底部源极/漏极层上形成垂直半导体沟道。栅极介电层形成在垂直半导体沟道的侧壁上。在第一类型区域中形成第一类功函数层。在第一类型区域和第二类型区域中形成第二类功函数层。在第二类型区域中形成厚度匹配层，使得第一类型区域中的层堆叠具有与第二类型区域中的层堆叠相同的厚度。顶部源极/漏极区域形成在垂直沟道的顶部部分上。

公开(公告)号：CN110235224A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201880008882.2

申请日：2018-01-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·梅赫塔 ,  B·普拉纳萨蒂哈伦 ,  毕振兴 ,  T·德瓦拉詹 ,  M·桑卡拉潘迪安

IPC: H01L21/28

Abstract: 一种垂直传输鳍场效应晶体管(VT FinFET)，包括衬底的表面上的一个或多个垂直鳍；在衬底上的L形或U形间隔槽，邻接所述一个或多个垂直鳍中的至少一个；和栅极介电层，位于所述一个或多个垂直鳍的至少一个和所述L形或U形间隔槽的侧壁上。