公开(公告)号：CN108206158A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711026477.7

申请日：2017-10-27

Applicant: 格芯公司

Inventor： V·卡米奈尼 ,  J·凯利 ,  P·埃杜苏米利 ,  O·范德斯特拉滕 ,  B·普拉纳萨蒂哈伦

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L21/76883 ,  H01L21/76882 ,  H01L23/53209 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5384

Abstract: 本发明涉及钴填充金属化的器件和方法。提供了通过钴填充金属化制造集成电路器件的器件和方法。一种方法例如包括：提供具有至少一个沟槽的中间半导体器件；在所述器件上形成至少一个半导体材料层；在第二层上沉积第一钴(Co)层；以及对所述器件执行退火回流工艺。还提供了中间半导体器件。中间半导体器件例如包括：形成在所述器件内的至少一个沟槽，所述沟槽具有底部和侧壁；设置在所述器件上的至少一个半导体材料层；设置在所述至少一个半导体材料层上的第一钴(Co)层，其中所述至少一个半导体材料层至少包括第一半导体材料和第二半导体材料。