公开(公告)号：CN110892523B

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN201880047408.0

申请日：2018-07-16

Applicant: 国际商业机器公司 ,  格芯公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 范淑贞 ,  B·普拉纳萨蒂哈伦 ,  A·格林 ,  谢瑞龙 ,  M·V·雷蒙德 ,  S·连

IPC: H01L21/8238

Abstract: 提供了通过在形成触点之前形成栅极侧壁间隔物和栅极来形成自对准触点的技术。在一个方面，一种形成自对准触点的方法包括以下步骤：在衬底上形成多个栅极侧壁间隔物；将栅极侧壁间隔物埋入电介质中；通过从栅极侧壁间隔物之间的将要形成栅极的区域选择性地去除电介质来形成栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极；通过选择性地从栅极侧壁间隔物之间的将要形成自对准触点的区域去除电介质来形成触点沟槽；在触点沟槽中形成自对准触点。还提供了具有自对准触点的器件结构。

公开(公告)号：CN108206158A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711026477.7

申请日：2017-10-27

Applicant: 格芯公司

Inventor： V·卡米奈尼 ,  J·凯利 ,  P·埃杜苏米利 ,  O·范德斯特拉滕 ,  B·普拉纳萨蒂哈伦

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L21/76883 ,  H01L21/76882 ,  H01L23/53209 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5384

Abstract: 本发明涉及钴填充金属化的器件和方法。提供了通过钴填充金属化制造集成电路器件的器件和方法。一种方法例如包括：提供具有至少一个沟槽的中间半导体器件；在所述器件上形成至少一个半导体材料层；在第二层上沉积第一钴(Co)层；以及对所述器件执行退火回流工艺。还提供了中间半导体器件。中间半导体器件例如包括：形成在所述器件内的至少一个沟槽，所述沟槽具有底部和侧壁；设置在所述器件上的至少一个半导体材料层；设置在所述至少一个半导体材料层上的第一钴(Co)层，其中所述至少一个半导体材料层至少包括第一半导体材料和第二半导体材料。

公开(公告)号：CN110892523A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201880047408.0

申请日：2018-07-16

Applicant: 国际商业机器公司 ,  格芯公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 范淑贞 ,  B·普拉纳萨蒂哈伦 ,  A·格林 ,  谢瑞龙 ,  M·V·雷蒙德 ,  S·连

IPC: H01L21/8238

Abstract: 提供了通过在形成触点之前形成栅极侧壁间隔物和栅极来形成自对准触点的技术。在一个方面，一种形成自对准触点的方法包括以下步骤：在衬底上形成多个栅极侧壁间隔物；将栅极侧壁间隔物埋入电介质中；通过从栅极侧壁间隔物之间的将要形成栅极的区域选择性地去除电介质来形成栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极；通过选择性地从栅极侧壁间隔物之间的将要形成自对准触点的区域去除电介质来形成触点沟槽；在触点沟槽中形成自对准触点。还提供了具有自对准触点的器件结构。