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公开(公告)号:CN105879716B
公开(公告)日:2019-06-04
申请号:CN201610086205.5
申请日:2016-02-15
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B01D69/10 , B01D61/145 , B01D61/147 , B01D67/0088 , B01D67/0095 , B01D69/02 , B01D69/12 , B01D2323/00 , B01D2325/14 , B01D2325/16 , B01D2325/20
Abstract: 本发明涉及用于过滤膜的具有星形聚合物的抗污渍涂料。具体而言,本发明涉及一种多孔膜,其具有大于约10kDa的分子量截留值(MWCO)以及在此多孔膜的至少一部分主表面上的涂层。所述涂层包含具有疏水性芯和亲水性臂的星形聚合物,其中疏水性芯与多孔膜接触。
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公开(公告)号:CN100546023C
公开(公告)日:2009-09-30
申请号:CN200710112558.9
申请日:2007-06-21
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/314 , H01L21/768 , C23C16/00
CPC classification number: H01L21/02112 , H01L21/02205 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/31604 , H01L21/318 , H01L21/3212 , H01L21/76807 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了致密硼基或磷基介质材料。具体地,本发明提供包括硼和碳,氮和氢中的至少一种的致密硼基介质材料和包括磷和氮的致密磷基介质材料。本发明还提供在ULSI后段制程(BEOL)互连结构中,包括致密硼基或磷基介质作为蚀刻停止,介质Cu覆盖材料,CMP停止层,和/或反应离子蚀刻掩模的电子结构。在本发明中还描述了形成发明的硼基或磷基介质的方法以及包括其的电子结构。
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公开(公告)号:CN1510420A
公开(公告)日:2004-07-07
申请号:CN200310118014.5
申请日:2003-11-20
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G01N33/543 , C12Q1/68
CPC classification number: G01N33/54393 , G01N33/54353
Abstract: 本发明描述了一系列能够用于制造生物分子排列的可光活化的表面结合的连接分子。具体地说,公开了一种组合物,它包括固体基质,一个末端连接到所述固体基质上并且至少一个其它末端含有醇官能团或羰基官能团的有机连接基团,和连接到醇官能团或羰基官能团上的选自缩醛和缩酮的对酸不稳定的保护基团。本发明还描述了一种组合物,它包括固体基质,一个末端结合到固体基质上并且至少一个其它末端含有醛基团的有机连接基团。本发明还提供了一种组合物,它包括固体基质,和至少一种结合到固体基质上的光致酸生成剂或光敏剂。
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公开(公告)号:CN105879716A
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201610086205.5
申请日:2016-02-15
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B01D69/10 , B01D61/145 , B01D61/147 , B01D67/0088 , B01D67/0095 , B01D69/02 , B01D69/12 , B01D2323/00 , B01D2325/14 , B01D2325/16 , B01D2325/20 , B01D71/68 , B01D71/34 , B01D2323/04 , B01D2323/26 , B01D2325/38 , C09D5/1668
Abstract: 本发明涉及用于过滤膜的具有星形聚合物的抗污渍涂料。具体而言,本发明涉及一种多孔膜,其具有大于约10kDa的分子量截留值(MWCO)以及在此多孔膜的至少一部分主表面上的涂层。所述涂层包含具有疏水性芯和亲水性臂的星形聚合物,其中疏水性芯与多孔膜接触。
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公开(公告)号:CN103501769A
公开(公告)日:2014-01-08
申请号:CN201280013749.9
申请日:2012-03-19
Applicant: 国际商业机器公司 , 圣何塞州立大学研究基金会
CPC classification number: A61K47/48176 , A61K9/5115 , A61K9/5138 , A61K9/5192 , A61K47/58 , A61K47/6929 , A61K49/0036 , A61K49/0054 , A61K49/0065 , A61K49/0093 , A61K49/0097 , A61K49/0423 , A61K49/1818 , B01J13/02 , B82Y5/00 , B82Y30/00 , C09B47/00 , C09B67/0005 , C09B67/0032 , C09B67/0097 , C09B68/444 , C09B68/446 , G01N33/587 , Y10T428/249953 , Y10T428/2993 , Y10T428/2998
Abstract: 公开了纳米壳,其包含星形聚合物包藏配合物和壳,所述星形聚合物包藏配合物包含:i)具有共价连接在6个或更多独立聚合物臂上的交联核心的两亲单分子星形聚合物和ii)包藏在星形聚合物中的货物材料;所述壳包含与星形聚合物包藏配合物的外表面接触的无机材料。
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公开(公告)号:CN101269791B
公开(公告)日:2010-11-24
申请号:CN200810083086.3
申请日:2008-03-21
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B29D22/00 , B33Y10/00 , B33Y80/00 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y30/00 , C08L53/00 , G03F7/0002 , Y10S977/70 , Y10S977/701 , Y10S977/712 , Y10S977/788 , Y10S977/932 , Y10T428/1393 , Y10T428/24132 , Y10T428/249921 , C08L2666/02 , C08L2666/24
Abstract: 公开了一种形成纳米结构的方法和纳米结构。提供第一嵌段共聚物。提供具有高能中性表面层的衬底,该表面层具有至少一个整体布置在其上的沟槽,该沟槽具有侧壁。在沟槽内部形成第一嵌段共聚物的第一膜。组装第一嵌段共聚物的成线微畴,并且在第一膜内形成第一自组装结构,该第一自组装结构与侧壁垂直而与表面层平行。从第一膜中去除至少一个微畴,使得取向结构保留在沟槽中,其中该取向结构垂直于侧壁而与表面层平行。提供第二嵌段共聚物。在沟槽内形成第二嵌段共聚物的第二膜。组装第二嵌段共聚物的成线微畴,并在第二膜内形成第二自组装结构,第二自组装结构的取向为垂直于取向结构而与侧壁平行。
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公开(公告)号:CN1238559A
公开(公告)日:1999-12-15
申请号:CN98126215.5
申请日:1998-12-29
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L21/563 , H01L23/293 , H01L2224/16225 , H01L2224/73203 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/09701 , H01L2224/0401
Abstract: 包括芯片、基体、跨芯片和基体形成芯片和基体间电导连接的至少一个焊剂连结以及在焊剂连结周围形成的封装材料的封装电路装置,其中的封装材料包括由环状低聚物经开环聚合形成的热塑性聚合物。
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公开(公告)号:CN106104849A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201580012066.5
申请日:2015-01-30
IPC: H01M2/14
Abstract: 一种装置,包括如下隔膜:(i)不渗透氧,并且(ii)不溶于至少一种极性溶剂;以及隔膜中的离子传导颗粒。颗粒中的至少一些从隔膜的第一侧延伸到隔膜的相对的第二侧。隔膜的厚度是15μm到100μm。
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公开(公告)号:CN101384644A
公开(公告)日:2009-03-11
申请号:CN200780006026.5
申请日:2007-02-20
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: J·L·海德里克 , J·E·弗洛莫 , J·温德恩 , U·杜里格 , V·Y-W·李 , B·高茨曼 , R·D·米勒 , E·海格博格 , T·麦格比唐 , A·诺尔 , R·C·普莱特 , C·韦德
CPC classification number: G11B9/149 , B82Y10/00 , C08G73/101 , C08G73/1046 , C08G73/105 , C08G73/1053 , C08G73/1064 , G11B9/1409 , G11B9/1454 , G11B11/007 , G11B2005/0021 , Y10T428/265 , Y10T428/31721
Abstract: 本发明涉及一种用于纳米级热机械存储设备的聚合物层。交联的聚酰亚胺低聚物用作原子力数据存储设备中的记录层,与现有技术的交联和线型聚合物相比具有显著改进的性能。聚酰亚胺低聚物的交联可以被调节成匹配在读-写-删除循环中所需的热和力参数。另外,交联的聚酰亚胺低聚物适用于纳米级成像中。
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