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公开(公告)号：CN101952707B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200980105981.3
申请日：2009-02-18
Applicant: 精工电子有限公司
CPC classification number: G11B9/1409 , G01Q60/22 , G11B7/1387 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供一种尖顶型探头制造方法，其能够容易且高效率地制造出尖顶型探头。关于在由顶面和侧面构成的锥台的所述侧面上具有金属膜的尖顶型探头的制造方法，该尖顶型探头制造方法包括以下工序：将形状与所述顶面相似的蚀刻掩模形成在基板上的工序；通过以所述蚀刻掩模为掩模部件对所述基板进行各向同性蚀刻来形成所述锥台的工序；在所述顶面的面积小于所述蚀刻掩模的面积后停止所述各向同性蚀刻的工序；以及通过使成膜粒子蔓延到所述蚀刻掩模和所述侧面之间来形成所述金属膜的工序。
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公开(公告)号：CN101359493B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200810086943.5
申请日：2008-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B9/02
CPC classification number: G11B9/02 , B82Y10/00 , G11B9/1409
Abstract: 提供一种提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法。该存储设备包括：铁电记录介质；电场传感器，包括源区、漏区和电阻区，所述电阻区将源区电连接到漏区并具有电阻，所述电阻根据由铁电记录介质的电畴的极化电压引起的电场的强度而变化；电压施加单元，在源区和漏区之间施加电压；再现信号检测单元，包括至少一个负电阻器，所述至少一个负电阻器安装在将漏区连接到电压施加单元的电路中，用于检测漏区和所述至少一个负电阻器之间的电压的变化。
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公开(公告)号：CN101131837B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200710096092.8
申请日：2007-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/04 , B82Y10/00 , G11B9/1409 , G11B9/149
Abstract: 一种高密度数据存储装置以及利用该装置的数据记录或再现方法，所述装置和方法能够在无接触的情况下记录或再现高密度数据，从而防止由于接触而造成的数据错误。所述高密度数据存储装置使用记录介质和探针。记录介质是由相变材料或氧化物阻抗变化材料制成的的薄膜；探针具有成形在其下部的尖端，所述尖端在与所述记录介质顶部间隔开的情况下移动。而且，通过电场或热量辐射实现数据的记录或再现，所述电场和热量辐射在探针的顶端产生，记录介质和探针之间无直接接触，从而能够消除起因于在记录介质和探针之间的接触的不稳定性，也能够没有错误地稳定地实现向/从记录介质的数据记录或再现。
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公开(公告)号：CN1670850B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200410081830.8
申请日：2004-12-17
Applicant: 希捷科技有限公司
IPC: G11B9/00
CPC classification number: G11B11/16 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B11/08
Abstract: 一种用于接触探针存储装置等的读/写装置，具有设置有介质(108)的悬臂(100)，该介质相对于悬臂(100)可移动。将与悬臂和介质其中之一相关联的器件(114)设置为，响应于对介质和悬臂之间的电场变化，该电场变化是通过介质和悬臂之间距离的变化产生的。在悬臂上设置加热器(116)用于加热介质，并用于引起表示数据位的局部形态的变化。一个电路电互连该器件和该加热器。
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公开(公告)号：CN100372013C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN03154602.1
申请日：2003-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/08 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1472 , G11B9/149 , G11B11/08 , G11B13/06
Abstract: 本发明提供一种高密度数据存储介质及其制造方法，一种高密度存储装置及使用其写入、读取及擦除数据的方法。数据存储介质包括下电极，沉积在下电极上的绝缘层，沉积在绝缘层上并具有多个突出部(由于其和光子的碰撞而从其中发射光电子)的光电发射层，和沉积在光电发射层上并存储从光电发射层发射的光电子的电介质层。数据存储装置包括支撑数据存储介质的平台，驱动平台的扫描器，设置在数据存储介质上方并包括与数据存储介质形成电场的尖端的探针，和支撑设置在其一端的尖端以维持数据存储介质和尖端间预定距离的悬臂，把驱动信号、数据写入和擦除信号施加到扫描器和探针并检测数据读取信号的电路单元，把光照射到数据存储介质的光源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101023477A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200580027855.2
申请日：2005-06-17
Applicant: 惠普开发有限公司
CPC classification number: G11B9/1409 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/14 , G11B9/1427 , Y10S977/943
Abstract: 一种半导体存储器设备(30)，包括尖端电极(40，42，114)、介质电极(48)和存储介质(44)。该存储介质具有存储区域(46)，所述存储区域(46)可通过使电流(60)流过在尖端电极和介质电极之间的存储区域而被配置为处于多个结构状态之一，以用于表示在所述存储区域所存储的信息。
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公开(公告)号：CN1983447A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610090525.4
申请日：2006-06-28
Applicant: 英特尔公司
Inventor： 伊耶尔·巴-萨登 , T-K·亚伦·周 , 瓦卢里·拉奥 , 克里舍纳默西·穆拉利
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/1409 , G11B9/1436 , G11C23/00
Abstract: 描述了一种方法。所述方法包括在第一晶片上构造寻扫探针(SSP)存储器件的微机电(MEMS)结构，并且在第二晶片上构造所述SSP存储器件的CMOS和存储介质组件。
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公开(公告)号：CN1981337A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200580019626.6
申请日：2005-06-14
Applicant: 日本先锋公司
IPC: G11B9/14
CPC classification number: G11B9/1436 , B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/1409
Abstract: 一种探针(100)，其具有：衬底(110)，该衬底具有面对介质(20)的表面；以及在该衬底中形成的点电极(120)，用于至少检测或改变该介质中的小区域的状态。该点电极当中的作为面对该介质的一侧上的边缘部分的顶端部分被布置在形成有该点电极的区域部分的周边中由该衬底的该表面形成的平面内。
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公开(公告)号：CN1784729A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200480011850.6
申请日：2004-04-27
IPC: G11B9/06
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/075 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B11/08
Abstract: 一种相变记录/重放头(1)，包括：探针(11)，其由记录/重放电极(11a)、布置在记录/重放电极(11a)的顶部上的绝缘层(13)和布置在绝缘层(13)上的电阻器(14)组成；以及返回电极(12)，其布置在探针(11)的周围。在记录时，将与记录数据相对应的电压施加到电阻器(14)，以便将相变记录介质从晶态变成非晶态。在重放时，对根据与晶态和非晶态的介电常数相对应的电容进行振荡的振荡器的FM调制频率进行解调，以由此以高SN比来重放数据。
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公开(公告)号：CN1629958A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410102018.9
申请日：2004-12-16
Applicant: 惠普开发有限公司
IPC: G11B9/00
CPC classification number: G11B9/14 , B82Y10/00 , G11B9/1409 , G11B11/08 , G11B11/16
Abstract: 一种接触探针储存装置或类似装置的读/写装置，包括：悬臂(100、200、300、400)和可相对所述悬臂移动的介质(108)；器件(114、214、314′、414)，与悬臂和介质其中之一相连接，并设计成可对介质和悬臂之间因介质和悬臂间距改变引起的电场变化作出反应；加热器(116、216、314′、416)，布置在悬臂上用来加热介质并引起代表数据单元的局部表面特征变化；和连接所述器件和加热器的电路(114A、B、C；214A、B、C；314A、B、C；414A、B、C)。
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