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公开(公告)号：CN102422223A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020875.8
申请日：2010-06-11
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: C08G2/06 , C08G2/14 , G01Q80/00 , G03F7/0002 , G03F7/0392 , G03F7/16 , G03F7/2049
Abstract: 本发明涉及在材料表面形成图像的方法。提供了其上具有聚合物膜的基材。聚合物是选择性反应活性聚合物(例如，热力学不稳定的)：其能够通过适当的激发而解聚。使用探针在膜上形成图像。在图案形成中，膜被局部激发来解聚聚合物链。因此，基本的主意是提供给聚合物材料以激发，其反过来同时分解，例如形成挥发性组分。例如，膜被热激发，以便断裂聚合物链中的一个分子键，其足以触发整个聚合物链的降解反应。
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公开(公告)号：CN101384644A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200780006026.5
申请日：2007-02-20
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： J·L·海德里克 , J·E·弗洛莫 , J·温德恩 , U·杜里格 , V·Y-W·李 , B·高茨曼 , R·D·米勒 , E·海格博格 , T·麦格比唐 , A·诺尔 , R·C·普莱特 , C·韦德
CPC classification number: G11B9/149 , B82Y10/00 , C08G73/101 , C08G73/1046 , C08G73/105 , C08G73/1053 , C08G73/1064 , G11B9/1409 , G11B9/1454 , G11B11/007 , G11B2005/0021 , Y10T428/265 , Y10T428/31721
Abstract: 本发明涉及一种用于纳米级热机械存储设备的聚合物层。交联的聚酰亚胺低聚物用作原子力数据存储设备中的记录层，与现有技术的交联和线型聚合物相比具有显著改进的性能。聚酰亚胺低聚物的交联可以被调节成匹配在读－写－删除循环中所需的热和力参数。另外，交联的聚酰亚胺低聚物适用于纳米级成像中。
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公开(公告)号：CN101384644B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200780006026.5
申请日：2007-02-20
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： J·L·海德里克 , J·E·弗洛莫 , J·温德恩 , U·杜里格 , V·Y-W·李 , B·高茨曼 , R·D·米勒 , E·海格博格 , T·麦格比唐 , A·诺尔 , R·C·普莱特 , C·韦德
CPC classification number: G11B9/149 , B82Y10/00 , C08G73/101 , C08G73/1046 , C08G73/105 , C08G73/1053 , C08G73/1064 , G11B9/1409 , G11B9/1454 , G11B11/007 , G11B2005/0021 , Y10T428/265 , Y10T428/31721
Abstract: 本发明涉及一种用于纳米级热机械存储设备的聚合物层。交联的聚酰亚胺低聚物用作原子力数据存储设备中的记录层，与现有技术的交联和线型聚合物相比具有显著改进的性能。聚酰亚胺低聚物的交联可以被调节成匹配在读-写-删除循环中所需的热和力参数。另外，交联的聚酰亚胺低聚物适用于纳米级成像中。
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