公开(公告)号：CN101384644A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200780006026.5

申请日：2007-02-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·L·海德里克 ,  J·E·弗洛莫 ,  J·温德恩 ,  U·杜里格 ,  V·Y-W·李 ,  B·高茨曼 ,  R·D·米勒 ,  E·海格博格 ,  T·麦格比唐 ,  A·诺尔 ,  R·C·普莱特 ,  C·韦德

IPC: C08G73/12 ,  G11B9/00

CPC classification number: G11B9/149 ,  B82Y10/00 ,  C08G73/101 ,  C08G73/1046 ,  C08G73/105 ,  C08G73/1053 ,  C08G73/1064 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1454 ,  G11B11/007 ,  G11B2005/0021 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31721

Abstract: 本发明涉及一种用于纳米级热机械存储设备的聚合物层。交联的聚酰亚胺低聚物用作原子力数据存储设备中的记录层，与现有技术的交联和线型聚合物相比具有显著改进的性能。聚酰亚胺低聚物的交联可以被调节成匹配在读－写－删除循环中所需的热和力参数。另外，交联的聚酰亚胺低聚物适用于纳米级成像中。

公开(公告)号：CN101384644B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200780006026.5

申请日：2007-02-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·L·海德里克 ,  J·E·弗洛莫 ,  J·温德恩 ,  U·杜里格 ,  V·Y-W·李 ,  B·高茨曼 ,  R·D·米勒 ,  E·海格博格 ,  T·麦格比唐 ,  A·诺尔 ,  R·C·普莱特 ,  C·韦德

IPC: C08G73/12 ,  G11B9/00

CPC classification number: G11B9/149 ,  B82Y10/00 ,  C08G73/101 ,  C08G73/1046 ,  C08G73/105 ,  C08G73/1053 ,  C08G73/1064 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1454 ,  G11B11/007 ,  G11B2005/0021 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31721

Abstract: 本发明涉及一种用于纳米级热机械存储设备的聚合物层。交联的聚酰亚胺低聚物用作原子力数据存储设备中的记录层，与现有技术的交联和线型聚合物相比具有显著改进的性能。聚酰亚胺低聚物的交联可以被调节成匹配在读-写-删除循环中所需的热和力参数。另外，交联的聚酰亚胺低聚物适用于纳米级成像中。