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公开(公告)号：CN103155541B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201180048094.4
申请日：2011-09-21
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： J·W·阿基森 , J·J·埃利斯-莫纳甘 , R·J·拉斯尔
IPC: H04N5/357 , H04N5/359 , H04N5/376 , H04N5/361 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/3595 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H04N5/3532 , H04N5/359 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 提供了一种具有用于泄漏抵消的保持节点的参考像素传感器基元（例如全局快门）、制造方法和设计结构。一种像素阵列包括在整个有源光感测区域（5）中局部分布的一个或多个参考像素传感器基元（5’）。所述一个或多个参考像素传感器基元提供了参考信号（Vdd或参考），该参考信号用于校正光子产生的泄漏信号，该光子产生的泄漏信号在有源光感测区域内局部变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100552970C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200580044500.4
申请日：2005-12-14
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/04
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L21/76819 , H01L21/76834 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/14645 , H01L27/14683
Abstract: 一种图像传感器(20)及制造方法，其中该传感器包括铜(Cu)金属化级(135a，135b)，允许结合较薄的级间介质叠层(130a-130c)以导致像素阵列(100)显示增加的光敏感性。图像传感器包括具有最小厚度的阻挡金属层(132a，132b)的结构，阻挡金属层经过传感器阵列中的每个像素的光路，或者具有从每个像素的光路选择除去的阻挡金属层的一部分(50)，从而最小化反射率。即，通过进行各种阻挡或单掩模方法，在阵列中的每个像素的光路的位置完全除去阻挡金属层的一部分。在另一个实施例中，可以通过自对准沉积在Cu金属化上形成阻挡金属层(142)。
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公开(公告)号：CN103155541A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048094.4
申请日：2011-09-21
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： J·W·阿基森 , J·J·埃利斯-莫纳甘 , R·J·拉斯尔
IPC: H04N5/357 , H04N5/359 , H04N5/376 , H04N5/361 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/3595 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H04N5/3532 , H04N5/359 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 提供了一种具有用于泄漏抵消的保持节点的参考像素传感器基元（例如全局快门）、制造方法和设计结构。一种像素阵列包括在整个有源光感测区域（5）中局部分布的一个或多个参考像素传感器基元（5’）。所述一个或多个参考像素传感器基元提供了参考信号（Vdd或参考），该参考信号用于校正光子产生的泄漏信号，该光子产生的泄漏信号在有源光感测区域内局部变化。
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公开(公告)号：CN102473715A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080034267.2
申请日：2010-06-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H04N5/37457
Abstract: 一种用于图像传感器的像素结构包括半导体材料部分(30)，所述半导体材料部分具有共平面且连续的半导体表面且包括四个光电二极管(30A、30B、30C、30D)、四个沟道区域(31A、31B、31C、31D)及共同浮置扩散区域(32)。所述四个沟道区域中的每一者直接接合至所述四个光电二极管中的一者及所述共同浮置扩散区域。所述四个光电二极管位于采用穿过所述共同浮置扩散区域内的点(O1)的垂直线作为中心轴线而限定的四个不同象限(1Q_O1、2Q_O1、3Q_O1、4Q_O1)内。所述共同浮置扩散区域、重设门晶体管(RG)、源极跟随器晶体管(RS)及行选择晶体管位于采用穿过所述光电二极管中的一者(30A)内的点的垂直线作为轴线而限定的四个不同象限(1Q_O2、2Q_O2、3Q_O2、4Q_O2)内。
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公开(公告)号：CN101088165A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200580044500.4
申请日：2005-12-14
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/04
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L21/76819 , H01L21/76834 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/14645 , H01L27/14683
Abstract: 一种图像传感器(20)及制造方法，其中该传感器包括铜(Cu)金属化级(135a，135b)，允许结合较薄的级间介质叠层(130a－130c)以导致象素阵列(100)显示增加的光敏感性。图像传感器包括具有最小厚度的阻挡金属层(132a，132b)的结构，阻挡金属层经过传感器阵列中的每个象素的光路，或者具有从每个象素的光路选择除去的阻挡金属层的一部分(50)，从而最小化反射率。即，通过进行各种阻挡或单掩模方法，在阵列中的每个象素的光路的位置完全除去阻挡金属层的一部分。在另一个实施例中，可以通过自对准沉积在Cu金属化上形成阻挡金属层(142)。
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公开(公告)号：CN1992821A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610146586.8
申请日：2006-11-15
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： A·卢瓦索 , R·J·拉斯尔 , M·D·贾菲 , J·J·埃利斯-莫纳甘
CPC classification number: H04N9/045
Abstract: 一种成像传感器中的像素阵列，该成像传感器和数字摄影机包括成像传感器。该成像传感器包括具有彩色像素和未滤光(未滤色)像素的像素阵列。每个未滤光像素占用一个或多个阵列位置。彩色像素可以排列成连续行和列并具有在连续行和列之间的未滤光像素。成像传感器可以是具有未滤光像素的CMOS，这降低了低光噪声并且改善了低光感光度。
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