用于形成有源像素传感器单元结构的方法

    公开(公告)号:CN1797742A

    公开(公告)日:2006-07-05

    申请号:CN200510124204.7

    申请日:2005-11-21

    Abstract: 一种新颖的在第一导电类型的衬底上形成的图像传感器结构,所述图像传感器结构包括第二导电类型的光敏器件和所述第一导电类型的表面钉扎层。邻近所述光敏器件钉扎层形成沟槽隔离区。所述结构包括杂质区,所述杂质区包括沿所述隔离区的侧壁形成的所述第一导电类型的材料,并适于将所述钉扎层电连接至所述衬底。通过首先制造所述光致抗蚀剂层,并通过去除其阻挡所述倾斜注入材料的拐角或拐角部分减小其尺寸,相应的方法便于在所述隔离区侧壁中倾斜离子注入杂质材料。为便于越过抗蚀剂阻挡掩膜对所述侧壁边缘进行倾斜注入,提出了两种方法:1)对成像的光致抗蚀剂进行隔离物型蚀刻;或者,2)对成像的光致抗蚀剂进行拐角溅射工艺。

    可切换滤波器及设计结构

    公开(公告)号:CN103258072A

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN201310054155.9

    申请日:2013-02-20

    Abstract: 本发明涉及可切换滤波器及设计结构。这里公开了可切换和/或可调滤波器、制造方法和设计结构。形成滤波器的方法包括形成至少一个压电滤波器结构,其包括被形成为与至少一个压电衬底接触的多个电极。该方法还包括形成包含MEMS梁的微机电结构(MEMS),其中在致动后,MEMS梁将通过交错与压电衬底接触的电极或者将至少一个压电衬底夹在电极之间,来开启至少一个压电滤波器结构。

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