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公开(公告)号:CN103227619B
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201310022416.9
申请日:2013-01-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H03H9/64
CPC classification number: H03H9/13 , G06F17/5081 , H01L41/08 , H03H3/08 , H03H9/02543 , H03H9/64 , H03H9/6403 , H03H9/6413 , H03H2003/0071 , H03H2009/02299 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49126 , Y10T29/49147 , Y10T29/49155
Abstract: 本文中公开了可切换和/或可调谐滤波器、制造方法和设计结构。形成所述滤波器的方法包括形成至少一个压电滤波器结构,所述至少一个压电滤波器结构包括在压电基底上形成的多个电极。该方法还包括在所述压电基底上形成具有多个指状物的固定电极。该方法还包括在所述压电基底之上形成具有多个指状物的可动电极。该方法还包括形成与所述可动电极的所述多个指状物中的一个或多个指状物对准的致动器。
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公开(公告)号:CN103155541B
公开(公告)日:2017-07-04
申请号:CN201180048094.4
申请日:2011-09-21
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: J·W·阿基森 , J·J·埃利斯-莫纳甘 , R·J·拉斯尔
IPC: H04N5/357 , H04N5/359 , H04N5/376 , H04N5/361 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/3595 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H04N5/3532 , H04N5/359 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 提供了一种具有用于泄漏抵消的保持节点的参考像素传感器基元(例如全局快门)、制造方法和设计结构。一种像素阵列包括在整个有源光感测区域(5)中局部分布的一个或多个参考像素传感器基元(5’)。所述一个或多个参考像素传感器基元提供了参考信号(Vdd或参考),该参考信号用于校正光子产生的泄漏信号,该光子产生的泄漏信号在有源光感测区域内局部变化。
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公开(公告)号:CN1983610A
公开(公告)日:2007-06-20
申请号:CN200610164118.3
申请日:2006-11-14
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/822 , G02B6/42 , G02B6/10
CPC classification number: G01J1/04 , G01J1/0407 , G01J1/0422 , G01J1/0488
Abstract: 一种光传感结构及其形成方法。所述结构包括(a)半导体衬底和(b)在所述半导体衬底上的光收集区域。所述结构还包括在所述光收集区域的顶部上的漏斗状光导管。所述漏斗状光导管包括(i)在所述光收集区域的的顶部上的底部柱状部分,以及(ii)具有锥形形状且在所述底部柱状部分的顶部上并与所述底部柱状部分直接物理接触的漏斗状部分。所述结构还包括在所述漏斗状光导管的顶部上的滤色区域。
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公开(公告)号:CN1770008A
公开(公告)日:2006-05-10
申请号:CN200510117519.9
申请日:2005-11-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03F1/00 , G03F1/14 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种修正光刻掩膜中缺陷的方法,包括确定在原始掩膜上掩膜缺陷的存在,以及标识在所述原始掩膜上发现的各所述掩膜缺陷周围的可修补区域。封闭在所述原始掩膜上的各所述标识的可修补区域,以使在曝光所述原始掩膜期间,不印刷在所述可修补区域内的电路。形成修复掩膜,所述修复掩膜包括来自各所述标识的可修补区域的修正电路图形。
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公开(公告)号:CN103187947B
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201310001517.8
申请日:2013-01-04
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 本文中公开了可切换和/或可调谐的滤波器、制造方法和设计结构。形成滤波器的方法包括形成至少一个压电滤波器结构,所述至少一个压电滤波器结构包括在压电基底上形成的多个电极。该方法还包括形成微机电结构(MEMS),所述MEMS包括在所述压电基底上方且在如下位置处形成的MEMS梁:在该位置中,所述MEMS梁在致动时通过接触所述多个电极中的至少一个来短接所述压电滤波器结构。
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公开(公告)号:CN103187947A
公开(公告)日:2013-07-03
申请号:CN201310001517.8
申请日:2013-01-04
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 本发明公开了可切换和/或可调谐的滤波器、制造方法和设计结构。形成滤波器的方法包括形成至少一个压电滤波器结构,所述至少一个压电滤波器结构包括在压电基底上形成的多个电极。该方法还包括形成微机电结构(MEMS),所述MEMS包括在所述压电基底上方且在如下位置处形成的MEMS梁:在该位置中,所述MEMS梁在致动时通过接触所述多个电极中的至少一个来短接所述压电滤波器结构。
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公开(公告)号:CN101022118B
公开(公告)日:2010-09-15
申请号:CN200710005579.0
申请日:2007-02-13
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: J·J·埃利斯-莫纳汉 , D·J·皮尔森 , J·W·阿基森 , D·L·罗杰斯 , M·D·亚费
IPC: H01L27/146 , H01L31/102 , H01L21/822 , H01L31/18
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/1463 , H01L27/14689 , H01L31/035281
Abstract: 本发明提供了具有表面的半导体衬底的像素传感器单元;在衬底中形成的光敏元件具有与包括衬底表面的物理边界隔离的非横向设置的电荷收集区。光敏元件包括在第一导电型材料的衬底中形成的具有侧壁的沟槽;与至少一个侧壁相邻形成第二导电型材料的第一掺杂层;以及在第一掺杂层和至少一个沟槽侧壁之间并在衬底的表面形成第一导电型材料的第二掺杂层,第二掺杂层将第一掺杂层与至少一个沟槽侧壁和衬底表面隔离。在其它实施例中,提供了附加光敏元件,包括接触光敏元件的非横向设置的电荷收集区的横向设置的电荷收集区并在衬底表面形成的掺杂层下面。
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公开(公告)号:CN101147148B
公开(公告)日:2010-07-07
申请号:CN200580049261.1
申请日:2005-12-22
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种集成电路,一种用于设计该集成电路的方法和系统,以及一种用于制作该集成电路的方法。该方法包括:(a)生成集成电路的集成电路设计(300)的光掩模级设计,该光掩模级设计包括多个集成电路元件形状;(b)指定光掩模级设计在相邻集成电路元件形状之间的区域,这些指定区域大到足以需要基于填充形状规则(310)在相邻集成电路元件之间设置填充形状(305),这些填充形状不是集成电路的操作所需的;以及(c)在指定区域中的至少一个指定区域中设置监视器结构(315)的一个或者多个监视器结构形状(320),该监视器结构不是集成电路的操作所需的。
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公开(公告)号:CN1797742A
公开(公告)日:2006-07-05
申请号:CN200510124204.7
申请日:2005-11-21
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/1463 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 一种新颖的在第一导电类型的衬底上形成的图像传感器结构,所述图像传感器结构包括第二导电类型的光敏器件和所述第一导电类型的表面钉扎层。邻近所述光敏器件钉扎层形成沟槽隔离区。所述结构包括杂质区,所述杂质区包括沿所述隔离区的侧壁形成的所述第一导电类型的材料,并适于将所述钉扎层电连接至所述衬底。通过首先制造所述光致抗蚀剂层,并通过去除其阻挡所述倾斜注入材料的拐角或拐角部分减小其尺寸,相应的方法便于在所述隔离区侧壁中倾斜离子注入杂质材料。为便于越过抗蚀剂阻挡掩膜对所述侧壁边缘进行倾斜注入,提出了两种方法:1)对成像的光致抗蚀剂进行隔离物型蚀刻;或者,2)对成像的光致抗蚀剂进行拐角溅射工艺。
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公开(公告)号:CN103258072A
公开(公告)日:2013-08-21
申请号:CN201310054155.9
申请日:2013-02-20
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及可切换滤波器及设计结构。这里公开了可切换和/或可调滤波器、制造方法和设计结构。形成滤波器的方法包括形成至少一个压电滤波器结构,其包括被形成为与至少一个压电衬底接触的多个电极。该方法还包括形成包含MEMS梁的微机电结构(MEMS),其中在致动后,MEMS梁将通过交错与压电衬底接触的电极或者将至少一个压电衬底夹在电极之间,来开启至少一个压电滤波器结构。
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