公开(公告)号：CN104838499B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201280061269.X

申请日：2012-11-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·W·阿德基森 ,  T·J·邓巴 ,  J·P·甘比诺 ,  M·J·利奇

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  B82Y99/00

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  H01L27/1222 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 制造半导体结构(5)包括：在芯轴(20a，20b)的侧壁上形成种子材料(25)；在种子材料(25)上形成石墨烯场效应晶体管(FET)(30)；以及去除种子材料(25)。

公开(公告)号：CN104838499A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201280061269.X

申请日：2012-11-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·W·阿德基森 ,  T·J·邓巴 ,  J·P·甘比诺 ,  M·J·利奇

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  B82Y99/00

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  H01L27/1222 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 制造半导体结构(5)包括：在芯轴(20a，20b)的侧壁上形成种子材料(25)；在种子材料(25)上形成石墨烯场效应晶体管(FET)(30)；以及去除种子材料(25)。