公开(公告)号：CN119968942A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202380069098.3

申请日：2023-09-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·西迪基 ,  鲍如强 ,  C·D·亚当斯 ,  C·S·杜菲 ,  A·I·周 ,  B·P·林德 ,  R·拉玛钱德兰 ,  郭德超

IPC: H10D84/03 ,  H10D30/01 ,  H10D30/62

Abstract: 一种半导体器件，包括具有第一区域和第二区域的衬底，第二区域与第一区域隔开一定距离以在其间限定空间。包括栅极电介质的第一半导体器件在第一区域上。第一半导体器件可以在第一区域中实现基于FinFet的输入/输出(I/O)器件。第二半导体器件不包括位于第二区域上的栅极电介质。第二半导体器件可以在第二区域中实现基于纳米片的逻辑器件。

公开(公告)号：CN101663755A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200880012600.2

申请日：2008-04-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·D·亚当斯 ,  E·A·卡蒂尔 ,  B·B·多里斯 ,  V·纳拉亚南

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/092 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

Abstract: 公开了一种CMOS结构，其中第一类型的FET包括衬里，所述衬里具有氧化物(20)和氮化物(20’)部分。氮化物部分形成衬里的边缘段。这些氮化物部分能够防止氧气到达第一类型的FET的高k介电栅极绝缘体(10)。该CMOS结构的第二类型的FET器件具有没有氮化物部分的衬里(21)。结果，暴露于氧气能够使第二类型的FET的阈值电压移动，但不会影响第一类型的FET的阈值。该公开还教导用于制造CMOS结构的方法，在所述CMOS结构中不同类型的FET器件的阈值可彼此独立地设定。