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发明公开
用于形成和集成高电压FinFET I/O器件与纳米片逻辑器件的结构审中-实审

公开(公告)号：CN119968942A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202380069098.3

申请日：2023-09-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·西迪基 , 鲍如强 , C·D·亚当斯 , C·S·杜菲 , A·I·周 , B·P·林德 , R·拉玛钱德兰 , 郭德超

IPC: H10D84/03 , H10D30/01 , H10D30/62

Abstract: 一种半导体器件，包括具有第一区域和第二区域的衬底，第二区域与第一区域隔开一定距离以在其间限定空间。包括栅极电介质的第一半导体器件在第一区域上。第一半导体器件可以在第一区域中实现基于FinFet的输入/输出(I/O)器件。第二半导体器件不包括位于第二区域上的栅极电介质。第二半导体器件可以在第二区域中实现基于纳米片的逻辑器件。

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