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公开(公告)号：CN102691048A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210073108.4
申请日：2012-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/045 , C23C16/45546 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32779 , H01L21/02337 , H01L21/31116 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种成膜方法及成膜装置，该成膜方法包括：将多个基板呈多层状搭载于反应管的步骤，上述多个基板形成有包括凹部在内的图案；成膜步骤，通过向上述反应管供给含硅气体及含氧气体，在上述多个基板上形成氧化硅膜；蚀刻步骤，通过向上述反应管供给含氟气体及氨气，对在上述成膜步骤中形成的上述氧化硅膜进行蚀刻，该成膜方法交替地重复上述成膜步骤和上述蚀刻步骤。
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公开(公告)号：CN102345111A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110217038.0
申请日：2011-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供一种使用成膜装置在被处理体上形成由氧化硅膜构成的薄膜的成膜方法和成膜装置，该成膜装置包括：处理容器；原料气体供给系统，其具有第1开闭阀，能向处理容器内供给原料气体；反应气体供给系统，其具有第2开闭阀，能向处理容器内供给反应气体；真空排气系统，其具有第3开闭阀，能将处理容器内的气氛气体排成而成为真空，其中，吸附工序和反应工序存在间歇期间地交替反复多次，该吸附工序为，关闭第3开闭阀，打开第1开闭阀规定期间，向处理容器供给原料气体之后，将其关闭，保持该状态规定期间，使原料气体吸附于被处理体的表面；该反应工序为，打开第2开闭阀，向处理容器内供给反应气体，使反应气体与原料气体反应而形成薄膜。
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公开(公告)号：CN101256957A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810095113.9
申请日：2008-02-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/3105
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的热处理方法，在处理容器的处理区域内以隔开间隔层叠的状态收纳多个被处理基板。被处理基板在表面具有处理对象层。接着，对上述处理区域供给氧化性气体和还原性气体，同时将处理区域进行加热，由此使氧化性气体和上述还原性气体反应而产生氧活性种和羟基活性种，使用上述氧活性种和上述羟基活性种对被处理基板上的上述处理对象层进行氧化。接着，在由臭氧或者氧化性活性种构成的退火气体的氛围中将氧化后的处理对象层进行加热，由此对处理对象层进行退火。
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公开(公告)号：CN108070847B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201711121710.X
申请日：2017-11-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/31 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及气体喷射器和立式热处理装置。该气体喷射器设置于立式热处理装置，用于向立式的反应容器内供给在基板上成膜用的成膜气体，将基板保持器具向在周围配置有加热部的反应容器内输入来对多个基板进行热处理，该基板保持器具沿上下方向将多个基板排列成搁板状来进行保持，该气体喷射器具备：筒状的喷射器主体，其以沿上下方向延伸的方式配置于反应容器内，沿上下方向在喷射器主体形成有多个气体供给孔；以及筒状的气体导入管，其沿上下方向以与喷射器主体成为一体的方式设置，该气体导入管具备：气体接受口，其接受成膜气体；以及气体导入口，其与喷射器主体的内部空间连通，该气体导入口向该内部空间导入成膜气体。
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公开(公告)号：CN102569030B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201110448722.X
申请日：2011-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/402 , C23C16/45546 , C23C16/46 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/0228 , H01L21/67109 , H01L21/67248
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成方法及薄膜形成装置。该薄膜形成装置的控制部在控制升温用加热器而将反应管内加热到装载温度之后，在反应管内收容半导体晶圆。接着，控制部在控制升温用加热器而将收容有半导体晶圆的反应管内加热到成膜温度之后，自处理气体导入管向反应管内供给成膜用气体而在半导体晶圆上形成薄膜。另外，控制部将装载温度设定为比成膜温度高的温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102691048B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210073108.4
申请日：2012-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/045 , C23C16/45546 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32779 , H01L21/02337 , H01L21/31116 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种成膜方法及成膜装置，该成膜方法包括：将多个基板呈多层状搭载于反应管的步骤，上述多个基板形成有包括凹部在内的图案；成膜步骤，通过向上述反应管供给含硅气体及含氧气体，在上述多个基板上形成氧化硅膜；蚀刻步骤，通过向上述反应管供给含氟气体及氨气，对在上述成膜步骤中形成的上述氧化硅膜进行蚀刻，该成膜方法交替地重复上述成膜步骤和上述蚀刻步骤。
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公开(公告)号：CN109385616A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810869583.X
申请日：2018-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/02
Abstract: 本公开涉及向钨膜上形成氧化硅膜的方法、装置以及存储介质。在使用氧自由基那样的氧活性种来在钨膜上形成氧化硅膜的情况下，抑制钨膜的氧化。向钨膜上形成氧化硅膜的方法包括：第一工序，设为将具有表面形成了自然氧化膜的钨膜的被处理体配置在减压下的处理容器内的状态；第二工序，使含硅气体吸附于钨膜来形成硅晶种层；第三工序，然后，对被处理体进行退火，通过自然氧化膜与硅晶种层的反应来形成氧化硅膜；以及第四工序，然后，通过使用含硅气体与氧活性种的ALD来形成ALD氧化硅膜。
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公开(公告)号：CN103928316B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201410021187.3
申请日：2014-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02238 , H01L21/02164 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L21/32105 , H01L21/67757
Abstract: 本发明涉及硅氧化物膜的成膜方法。该方法具备：(1)在被处理体的作为被处理面的基底上形成硅膜的工序、和(2)将前述硅膜氧化而在前述基底上形成硅氧化物膜的工序；在前述(1)工序和前述(2)工序之间，具备：(3)在将前述硅膜氧化之前，将形成有前述硅膜的前述被处理体暴露于至少包含氧化成分的气氛中的工序。
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公开(公告)号：CN102345111B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201110217038.0
申请日：2011-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供一种使用成膜装置在被处理体上形成由氧化硅膜构成的薄膜的成膜方法和成膜装置，该成膜装置包括：处理容器；原料气体供给系统，其具有第1开闭阀，能向处理容器内供给原料气体；反应气体供给系统，其具有第2开闭阀，能向处理容器内供给反应气体；真空排气系统，其具有第3开闭阀，能将处理容器内的气氛气体排成而成为真空，其中，吸附工序和反应工序存在间歇期间地交替反复多次，该吸附工序为，关闭第3开闭阀，打开第1开闭阀规定期间，向处理容器供给原料气体之后，将其关闭，保持该状态规定期间，使原料气体吸附于被处理体的表面；该反应工序为，打开第2开闭阀，向处理容器内供给反应气体，使反应气体与原料气体反应而形成薄膜。
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公开(公告)号：CN103094077A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210421314.X
申请日：2012-10-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/32105 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及硅氧化物膜的成膜方法，其具备：在基底上形成晶种层的工序；在晶种层上形成硅膜的工序；以及将硅膜和晶种层氧化，在基底上形成硅氧化物膜的工序。
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