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公开(公告)号：CN103209757A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180054593.4
申请日：2011-11-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B01D67/0023 , B01D61/025 , B01D67/0034 , B01D67/0062 , B01D69/10 , B01D71/022 , B01D71/024 , B01D2323/225 , B01D2323/24 , B01D2323/283 , B01D2325/02 , B01D2325/08 , B01D2325/48 , Y10T156/10
Abstract: 本发明提供能方便地得到自来水或淡水的过滤用过滤器的制造方法。对于由硅构成的基板1，使用形成在该基板1的表面上并具有使该表面的一部分露出的多个开口部的掩膜进行蚀刻，在基板1上形成多个直径约100nm的圆孔2，使氧化硅膜3沉积在形成的圆孔2的内表面上，调整因氧化硅膜3而缩小的圆孔2的开口部附近的最小直径部4中的直径D1至1nm～100nm。
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公开(公告)号：CN101859693B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010144440.6
申请日：2010-04-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67207 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。在基板处理装置中，将成膜安装和用于进行退火处理的热处理装置与真空输送室气密地连接，并且，在真空输送室内设有作为自转机构的旋转工作台。对晶圆供给BTBAS气体，并使该气体吸附于晶圆，接着，将会与BTBAS气体反应，生成带有流动性的硅氧烷聚合物的乙醇气体和氧化硅氧烷聚合物的O3气体按该顺序供给晶圆，进行成膜处理，并且在该成膜处理的过程中，从成膜装置取出晶圆，使基板旋转，改变其方向，并进行退火处理，以使反应生成物致密化。
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公开(公告)号：CN119069330A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410640320.7
申请日：2024-05-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够促进基板处理的均匀性、且能够提高生产率的技术。基板处理装置具备：处理容器；旋转台，其可旋转地设置在所述处理容器的内部；多个载置台，其在从旋转台的旋转中心离开的位置载置基板，且可相对于旋转台相对旋转。另外，基板处理装置具有配置在多个载置台的中心伴随旋转台的旋转而通过的位置上的多个喷嘴。多个喷嘴包含：处理气体排出部，其对于随着旋转台的旋转而移动的多个载置台的基板，向比该基板的半径短的径向范围排出处理气体；以及气体吸引部，其在比处理气体排出部靠外侧吸引气体。
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公开(公告)号：CN103882408B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201310712445.8
申请日：2013-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/308 , C23C16/401 , C23C16/405 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , C23C16/45551 , H01L21/02148 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/022 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种成膜方法。该成膜方法利用成膜装置在上述多个基板上形成含有第1元素及第2元素的掺杂氧化膜，该成膜方法包括以下工序：成膜工序，从上述第1气体供给部供给含有上述第1元素的第1反应气体，从上述第2气体供给部供给氧化气体，在上述基板上形成含有上述第1元素的氧化膜；以及掺杂工序，从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的一者供给含有上述第2元素的第2反应气体，从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的另一者供给非活性气体，在上述氧化膜上掺杂上述第2元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102560430A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110460409.8
申请日：2011-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45561 , B08B3/04 , B08B9/02 , C23C16/4402 , Y10T137/4238 , Y10T137/4259
Abstract: 本发明提供原料供给装置及成膜装置。该原料供给装置用于利用气化器使储存部内的液体原料气化并将气化而成的气体供给到半导体制造用的反应容器内，该原料供给装置包括原料供给管、第1原料排出管、清洗流体供给管、第1原料供给阀及第1原料排出阀、清洗流体供给阀，该原料供给装置以如下方式进行操作，即，在将液体原料供给到上述气化器时，使上述第1原料供给阀为打开的状态、且使第1原料排出阀及清洗流体阀分别为关闭的状态，另外，在排出液体原料时，使上述第1原料供给阀为关闭的状态、且使第1原料排出阀及清洗流体供给阀分别为打开的状态。
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公开(公告)号：CN102286731B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201110168440.4
申请日：2011-06-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/45546 , C23C16/52 , H01L21/67303
Abstract: 本发明提供一种处理装置及成膜方法。本发明的处理装置用于对多张被处理体实施规定的处理，包括：处理容器构造，其具有处理容器，在处理空间的一侧设置有喷嘴容纳区域，并且在另一侧形成有排气口，该排气口用于排出由喷嘴容纳区域沿水平方向放出的气体；盖部，其用于堵塞处理容器构造的下端的开口部侧；支承体构造，其用于支承被处理体，并且能够插入到处理容器构造内或从处理容器构造内拔出；气体导入部件，其具有被容纳于喷嘴容纳区域内并用于导入气体的气体喷嘴；排气部件，其具有用于排出处理容器构造内的气氛气体的多个排气系统；加热部件，其用于加热被处理体；控制部件，其用于控制整个装置。
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公开(公告)号：CN102560430B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201110460409.8
申请日：2011-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45561 , B08B3/04 , B08B9/02 , C23C16/4402 , Y10T137/4238 , Y10T137/4259
Abstract: 本发明提供原料供给装置及成膜装置。该原料供给装置用于利用气化器使储存部内的液体原料气化并将气化而成的气体供给到半导体制造用的反应容器内，该原料供给装置包括原料供给管、第1原料排出管、清洗流体供给管、第1原料供给阀及第1原料排出阀、清洗流体供给阀，该原料供给装置以如下方式进行操作，即，在将液体原料供给到上述气化器时，使上述第1原料供给阀为打开的状态、且使第1原料排出阀及清洗流体阀分别为关闭的状态，另外，在排出液体原料时，使上述第1原料供给阀为关闭的状态、且使第1原料排出阀及清洗流体供给阀分别为打开的状态。
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公开(公告)号：CN103882408A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310712445.8
申请日：2013-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/308 , C23C16/401 , C23C16/405 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , C23C16/45551 , H01L21/02148 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/022 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种成膜方法。该成膜方法利用成膜装置在上述多个基板上形成含有第1元素及第2元素的掺杂氧化膜，该成膜方法包括以下工序：成膜工序，从上述第1气体供给部供给含有上述第1元素的第1反应气体，从上述第2气体供给部供给氧化气体，在上述基板上形成含有上述第1元素的氧化膜；以及掺杂工序，从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的一者供给含有上述第2元素的第2反应气体，从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的另一者供给非活性气体，在上述氧化膜上掺杂上述第2元素。
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公开(公告)号：CN102286731A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110168440.4
申请日：2011-06-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/45546 , C23C16/52 , H01L21/67303
Abstract: 本发明提供一种处理装置及成膜方法。本发明的处理装置用于对多张被处理体实施规定的处理，包括：处理容器构造，其具有处理容器，在处理空间的一侧设置有喷嘴容纳区域，并且在另一侧形成有排气口，该排气口用于排出由喷嘴容纳区域沿水平方向放出的气体；盖部，其用于堵塞处理容器构造的下端的开口部侧；支承体构造，其用于支承被处理体，并且能够插入到处理容器构造内或从处理容器构造内拔出；气体导入部件，其具有被容纳于喷嘴容纳区域内并用于导入气体的气体喷嘴；排气部件，其具有用于排出处理容器构造内的气氛气体的多个排气系统；加热部件，其用于加热被处理体；控制部件，其用于控制整个装置。
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