公开(公告)号：CN101078110A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200710104875.6

申请日：2007-05-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 两角友一朗 ,  小柳贤一 ,  荒尾孝 ,  宇根和德

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/448

CPC classification number: C23C16/45548 ,  C23C16/405

Abstract: 本发明公开了用于在ALD成膜装置中有效地抑制由不可避免地附着在反应管内面上的不需要的膜的剥离而产生的颗粒的技术。为了防止不需要的膜的剥离，进行用ALD法使金属氧化物膜、例如氧化铝膜堆积在上述不需要的膜上的预涂层处理。使预涂层处理时将作为预涂层用气体的臭氧供给反应管内的喷嘴种类和/或配置位置，与在半导体基板上成膜处理时将作为成膜用气体的臭氧供给反应管内的喷嘴不同。

公开(公告)号：CN101078110B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200710104875.6

申请日：2007-05-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 两角友一朗 ,  小柳贤一 ,  荒尾孝 ,  宇根和德

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/448

CPC classification number: C23C16/45548 ,  C23C16/405

Abstract: 本发明公开了用于在ALD成膜装置中有效地抑制由不可避免地附着在反应管内面上的不需要的膜的剥离而产生的颗粒的技术。为了防止不需要的膜的剥离，进行用ALD法使金属氧化物膜、例如氧化铝膜堆积在上述不需要的膜上的预涂层处理。使预涂层处理时将作为预涂层用气体的臭氧供给反应管内的喷嘴种类和/或配置位置，与在半导体基板上成膜处理时将作为成膜用气体的臭氧供给反应管内的喷嘴不同。