公开(公告)号：CN106601813A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610659946.8

申请日：2016-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 奥野泰利 ,  陈振隆 ,  张孟淳 ,  王菘豊 ,  白易芳 ,  鬼木悠丞

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L23/535 ,  H01L29/045 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7855

Abstract: 形成半导体结构的方法包括以下操作：(i)在衬底上形成鳍结构；(ii)从鳍结构外延生长外延结构；(iii)形成围绕外延结构的牺牲结构；(iv)形成覆盖牺牲结构的介电层；(v)形成穿过介电层的开口以部分地暴露牺牲结构；(vi)去除部分牺牲结构以暴露部分外延结构；以及(vii)形成与外延结构的暴露的部分接触的接触结构。在此处也公开了半导体结构。本发明的实施例还涉及具有增强的接触件的半导体结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN110838520A

公开(公告)日：2020-02-25

申请号：CN201910753797.5

申请日：2019-08-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈振隆 ,  奧野泰利 ,  蔡邦彦

IPC: H01L29/41 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置的制作方法，包括形成半导体装置中的外延的源极/漏极结构的方法，包括提供基板，且基板包括自基板延伸的多个鳍状物。在一些实施例中，形成衬垫层于鳍状物上。图案化衬垫层以露出第一区中的鳍状物的第一组鳍状物。在一些实施例中，形成第一外延层于露出的第一组鳍状物上，并形成阻障层于第一外延层上。之后可移除图案化的衬垫层。在多种例子中，选择性形成第二外延层于第二区中的鳍状物的第二组的鳍状物上。

公开(公告)号：CN105990431B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201510093042.9

申请日：2015-03-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张家豪 ,  谢明山 ,  陈振隆 ,  连万益 ,  王志豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/488 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供了晶体管、集成电路和制造集成电路的方法。在各个实施例中，晶体管包括源电极、至少一个半导体沟道、栅电极、漏电极和漏极焊盘。源电极设置在衬底中。半导体沟道基本垂直于源电极延伸。栅电极环绕半导体沟道。漏电极设置在半导体沟道的顶部上。漏极焊盘设置在漏电极上，其中，漏极焊盘包括多个导电层。

公开(公告)号：CN105990431A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510093042.9

申请日：2015-03-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张家豪 ,  谢明山 ,  陈振隆 ,  连万益 ,  王志豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/488 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823885 ,  H01L23/485 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/78642 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/488 ,  H01L29/66666

Abstract: 本发明提供了晶体管、集成电路和制造集成电路的方法。在各个实施例中，晶体管包括源电极、至少一个半导体沟道、栅电极、漏电极和漏极焊盘。源电极设置在衬底中。半导体沟道基本垂直于源电极延伸。栅电极环绕半导体沟道。漏电极设置在半导体沟道的顶部上。漏极焊盘设置在漏电极上，其中，漏极焊盘包括多个导电层。

公开(公告)号：CN112242356A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010320880.6

申请日：2020-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 时定康 ,  陈振隆 ,  蔡邦彦

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。根据本公开的一种制造方法包括提供工件，工件包括第一源极/漏极区在第一装置区中，及第二源极/漏极区在第二装置区中，在第一源极/漏极区及第二源极/漏极区上沉积介电层，在介电层中形成第一导孔开口以露出第一源极/漏极区，并在介电层中形成第二导孔开口以露出第二源极/漏极区，退火工件以在露出的第一源极/漏极区上形成第一半导体氧化物部件，并在露出的第二源极/漏极区上形成第二半导体氧化物部件，去除第一半导体氧化物部件以露出在介电层中第一导孔开口中的第一源极/漏极区，以及选择性地在露出的第一源极/漏极区上形成第一外延部件。

公开(公告)号：CN107039279A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611033059.6

申请日：2016-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶哲宇 ,  吴忠政 ,  陈振隆 ,  张广兴 ,  蔡邦彦 ,  陈燕铭 ,  奥野泰利 ,  王樱璇

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848

Abstract: 本公开提供半导体结构的制造方法，半导体结构的制造方法包含形成硬掩模结构在基底上方，以及通过硬掩模结构的开口蚀刻基底以形成沟槽。半导体结构的制造方法还包含移除硬掩模结构的一部分以扩大开口，以及在开口和沟槽中形成外延成长结构。