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实用新型
半导体装置有权

公开(公告)号：CN222869303U

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202421615907.4

申请日：2024-07-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦瑜 , 蔡明谚 , 谢文兴 , 邱盈翰

IPC: H10D84/83

Abstract: 一种半导体装置，包括横跨半导体基板的第一型井区上方的第一鳍片的第一栅电极；横跨半导体基板的第二型井区上方的第二鳍片的第二栅电极，第一型井区与第二型井区具有相反的导电型；设置于半导体基板上方且在第一鳍片及第二鳍片的侧壁上的隔离层；将第一栅电极与第二栅电极分离开的栅极切割结构，栅极切割结构延伸穿过隔离层；以及介电层，介电层设置于栅极切割结构上并将栅极切割结构与半导体基板分离开，介电层在隔离层的底表面之下。

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