公开(公告)号：CN120035240A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510130323.0

申请日：2025-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王子铭 ,  陈彦瑜 ,  江彦廷 ,  郭文昌 ,  刘人诚

IPC: H10F39/12 ,  H10F39/95

Abstract: 本公开的各个实施例针对包括位于衬底上方的互连结构的器件。接合结构位于互连结构上方。该接合结构包括设置在第一区域中的第一多个导电接合焊盘和设置在第二区域中的第二多个导电接合焊盘。第二区域与第一区域的至少一侧相邻。第一多个导电接合焊盘的第一节距小于第二多个导电接合焊盘的第二节距。本公开的实施例还涉及集成电路器件及其形成方法和封装件。

公开(公告)号：CN111916466B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN201910602803.7

申请日：2019-07-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曹淳凯 ,  卢玠甫 ,  周世培 ,  王子铭

IPC: H10F39/12 ,  H10F39/18

Abstract: 本发明的各种实施例涉及一种包括光管结构的图像传感器。光侦测器设置在半导体衬底内。栅极电极位于半导体衬底之上且与光侦测器相邻。层级间介电层上覆于半导体衬底。导电接点设置在层级间介电层内，以使得导电接点的底表面低于栅极电极的顶表面。光管结构上覆于光侦测器，以使得光管结构的底表面凹入成低于导电接点的顶表面。

公开(公告)号：CN111916466A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201910602803.7

申请日：2019-07-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曹淳凯 ,  卢玠甫 ,  周世培 ,  王子铭

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明的各种实施例涉及一种包括光管结构的图像传感器。光侦测器设置在半导体衬底内。栅极电极位于半导体衬底之上且与光侦测器相邻。层级间介电层上覆于半导体衬底。导电接点设置在层级间介电层内，以使得导电接点的底表面低于栅极电极的顶表面。光管结构上覆于光侦测器，以使得光管结构的底表面凹入成低于导电接点的顶表面。