公开(公告)号：CN110416291B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN201810811790.X

申请日：2018-07-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦瑜 ,  吕玉琦 ,  曹志彬 ,  张世勳

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: 提供一种具有功函数金属堆叠的装置的制造方法。此方法包括下述操作。沉积介电层于基材上方。然后，沉积第一功函数金属层于介电层上方。接着，沉积虚设层于第一功函数金属层上方。然后，将杂质导入至第一功函数金属层中。之后，蚀刻虚设层。接下来，沉积第二功函数金属层于第一功函数金属层上方。

公开(公告)号：CN110416291A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201810811790.X

申请日：2018-07-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦瑜 ,  吕玉琦 ,  曹志彬 ,  张世勳

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: 提供一种具有功函数金属堆叠的装置的制造方法。此方法包括下述操作。沉积介电层于基材上方。然后，沉积第一功函数金属层于介电层上方。接着，沉积虚设层于第一功函数金属层上方。然后，将杂质导入至第一功函数金属层中。之后，蚀刻虚设层。接下来，沉积第二功函数金属层于第一功函数金属层上方。