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公开(公告)号：CN112599476A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202010842002.0
申请日：2020-08-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/06
Abstract: 本公开提供一种半导体装置的形成方法。本公开实施例说明形成鳍状场效晶体管与纳米片晶体管于基板上的方法。方法可包括形成第一垂直结构与第二垂直结构于基板上，其中第一垂直结构与第二垂直结构的每一者包括缓冲区与形成于缓冲区上的第一通道层。方法亦可包括将遮罩层置于第一垂直结构与第二垂直结构的第一通道层上，移除第一垂直结构的一部分以形成第一凹陷，形成第二通道层于第一凹陷中，形成第二凹陷于第二通道层中，以及将绝缘层置于第二凹陷中。
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公开(公告)号：CN113314520A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202011262547.0
申请日：2020-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/822
Abstract: 本发明的实施例涉及一种半导体器件，包括：衬底；两个源极/漏极(S/D)区，位于衬底上方；沟道区，位于两个S/D区之间，并且包括半导体材料；沉积的电容器材料(DCM)层，位于沟道区上方；介电层，位于DCM层上方；以及金属栅极电极层，位于介电层上方。本发明的实施例还涉及一种形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN114792661A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210058376.2
申请日：2022-01-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 提供了半导体结构及其形成方法。根据本发明的半导体结构包括：至少一个第一半导体元件和至少一个第二半导体元件，位于衬底上方；介电鳍，设置在至少一个第一半导体元件和至少一个第二半导体元件之间；第一功函金属层，包裹至少一个第一半导体元件的每个并且从至少一个第一半导体元件连续延伸至介电鳍的顶面；以及第二功函金属层；设置在至少一个第二半导体元件和第一功函金属层上方。
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公开(公告)号：CN112420598A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010511206.6
申请日：2020-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 一种集成电路结构的形成方法包括形成第一后段(BEOL)互连结构的第一层金属线和在第一层金属线的第一金属线上形成半导体纳米线结构。第一后段互连结构形成在具有多个主动装置的前段(FEOL)装置层上。方法还包括形成包裹半导体纳米线结构的第一介电层、在介电层上和第一层金属线的第二金属线上形成金属层、以及在半导体纳米线结构上形成第二后段互连结构的第二层金属线。第一金属线和第二金属线彼此电性隔离。
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公开(公告)号：CN119300460A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411294281.6
申请日：2024-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 器件包括：衬底，具有半导体鳍；半导体沟道堆叠件，位于衬底上并且定位在鳍上方；栅极结构，包裹半导体沟道；源极/漏极，邻接半导体沟道；内部间隔件，定位在半导体沟道堆叠件和鳍之间；未掺杂半导体层，垂直邻近源极/漏极并且横向邻近鳍；以及隔离结构，隔离结构横向围绕未掺杂半导体层，隔离结构位于源极/漏极和内部间隔件之间。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113206062B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202110203188.X
申请日：2021-02-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L29/423 , H01L27/088 , H01L21/768 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体装置与制造半导体装置的方法，半导体装置包含栅极结构、源极/漏极磊晶结构、前侧互连结构、背侧通孔件、隔离材料及侧壁间隔物。源极/漏极磊晶结构在栅极结构的一侧上。前侧互连结构在源极/漏极磊晶结构的前侧上。背侧通孔件连接至源极/漏极磊晶结构的背侧。隔离材料在背侧通孔件的一侧上且接触栅极结构。侧壁间隔物在背侧通孔件与隔离材料之间。隔离材料的高度大于侧壁间隔物的高度。
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公开(公告)号：CN113314520B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202011262547.0
申请日：2020-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/822
Abstract: 本发明的实施例涉及一种半导体器件，包括：衬底；两个源极/漏极(S/D)区，位于衬底上方；沟道区，位于两个S/D区之间，并且包括半导体材料；沉积的电容器材料(DCM)层，位于沟道区上方；介电层，位于DCM层上方；以及金属栅极电极层，位于介电层上方。本发明的实施例还涉及一种形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN114792656A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210065856.1
申请日：2022-01-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体结构的形成方法包括经由基板的背侧移除栅极结构的一部分，以形成沟槽而将栅极结构隔离成两个部分。该方法还包括沉积牺牲材料于沟槽中，且牺牲材料顺应性地沿着沟槽的侧壁；将第一介电材料填入沟槽的其余部分；部分地移除牺牲材料，以保留开口于第一介电材料与栅极结构之间；以及将功函数金属填入开口。
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公开(公告)号：CN113206062A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110203188.X
申请日：2021-02-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L29/423 , H01L27/088 , H01L21/768 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体装置与制造半导体装置的方法，半导体装置包含栅极结构、源极/漏极磊晶结构、前侧互连结构、背侧通孔件、隔离材料及侧壁间隔物。源极/漏极磊晶结构在栅极结构的一侧上。前侧互连结构在源极/漏极磊晶结构的前侧上。背侧通孔件连接至源极/漏极磊晶结构的背侧。隔离材料在背侧通孔件的一侧上且接触栅极结构。侧壁间隔物在背侧通孔件与隔离材料之间。隔离材料的高度大于侧壁间隔物的高度。
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公开(公告)号：CN112420610A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010165401.8
申请日：2020-03-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L29/06
Abstract: 提供半导体装置的结构及形成方法。此方法包含形成半导体堆叠物，半导体堆叠物具有第一牺牲层和第一半导体层交替排列。此方法也包含将半导体堆叠物图案化，以形成第一鳍结构和第二鳍结构。此方法还包含以第三鳍结构取代第二鳍结构，第三鳍结构具有第二牺牲层和第二半导体层交替排列。此外，此方法包含移除第一鳍结构的第一牺牲层和第三鳍结构的第二牺牲层。此方法包含形成第一金属栅极堆叠物和第二金属栅极堆叠物以分别环绕第一鳍结构的每个第一半导体层和第三鳍结构的每个第二半导体层。
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