公开(公告)号：CN116825715A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310684955.2

申请日：2023-06-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄一涵 ,  张复成 ,  蓝文廷 ,  朱熙甯 ,  黄麟淯 ,  江国诚

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 本公开描述了一种在晶圆边缘上形成具有氧化物结构的半导体结构的方法。该方法包括在第一衬底上形成器件层，在器件层上形成互连层，在互连层的顶表面上并沿着互连层的侧壁表面形成氧化物结构，在氧化物结构和互连层上形成接合层，以及用接合层将器件层接合到第二衬底。本申请的实施例还公开了一种半导体结构。

公开(公告)号：CN119300460A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411294281.6

申请日：2024-09-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张荣宏 ,  陈仕承 ,  庄宗翰 ,  张复成 ,  蓝文廷 ,  蔡佳澄 ,  江国诚 ,  王志豪 ,  黄旺骏 ,  黄士轩

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/03 ,  H10D62/10 ,  H10D62/13 ,  H10D62/17

Abstract: 器件包括：衬底，具有半导体鳍；半导体沟道堆叠件，位于衬底上并且定位在鳍上方；栅极结构，包裹半导体沟道；源极/漏极，邻接半导体沟道；内部间隔件，定位在半导体沟道堆叠件和鳍之间；未掺杂半导体层，垂直邻近源极/漏极并且横向邻近鳍；以及隔离结构，隔离结构横向围绕未掺杂半导体层，隔离结构位于源极/漏极和内部间隔件之间。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN118156309A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410178557.8

申请日：2024-02-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张荣宏 ,  庄宗翰 ,  张复成 ,  陈仕承 ,  蔡佳澄 ,  江国诚 ,  王志豪 ,  蓝文廷

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 器件包括：纳米结构的堆叠件；栅极结构，栅极结构包裹纳米结构；隔离区域，沿第一方向位于纳米结构的堆叠件和与其相邻的另一纳米结构的堆叠件之间；源极/漏极区域，源极/漏极区域邻接纳米结构中的至少一个；以及间隔件层，间隔件层位于栅极结构的侧壁上和源极/漏极区域的侧壁上，间隔件层沿第一方向覆盖源极/漏极区域和另一晶体管的相邻源极/漏极区域之间的区。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。