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公开(公告)号：CN118352242A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410336144.8
申请日：2024-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法。一种示例性方法包括在衬底上形成堆叠件，并图案化堆叠件和衬底的部分以形成鳍形结构，该鳍形结构包括由衬底形成的基部和由堆叠件形成的顶部部分。该堆叠件包括与多个牺牲层交错的多个沟道层和设置在相邻沟道层和牺牲层之间的多个二维(2D)材料层。该方法还包括选择性地去除顶部部分的牺牲层以形成设置在基部上方的多个沟道构件，形成第一栅极结构和在第一栅极结构上方的第二栅极结构。第一栅极结构包裹围绕沟道构件的底部部分。第二栅极结构包裹围绕沟道构件的顶部部分。
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公开(公告)号：CN119153468A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411152288.4
申请日：2024-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L21/77
Abstract: 器件包括：衬底；半导体沟道堆叠件，位于衬底上；栅极结构，包裹半导体沟道；源极/漏极区域，邻接半导体沟道；以及混合结构，位于源极/漏极区域和衬底之间。混合结构包括：第一半导体层，位于源极/漏极区域下方；以及隔离区域，从第一半导体层的上表面垂直延伸至第一半导体层的底面之上的层级。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN119789521A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411840459.2
申请日：2024-12-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请的实施例公开了一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括：多个第一纳米结构，形成在第一堆叠件中。该器件还包括：多个第二纳米结构，形成在第二堆叠件中。该器件还包括：第一源极/漏极结构，邻近多个第一纳米结构，第一源极/漏极结构包括具有硅和锗的第一半导体。该器件还包括：第二源极/漏极结构，垂直地堆叠在第一源极/漏极结构上方，并且邻近多个第二纳米结构，第二源极/漏极结构具有其中锗浓度超过第一半导体的锗浓度的第二半导体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119744000A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411780520.9
申请日：2024-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各个实施例提供了半导体器件结构，包括：源极/漏极部件，设置在衬底上方；多个半导体层，垂直堆叠在衬底上方并且与源极/漏极部件接触；栅电极层，围绕多个半导体层的每个的部分；第一介电间隔件，与多个半导体层的最顶部半导体层的第一侧接触；以及第二介电间隔件，与多个半导体层的最顶部半导体层的第二侧接触。本申请的实施例还涉及半导体器件结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN119947178A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510050669.X
申请日：2025-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在形成纳米结构晶体管的栅极结构之前，去除纳米结构晶体管的源极/漏极区域和纳米结构晶体管的牺牲纳米结构层之间的内部间隔件。去除牺牲纳米结构层，并且然后去除内部间隔件。然后，牺牲纳米结构层用纳米结构晶体管的栅极结构替换，从而使得栅极结构和源极/漏极区域通过由于去除内部间隔件而产生的气隙间隔开。源极/漏极区域和栅极结构之间的气隙的介电常数(或相对介电系数)小于内部间隔件的材料的介电常数。气隙的较小介电常数减小了源极/漏极区域和栅极结构之间的电容量。本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN119815855A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411883237.9
申请日：2024-12-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件和形成半导体器件的方法。该方法包括通过形成源极/漏极开口而在衬底上形成纳米结构沟道堆叠件。该方法还包括在源极/漏极开口中形成牺牲源极/漏极。该方法还包括通过用锗浓度超过牺牲源极/漏极的替换源极/漏极来替换牺牲源极/漏极，以增加纳米结构沟道堆叠件的拉伸应力。
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公开(公告)号：CN119947214A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411568778.2
申请日：2024-11-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种形成半导体器件的方法，用于形成晶体管，包括：在衬底上形成交替的第一半导体层和第二半导体层的堆叠件；通过在衬底的第一器件区中形成源极/漏极开口，形成纳米结构沟道和插件。源极/漏极开口延伸穿过第一半导体层和第二半导体层。该方法包括：在形成源极/漏极开口之后，提高纳米结构沟道的拉伸应变，以及，在提高拉伸应变之后，在源极/漏极开口中形成源极/漏极。本申请的实施例还公开了一种半导体器件。
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公开(公告)号：CN119815854A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411883224.1
申请日：2024-12-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 公开了用于制造半导体器件的方法。方法涉及在衬底上形成交替的半导体沟道和中介层的堆叠件，其中牺牲结构位于中介层之间。形成源极/漏极开口，并且修改沟道中的应变。在开口中形成源极/漏极结构，并且沉积介电层。所得器件以具有变化高度的内部间隔件的堆叠纳米结构为特征，使得能够实现电子器件中改进的性能。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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