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公开(公告)号：CN114639725A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210119192.2
申请日：2022-02-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及包括电介质扩散阻挡的薄膜晶体管及其形成方法。一种半导体器件包括：绝缘层，嵌有栅极电极并覆盖衬底；覆盖栅极电极的顶表面的以下项的堆叠：包括栅极电介质材料的栅极电介质、包括电介质扩散阻挡材料的电介质扩散阻挡衬里、以及有源层；以及源极电极和漏极电极，接触有源层的顶表面的相应部分。电介质扩散阻挡材料不同于栅极电介质材料并选自电介质金属氧化物材料和硅电介质化合物，并且抑制随后的退火工艺中金属元素的损失。
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公开(公告)号：CN114914297A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210042790.4
申请日：2022-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34 , H01L27/092
Abstract: 一种薄膜晶体管包括具有正向或反向顺序的有源层、栅极介电层以及栅极电极的堆叠结构。有源层包括包含氧的化合物半导体材料、选自Ga和W的至少一种受体型元素以及选自In和Sn的至少一种重后过渡金属元素。接触栅极介电层的有源层的第一表面部分处的重后过渡金属元素的原子百分比高于位于栅极介电层相对侧的有源层的第二表面部分处的重后过渡金属元素的原子百分比。可以增加前沟道电流，且可以减小后沟道漏电流。
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公开(公告)号：CN114823867A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210081380.0
申请日：2022-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 一种包括有源层、栅极介电层和栅极的堆迭，在衬底之上以正向或反向顺序形成。有源层包括前沟道层、体半导体层和背沟道层。前沟道层通过沉积包括至少一后过渡金属氧化物层、氧化锌层和至少一受体型氧化物层的层堆迭而形成。氧化锌层或至少一后过渡金属氧化物层与栅极介电层接触，而至少一受体型氧化物层距离栅极介电层最远。前沟道层提供增强的沟道导电性，而背沟道层提供抑制的沟道导电性。
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公开(公告)号：CN114823866A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210071237.3
申请日：2022-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本公开提供一种薄膜晶体管，包括主动层以及至少一个栅极堆叠。主动层的形成可使用单元层堆叠沉积工艺的多次重复沉积，包括受子类型氧化物沉积工艺与后过渡金属元素氧化物沉积工艺。至少一个栅极堆叠中的每个栅极介电质的表面，接触对应的受子类型元素氧化物层的表面，使得主动层漏电流可被最小化。源极电极与漏极电极可接触提供较低接触电阻的氧化物层，例如主动层内的后过渡金属氧化物层或氧化锌层。
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公开(公告)号：CN117580364A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311336610.4
申请日：2023-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B51/20 , H10B51/30 , H10B51/40 , H01L23/528
Abstract: 本公开提供铁电结构、集成电路与其形成方法，其中存储器结构包括插入于两个铁电层之间的抑制层以形成正方晶相主导的铁电结构。在一些实施例中，铁电结构包含：第一铁电层；第二铁电层，上覆于第一铁电层；以及第一抑制层，设置于第一铁电层与第二铁电层之间且毗邻第二铁电层。第一抑制层为与第一铁电层及第二铁电层不同的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115566075A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210915838.8
申请日：2022-08-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/786
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种装置，包括：设置在基板上方的主动层、栅极电极、钝化结构、源极接触件、及漏极接触件。栅极电极设置在基板上方并且通过栅极介电层与主动层间隔开。钝化结构设置在主动层上方。源极接触件延伸穿过钝化结构并接触主动层。漏极接触件延伸穿过钝化结构并接触主动层。钝化结构是疏水的。
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公开(公告)号：CN115312583A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202111088085.X
申请日：2021-09-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/092
Abstract: 一种公开的晶体管结构包括栅极电极、有源层、源极电极、漏极电极、将栅极电极与有源层隔开的绝缘层以及载流子改变装置，载流子改变装置通过减小有源层中的载流子浓度变化而减小短沟道效应。载流子改变装置可包括与有源层接触的顶盖层，顶盖层用于增大有源层中的载流子浓度。作为另外一种选择，载流子改变装置可包括：第一注入层，与源极电极及有源层接触，将源极电极与有源层隔开；以及第二注入层，与漏极电极及有源层接触，将漏极电极与有源层隔开。第一及第二注入层可用于减小有源层内的在源极电极及漏极电极附近的载流子浓度。
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公开(公告)号：CN114639726A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210119369.9
申请日：2022-02-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本申请提供了包括成分渐变栅极电介质的薄膜晶体管及其形成方法。薄膜晶体管可以通过以下步骤来制造：在衬底之上的绝缘层中形成栅极电极；在栅极电极和绝缘层之上形成栅极电介质；在栅极电极之上形成有源层；以及形成源极电极和漏极电极，源极电极和漏极电极与有源层的顶表面的相应部分接触。可以通过将氧原子引入到栅极电介质和有源层中的至少一者的表面区域中来增加栅极电介质和有源层中的相应一者中的表面氧浓度。
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公开(公告)号：CN222827579U
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202420900416.8
申请日：2024-04-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10D64/68
Abstract: 提供一种集成电路装置。在所述集成电路装置中，是通过将第二介电组成物的隐埋层引入至第一介电组成物的栅极介电质中来解决提供如下晶体管的问题：所述晶体管可被制造成具有处于宽广的阈值电压范围内的任何指定阈值电压而不会产生泄漏问题、电容问题或工艺兼容性问题。相对于第一介电组成物而选择第二介电组成物，使得在所述两种介电质的界面周围形成偶极子。偶极子产生电场，电场使阈值电压发生偏移。隐埋层具有较栅极介电质高的介电常数，薄于栅极介电质，且接近通道。
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公开(公告)号：CN221447181U
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202322407317.4
申请日：2023-09-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , H01L27/12
Abstract: 本实用新型提供一种薄膜晶体管和集成芯片。所述薄膜晶体管包括在衬底上方的有源层。与有源层堆叠的绝缘件。与绝缘件堆叠的栅极结构，栅极结构包括具有第一功函数的栅极材料层和第一界面层。第一界面层直接介于绝缘件和栅极材料层之间，其中栅极结构具有不同于第一功函数的第二功函数。
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