公开(公告)号：CN117580364A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311336610.4

申请日：2023-10-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林柏廷 ,  林佑明 ,  吴尹豪 ,  温伟志 ,  林仲德 ,  向育民 ,  蔡武卫 ,  陈海清

IPC: H10B51/20 ,  H10B51/30 ,  H10B51/40 ,  H01L23/528

Abstract: 本公开提供铁电结构、集成电路与其形成方法，其中存储器结构包括插入于两个铁电层之间的抑制层以形成正方晶相主导的铁电结构。在一些实施例中，铁电结构包含：第一铁电层；第二铁电层，上覆于第一铁电层；以及第一抑制层，设置于第一铁电层与第二铁电层之间且毗邻第二铁电层。第一抑制层为与第一铁电层及第二铁电层不同的材料。

公开(公告)号：CN116266992A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202310116841.8

申请日：2023-02-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄彦杰 ,  林柏廷 ,  廖崧甫 ,  陈海清 ,  杨世海 ,  林佑明 ,  林仲德

IPC: H10B51/30

Abstract: 本公开的各种实施例是针对一种集成芯片(IC)及其形成方法，其包括设置于基板中的第一电极结构。第一铁电结构设置于第一电极结构的第一侧。通道结构设置于第一铁电结构的第一侧。通道结构包括多个个别的通道结构以及多个绝缘结构。多个个别的通道结构以及多个绝缘结构交替堆叠。一对源极/漏极(S/D)结构设置于第一铁电结构的第一侧。上述一对S/D结构垂直延伸穿过通道结构，且第一电极结构横向设置于上述一对S/D结构的S/D结构之间。

公开(公告)号：CN106998199A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201611037283.2

申请日：2016-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高章瑞 ,  刘祈麟 ,  鲁立忠 ,  谢尚志 ,  林柏廷

IPC: H03K3/3562 ,  G06F1/10

CPC classification number: H03K3/35625 ,  H03K5/133 ,  H03K2005/00019 ,  H03K3/3562 ,  G06F1/10

Abstract: 一种触发器包括用以接收数据信号及扫描输入信号的主锁存器。所述主锁存器基于扫描使能信号向从锁存器提供数据信号或扫描输入信号中的一者。所述触发器包括用以基于输入时钟信号及所述扫描使能信号中的一者或两者而产生时钟信号的电路系统。第一时钟信号被提供至主锁存器且第二时钟信号被提供至从锁存器。当所述扫描使能信号具有第一逻辑电平时，所述第一时钟信号不包括与所述第二时钟信号的边沿跃迁同时发生的边沿跃迁。当所述扫描使能信号具有第二逻辑电平时，所述第一时钟信号包括与所述第二时钟信号的边沿跃迁同时发生的边沿跃迁。

公开(公告)号：CN114975617A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210322710.0

申请日：2022-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林柏廷 ,  廖崧甫 ,  黄彦杰 ,  陈海清 ,  林佑明 ,  林仲德

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 铁电场效晶体管装置，包括使用原子层沉积(ALD)沉积的铁电材料层。借由控制ALD沉积序列的参数，可以设计铁电层的晶体结构和铁电特性。包括相对较短前驱物脉冲持续时间和连续前驱物脉冲之间的清洗持续时间的ALD沉积序列可提供具有相对均匀晶粒尺寸和小平均晶粒尺寸的铁电层，这可以提供有效的铁电效能。包括相对较长前驱物脉冲持续时间和连续前驱物脉冲之间的清洗持续时间的ALD沉积序列可提供具有较不均匀晶粒尺寸和较大平均晶粒尺寸的铁电层。具有较大平均晶粒尺寸的铁电层可表现增强的结晶度和稳定的正交晶相，特别是在相对较薄的层中。

公开(公告)号：CN112750780A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011182854.8

申请日：2020-10-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林揆伦 ,  陈彦甫 ,  林柏廷 ,  张家源 ,  于雄飞 ,  徐志安

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 提供半导体装置与其形成方法。方法包括形成鳍状物，且鳍状物自基板延伸；以及沿着鳍状物的上表面与侧壁形成栅极介电层。沿着鳍状物的上表面的栅极介电层的第一厚度，大于沿着鳍状物的侧壁的栅极介电层的第二厚度。

公开(公告)号：CN114914297A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210042790.4

申请日：2022-01-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡武卫 ,  陈海清 ,  林柏廷

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L27/092

Abstract: 一种薄膜晶体管包括具有正向或反向顺序的有源层、栅极介电层以及栅极电极的堆叠结构。有源层包括包含氧的化合物半导体材料、选自Ga和W的至少一种受体型元素以及选自In和Sn的至少一种重后过渡金属元素。接触栅极介电层的有源层的第一表面部分处的重后过渡金属元素的原子百分比高于位于栅极介电层相对侧的有源层的第二表面部分处的重后过渡金属元素的原子百分比。可以增加前沟道电流，且可以减小后沟道漏电流。

公开(公告)号：CN114823866A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210071237.3

申请日：2022-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡武卫 ,  林柏廷 ,  陈海清 ,  林仲德

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本公开提供一种薄膜晶体管，包括主动层以及至少一个栅极堆叠。主动层的形成可使用单元层堆叠沉积工艺的多次重复沉积，包括受子类型氧化物沉积工艺与后过渡金属元素氧化物沉积工艺。至少一个栅极堆叠中的每个栅极介电质的表面，接触对应的受子类型元素氧化物层的表面，使得主动层漏电流可被最小化。源极电极与漏极电极可接触提供较低接触电阻的氧化物层，例如主动层内的后过渡金属氧化物层或氧化锌层。

公开(公告)号：CN116234320A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310064685.5

申请日：2023-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄彦杰 ,  林柏廷 ,  廖崧甫 ,  陈海清 ,  杨世海 ,  林佑明 ,  林仲德

IPC: H10B51/30 ,  H10B51/40 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H10B99/00

Abstract: 本公开多种实施例直指一种集成芯片(IC)，包括下方栅极电极，设置于介电结构中。第一铁电结构覆盖下方栅极电极。第一浮动电极结构覆盖第一铁电结构。通道结构覆盖第一浮动电极结构。第二浮动电极结构覆盖通道结构。第二铁电结构覆盖第二浮动电极结构。上方栅极电极覆盖第二铁电结构。

公开(公告)号：CN115732542A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210945688.5

申请日：2022-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄彦杰 ,  林柏廷 ,  陈海清 ,  廖崧甫 ,  林佑明 ,  林仲德

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H10B51/00

Abstract: 本公开提出一种场效晶体管装置。具有经过改善的铁电特性以及装置性能。所公开的FeFET装置包括铁电材料栅极介电层以及金属氧化物半导体体通道层，具有经过改善的铁电特性，例如增加的残留极化、低缺陷还有增加的载子迁移率，用以改善装置性能。

公开(公告)号：CN115000172A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210278564.6

申请日：2022-03-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄彦杰 ,  廖崧甫 ,  林柏廷 ,  陈海清 ,  杨世海 ,  林佑明 ,  林仲德

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L27/1159

Abstract: 本公开涉及双栅极铁电场效应晶体管器件及其形成方法。具有双栅极结构的铁电场效应晶体管(FeFET)包括：第一栅极电极、第一栅极电极之上的第一铁电材料层、第一铁电材料层之上的半导体沟道层、与半导体沟道层接触的源极电极和漏极电极、半导体沟道层之上的第二铁电材料层、以及第二铁电材料层之上的第二栅极电极。