公开(公告)号：CN222827579U

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202420900416.8

申请日：2024-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡武卫 ,  陈海清 ,  林柏廷 ,  陈晏谊 ,  林佑明 ,  林仲德 ,  沈泽民 ,  董彦佃

IPC: H10D64/68

Abstract: 提供一种集成电路装置。在所述集成电路装置中，是通过将第二介电组成物的隐埋层引入至第一介电组成物的栅极介电质中来解决提供如下晶体管的问题：所述晶体管可被制造成具有处于宽广的阈值电压范围内的任何指定阈值电压而不会产生泄漏问题、电容问题或工艺兼容性问题。相对于第一介电组成物而选择第二介电组成物，使得在所述两种介电质的界面周围形成偶极子。偶极子产生电场，电场使阈值电压发生偏移。隐埋层具有较栅极介电质高的介电常数，薄于栅极介电质，且接近通道。

公开(公告)号：CN221447181U

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202322407317.4

申请日：2023-09-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈晏谊 ,  林佑明 ,  林仲德 ,  向育民 ,  蔡武卫 ,  陈海清

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L27/12

Abstract: 本实用新型提供一种薄膜晶体管和集成芯片。所述薄膜晶体管包括在衬底上方的有源层。与有源层堆叠的绝缘件。与绝缘件堆叠的栅极结构，栅极结构包括具有第一功函数的栅极材料层和第一界面层。第一界面层直接介于绝缘件和栅极材料层之间，其中栅极结构具有不同于第一功函数的第二功函数。