公开(公告)号：CN114512443A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202210005216.1

申请日：2022-01-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 董彦佃 ,  黄思维 ,  萧智仁 ,  庄媖涓 ,  黄咏骞 ,  刘冠廷 ,  沈泽民 ,  吴忠纬 ,  吴志强

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括提供一种结构，此结构具有一基底和在前述基底上方的一通道层；在前述通道层上方形成一高介电常数栅极介质层；在前述高介电常数栅极介质层上形成一功函数金属层；在前述功函数金属层上形成一硅化物层；对此结构进行退火，使得与前述高介电常数栅极介电层相接的前述功函数金属层的第一部分可掺杂有来自前述硅化物层的硅元素；去除前述硅化物层；以及在前述功函数金属层的上方形成一块体金属层。

公开(公告)号：CN110556292B

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN201910103532.0

申请日：2019-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡承晏 ,  吴仲强 ,  黄泰维 ,  锺鸿钦 ,  李威缙 ,  李达元 ,  苏庆煌 ,  庄媖涓 ,  刘冠廷

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 此处所述的实施例关于对半导体基板上的不同晶体管的金属栅极中所用的材料进行预沉积处理。在一实施例中，方法包括暴露第一装置的第一含金属层与第二装置的第二含金属层至反应物，以分别形成多个单层于第一含金属层与第二含金属层上。第一装置与第二装置位于基板上。第一装置包括第一栅极结构，且第一栅极结构包括第一含金属层。第二装置包括第二栅极结构，且第二栅极结构包括第二含金属层，而第一含金属层与第二含金属层不同。暴露第一含金属层与第二含金属层上的单层至氧化剂，以提供单层所用的羟基封端表面。之后形成第三含金属层于第一含金属层与第二含金属层上的单层的羟基封端表面上。

公开(公告)号：CN114203540A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111535505.4

申请日：2019-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡承晏 ,  吴仲强 ,  黄泰维 ,  锺鸿钦 ,  李威缙 ,  李达元 ,  苏庆煌 ,  庄媖涓 ,  刘冠廷

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 此处所述的实施例关于对半导体基板上的不同晶体管的金属栅极中所用的材料进行预沉积处理。在一实施例中，方法包括暴露第一装置的第一含金属层与第二装置的第二含金属层至反应物，以分别形成多个单层于第一含金属层与第二含金属层上。第一装置与第二装置位于基板上。第一装置包括第一栅极结构，且第一栅极结构包括第一含金属层。第二装置包括第二栅极结构，且第二栅极结构包括第二含金属层，而第一含金属层与第二含金属层不同。暴露第一含金属层与第二含金属层上的单层至氧化剂，以提供单层所用的羟基封端表面。之后形成第三含金属层于第一含金属层与第二含金属层上的单层的羟基封端表面上。

公开(公告)号：CN110556292A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910103532.0

申请日：2019-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡承晏 ,  吴仲强 ,  黄泰维 ,  锺鸿钦 ,  李威缙 ,  李达元 ,  苏庆煌 ,  庄媖涓 ,  刘冠廷

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 此处所述的实施例关于对半导体基板上的不同晶体管的金属栅极中所用的材料进行预沉积处理。在一实施例中，方法包括暴露第一装置的第一含金属层与第二装置的第二含金属层至反应物，以分别形成多个单层于第一含金属层与第二含金属层上。第一装置与第二装置位于基板上。第一装置包括第一栅极结构，且第一栅极结构包括第一含金属层。第二装置包括第二栅极结构，且第二栅极结构包括第二含金属层，而第一含金属层与第二含金属层不同。暴露第一含金属层与第二含金属层上的单层至氧化剂，以提供单层所用的羟基封端表面。之后形成第三含金属层于第一含金属层与第二含金属层上的单层的羟基封端表面上。

公开(公告)号：CN221057430U

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202321398011.0

申请日：2023-06-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪若珺 ,  李致葳 ,  黄文宏 ,  陈蕙祺 ,  陈建豪 ,  游国丰 ,  蔡昕翰 ,  庄媖涓 ,  郑郁陵 ,  王于瑄 ,  叶德夫

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8238 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种半导体结构，包括一N型场效晶体管，包括：一第一纳米结构堆叠，其中该第一纳米结构堆叠的多个纳米结构交互叠置；一第一栅极介电结构，其在一截面图中周向地环绕该第一纳米结构堆叠中的每个纳米结构；及一N型功函数(WF)金属层，其在该截面图中周向地环绕该第一栅极介电结构；及一P型场效晶体管，包括：一第二纳米结构堆叠，其中该第二纳米结构堆叠的多个纳米结构交互叠置；一第二栅极介电结构，其在该截面图中周向地环绕该第二纳米结构堆叠中的每个纳米结构；一P型功函数金属层，其在该截面图中周向地环绕该第二栅极介电结构；及在该截面图中，多个部分的该N型功函数金属层被设置在该P型功函数金属层的一上表面及多个侧表面之上。