公开(公告)号：CN104657532B

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201410032860.3

申请日：2014-01-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王姿予 ,  吴伟诚 ,  许国经 ,  侯上勇 ,  郑心圃

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5077 ,  G06F17/5009 ,  G06F17/5081 ,  G06F2217/02 ,  G06F2217/06 ,  G06F2217/08 ,  G06F2217/38 ,  G06F2217/40 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明公开了半导体器件设计方法和导电凸块图案增强方法。在些实施例中,设计半导体器件的方法包括:设计导电凸块图案设计;以及对导电凸块图案设计执行导电凸块图案增强算法以产生增强的导电凸块图案设计。基于增强的导电凸块图案设计来设计布线图案。对布线图案执行设计规则检查(DRC)程序。

公开(公告)号：CN103107150A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210022531.1

申请日：2012-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱志威 ,  王姿予 ,  吴伟诚 ,  刘淳亦 ,  胡宪斌 ,  侯上勇

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5256 ,  H01L23/5382 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81805

Abstract: 本发明公开了用于半导体器件的中介层及其制造方法。在一个实施例中，一种中介层包括：衬底；在衬底上设置的接触焊盘；以及位于衬底中的连接至接触焊盘的第一通孔；连接至第一通孔的第一熔丝；位于衬底中的连接至接触焊盘的第二通孔；以及连接至第二通孔的第二熔丝。

公开(公告)号：CN103107150B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201210022531.1

申请日：2012-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱志威 ,  王姿予 ,  吴伟诚 ,  刘淳亦 ,  胡宪斌 ,  侯上勇

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5256 ,  H01L23/5382 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81805

Abstract: 本发明公开了用于半导体器件的中介层及其制造方法。在一个实施例中，一种中介层包括：衬底；在衬底上设置的接触焊盘；以及位于衬底中的连接至接触焊盘的第一通孔；连接至第一通孔的第一熔丝；位于衬底中的连接至接触焊盘的第二通孔；以及连接至第二通孔的第二熔丝。

公开(公告)号：CN102810528B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201210063783.9

申请日：2012-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘醇鸿 ,  余振华 ,  胡宪斌 ,  王姿予 ,  吴伟诚 ,  侯上勇 ,  郑心圃

IPC: H01L23/544

CPC classification number: H01L22/32 ,  G01R1/07378 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L22/30 ,  H01L22/34 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/585 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147

Abstract: 本发明公开一种插入件测试结构和方法。公开的实施例是包括插入件的结构。插入件具有沿着插入件的外围延伸的测试结构，并且测试结构的至少一部分在第一重分配元件中。第一重分配元件在插入件的基板的第一表面上。测试结构在中间并且电连接至至少两个探针焊盘。

公开(公告)号：CN103050478A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210029016.6

申请日：2012-02-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王姿予 ,  余振华 ,  郑心圃 ,  侯上勇 ,  胡宪斌 ,  吴伟诚 ,  许立翰 ,  李孟翰

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种插件包括：位于插件第一面上的第一表面和位于插件第二面上的第二表面，其中第一面和第二面是相对面；设置在第一表面的第一探针焊盘；设置在第一表面的电连接件，其中该电连接件被配置用于接合；设置在插件中的通孔；设置在插件的第一面上的前面连接件，其中该前面连接件将通孔电连接至探针焊盘。本发明提供了一种用于3DIC封装件合格率分析的探针焊盘设计。

公开(公告)号：CN102208384A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201010224693.4

申请日：2010-07-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王姿予 ,  谢棋君 ,  苏安治 ,  陈宪伟 ,  郑心圃 ,  林立伟

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/04 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构及半导体装置的形成方法，该半导体结构包括用于半导体装置的凸块底金属层结构。上述凸块底金属层结构具有一中心部与自该中心部延伸的多个延伸部。这些延伸部可具有四边形、三角形、圆形、扇形、具有延伸部的扇形或具有圆滑化表面的修正型四边形的一形状。相邻的凸块底金属层结构具有相互对准或相对地经过旋转的各延伸部。可于这些延伸部的一部涂布一助焊层，以使得上方的一导电凸块附着于这些延伸部的一部。本发明可增加半导体装置的可靠性，特别降低了位于凸块底金属层与导电凸块的介面处的应力聚集情形。

公开(公告)号：CN102142413A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010239344.X

申请日：2010-07-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王姿予 ,  邱志威 ,  郑心圃

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3192 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/293 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/0215 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制法，该半导体元件包括：一半导体基材；一接合焊盘位于该半导体基材之上；一应力缓冲结构部分地覆盖该接合焊盘并暴露一部分的接合焊盘，其中该应力缓冲结构包括一阶梯状侧壁，该阶梯状侧壁从该暴露的接合焊盘逐渐地向上延伸；以及一凸块底层金属层位于该暴露的接合焊盘上与该阶梯状侧壁之上，其中该凸块底层金属的形状与该阶梯状侧壁的形状一致。本发明的接合结构包括一阶梯状应力缓冲层位于具有同样阶梯状的凸块底层金属层之下。本发明的凸块底层金属结构与应力缓冲结构的阶梯状构造会造成较均匀的应力分布，且降低芯片底下介电材料与凸块底层金属结构自身的最大/平均应力值。

公开(公告)号：CN102208384B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201010224693.4

申请日：2010-07-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王姿予 ,  谢棋君 ,  苏安治 ,  陈宪伟 ,  郑心圃 ,  林立伟

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/04 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构及半导体装置的形成方法，该半导体结构包括用于半导体装置的凸块底金属层结构。上述凸块底金属层结构具有一中心部与自该中心部延伸的多个延伸部。这些延伸部可具有四边形、三角形、圆形、扇形、具有延伸部的扇形或具有圆滑化表面的修正型四边形的一形状。相邻的凸块底金属层结构具有相互对准或相对地经过旋转的各延伸部。可于这些延伸部的一部涂布一助焊层，以使得上方的一导电凸块附着于这些延伸部的一部。本发明可增加半导体装置的可靠性，特别降低了位于凸块底金属层与导电凸块的介面处的应力聚集情形。

公开(公告)号：CN102386240A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201010591726.9

申请日：2010-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏安治 ,  谢棋君 ,  王姿予 ,  吴伟诚 ,  胡宪斌 ,  侯上勇 ,  邱文智 ,  郑心圃

IPC: H01L29/94

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L28/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种包括具有正面和正面对面的背面的基板的器件。电容器形成在基板中并且其包括第一电容板；环绕第一电容板的第一绝缘层；和环绕第一绝缘层的第二电容板。第一电容板，第一绝缘层，以及第二电容板的每一个都从基板的正面延伸到背面。

公开(公告)号：CN101436062A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810172710.7

申请日：2008-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊贤 ,  王姿予 ,  柯俊成 ,  汪青蓉

IPC: G05B19/418 ,  H01L21/00 ,  H01L21/66

CPC classification number: G05B19/41875 ,  G05B2219/32187 ,  G05B2219/32188 ,  G05B2219/32194 ,  Y02P90/22 ,  Y10S430/146

Abstract: 一种预测批次工具的晶片结果的方法，包括收集在批次处理工具中以批次处理的一批晶片的制造数据，以形成一批次处理结果；根据制造数据，定义批次处理结果的自由度；以及根据批次处理结果，通过尝试错误法对批次处理结果的最佳函数模型实施一最佳曲线匹配。