公开(公告)号：CN102208384B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201010224693.4

申请日：2010-07-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王姿予 ,  谢棋君 ,  苏安治 ,  陈宪伟 ,  郑心圃 ,  林立伟

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/04 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构及半导体装置的形成方法，该半导体结构包括用于半导体装置的凸块底金属层结构。上述凸块底金属层结构具有一中心部与自该中心部延伸的多个延伸部。这些延伸部可具有四边形、三角形、圆形、扇形、具有延伸部的扇形或具有圆滑化表面的修正型四边形的一形状。相邻的凸块底金属层结构具有相互对准或相对地经过旋转的各延伸部。可于这些延伸部的一部涂布一助焊层，以使得上方的一导电凸块附着于这些延伸部的一部。本发明可增加半导体装置的可靠性，特别降低了位于凸块底金属层与导电凸块的介面处的应力聚集情形。

公开(公告)号：CN102208384A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201010224693.4

申请日：2010-07-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王姿予 ,  谢棋君 ,  苏安治 ,  陈宪伟 ,  郑心圃 ,  林立伟

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/04 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构及半导体装置的形成方法，该半导体结构包括用于半导体装置的凸块底金属层结构。上述凸块底金属层结构具有一中心部与自该中心部延伸的多个延伸部。这些延伸部可具有四边形、三角形、圆形、扇形、具有延伸部的扇形或具有圆滑化表面的修正型四边形的一形状。相邻的凸块底金属层结构具有相互对准或相对地经过旋转的各延伸部。可于这些延伸部的一部涂布一助焊层，以使得上方的一导电凸块附着于这些延伸部的一部。本发明可增加半导体装置的可靠性，特别降低了位于凸块底金属层与导电凸块的介面处的应力聚集情形。