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公开(公告)号：CN110941417A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910887657.7
申请日：2019-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，提供一种用于产生随机位的方法。方法包含通过将随机数产生器(RNG)信号提供到磁阻随机存取存储器(MRAM)单元来产生第一随机位。随机数产生器信号具有约0.5的机率将磁阻随机存取存储器单元的电阻状态从对应于第一数据状态的第一电阻状态切换到对应于第二数据状态的第二电阻状态。随后从磁阻随机存取存储器单元读取第一随机位。
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公开(公告)号：CN106356448A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610530486.9
申请日：2016-07-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一些实施例涉及一种磁阻随机存取存储器(MRAM)单元。该单元包括底电极，该底电极具有被周围的底电极部分包围的中心的底电极部分。导电底电极的阶梯区域将中心和周围的底电极部分相互连接，以使中心部分的上表面相对于周围部分的上表面凹陷。磁隧道结(MTJ)具有设置在中心的底电极部分上方和布置在阶梯区域之间的MTJ外侧壁。顶电极设置在MTJ的上表面上方。还公开了其他器件和方法。本发明的其它实施例涉及一种用于制造磁阻随机存取存储器(MRAM)单元的方法以及一种集成电路。
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公开(公告)号：CN102881820B
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201210012951.1
申请日：2012-01-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L43/08
Abstract: 本发明涉及的是一种磁阻式随机存储器(MRAM)单元，其包括磁隧道结(MTJ)、设置在MTJ上方的顶部电极、设置在MTJ下方的底部电极以及设置在MTJ一侧的感应线。该感应线被配置为在MTJ处感生出垂直磁场。本发明还公开了磁阻式随机存储器及其制造方法。
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公开(公告)号：CN103247753B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210244924.7
申请日：2012-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/222 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01L43/08
Abstract: 本发明涉及一种磁阻随机存取存储器(MRAM)器件及其制造方法。该MRAM器件包括磁固定层、用作自由层的复合GMR结构、将固定和GMR层分离的非磁阻挡层。该阻挡层用以减少自由层和GMR结构的磁连接，以及提供用于保持器件中的二进制数据(0或1)的电阻状态(高或低)。GMR结构提供物理电极连接，以实现设置/清除内存的功能，其与物理电极连接实现存储器件的读取功能分开。
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公开(公告)号：CN103219461B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210193379.3
申请日：2012-06-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/222 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L43/08
Abstract: 本发明涉及了一种磁阻随机存储器(MRAM)单元，包括了磁隧道结(MTJ)、设置在MTJ上方的顶电极、设置在MTJ下方的底电极，以及设置在MTJ上方或下方的感应线。感应线被配置成在MTJ处产生磁场。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102881820A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210012951.1
申请日：2012-01-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L43/08
Abstract: 本发明涉及的是一种磁阻式随机存储器(MRAM)单元，其包括磁隧道结(MTJ)、设置在MTJ上方的顶部电极、设置在MTJ下方的底部电极以及设置在MTJ一侧的感应线。该感应线被配置为在MTJ处感生出垂直磁场。本发明还公开了磁阻式随机存储器及其制造方法。
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公开(公告)号：CN110620174B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201910523220.5
申请日：2019-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L43/08 , H01L43/02 , H01L23/552 , G11C11/16
Abstract: 在一些实施例中，本申请提供了存储器器件。存储器器件包括芯片，芯片上包括磁性随机存取存储器(MRAM)单元。磁场屏蔽结构包括至少部分地围绕芯片的导电或磁性材料。磁场屏蔽结构包括横向围绕芯片的侧壁区、从侧壁区向上延伸的上部区以及从侧壁区向下延伸的下部区。上部区和/或下部区的至少一个终止于芯片上方的开口。
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公开(公告)号：CN111210866B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201811396951.X
申请日：2018-11-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本揭露提供一种磁场可靠性测试装置、磁场生成板及磁场可靠性的测试方法。磁场可靠性测试装置包括测试器及磁场生成板。测试器包括多个待测对象插槽以及电源供应端。测试器利用待测对象插槽测试多个待测对象的功能。磁场生成板包括多个电磁铁以及电源接收端。电源接收端耦接测试器的电源供应端以从测试器获得电磁铁的电力。每个电磁铁的位置设置至每个待测对象插槽的相应位置。每个电磁铁获得电力以提供磁场至对应的每个待测对象插槽。测试器在电磁铁提供磁场的情况下测试待测对象的功能是否完善。
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公开(公告)号：CN111210866A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201811396951.X
申请日：2018-11-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本揭露提供一种磁场可靠性测试装置、磁场生成板及磁场可靠性的测试方法。磁场可靠性测试装置包括测试器及磁场生成板。测试器包括多个待测对象插槽以及电源供应端。测试器利用待测对象插槽测试多个待测对象的功能。磁场生成板包括多个电磁铁以及电源接收端。电源接收端耦接测试器的电源供应端以从测试器获得电磁铁的电力。每个电磁铁的位置设置至每个待测对象插槽的相应位置。每个电磁铁获得电力以提供磁场至对应的每个待测对象插槽。测试器在电磁铁提供磁场的情况下测试待测对象的功能是否完善。
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公开(公告)号：CN105428315A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510349959.0
申请日：2015-06-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/283 , H01L21/30604 , H01L21/31 , H01L21/76897 , H01L21/823487 , H01L23/528 , H01L29/0649 , H01L29/42356 , H01L29/45 , H01L29/66666 , H01L29/7827 , H01L29/7845 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L21/8234
Abstract: 本发明提供一种串联晶体管结构，包括：第一源极、第一沟道-漏极结构、第二沟道-漏极结构、栅极介电层、栅极、第一漏极焊盘和第二漏极焊盘。第一源极位于衬底上方。第一沟道-漏极结构位于第一源极上方并且包括第一源极上方的第一沟道和第一漏极。第二沟道-漏极结构位于第一源极上方，并且基本平行于第一沟道-漏极结构，并且包括第一源极上方的第二沟道和第二漏极。栅极介电层围绕第一沟道和第二沟道。栅极围绕栅极介电层。第一漏极焊盘位于第一漏极上方并与第一漏极接触。第二漏极焊盘位于第二漏极上方并与第二漏极接触，其中，第一漏极焊盘和第二漏极焊盘彼此分离。本发明还涉及串联晶体管结构及其制造方法。
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