公开(公告)号：CN112563203A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011024428.1

申请日：2020-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨思齐 ,  简鹤年 ,  丁振庭 ,  林建智 ,  李建志 ,  林士豪 ,  李宗鸿 ,  叶致锴 ,  黄才育 ,  萧柏铠

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了半导体装置的制造方法。根据一实施例的方法，包括形成由第一半导体材料形成的一第一鳍部以及由不同于第一半导体材料的第二半导体材料形成的一第二鳍部于一基底上；形成一半导体盖层于第一鳍部及第二鳍部上；以及在露出半导体盖层的至少一部分的同时，于第一温度下对半导体盖层进行退火。

公开(公告)号：CN105428315A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510349959.0

申请日：2015-06-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王景祺 ,  李建志 ,  江典蔚 ,  蔡庆威 ,  王志庆 ,  何炯煦 ,  谢文兴

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823487 ,  H01L23/528 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7845 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明提供一种串联晶体管结构，包括：第一源极、第一沟道-漏极结构、第二沟道-漏极结构、栅极介电层、栅极、第一漏极焊盘和第二漏极焊盘。第一源极位于衬底上方。第一沟道-漏极结构位于第一源极上方并且包括第一源极上方的第一沟道和第一漏极。第二沟道-漏极结构位于第一源极上方，并且基本平行于第一沟道-漏极结构，并且包括第一源极上方的第二沟道和第二漏极。栅极介电层围绕第一沟道和第二沟道。栅极围绕栅极介电层。第一漏极焊盘位于第一漏极上方并与第一漏极接触。第二漏极焊盘位于第二漏极上方并与第二漏极接触，其中，第一漏极焊盘和第二漏极焊盘彼此分离。本发明还涉及串联晶体管结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN105428315B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201510349959.0

申请日：2015-06-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王景祺 ,  李建志 ,  江典蔚 ,  蔡庆威 ,  王志庆 ,  何炯煦 ,  谢文兴

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种串联晶体管结构，包括：第一源极、第一沟道‑漏极结构、第二沟道‑漏极结构、栅极介电层、栅极、第一漏极焊盘和第二漏极焊盘。第一源极位于衬底上方。第一沟道‑漏极结构位于第一源极上方并且包括第一源极上方的第一沟道和第一漏极。第二沟道‑漏极结构位于第一源极上方，并且基本平行于第一沟道‑漏极结构，并且包括第一源极上方的第二沟道和第二漏极。栅极介电层围绕第一沟道和第二沟道。栅极围绕栅极介电层。第一漏极焊盘位于第一漏极上方并与第一漏极接触。第二漏极焊盘位于第二漏极上方并与第二漏极接触，其中，第一漏极焊盘和第二漏极焊盘彼此分离。本发明还涉及串联晶体管结构及其制造方法。